三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達所有測試，預計今年底開始交付
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三星去年10月就向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過一直沒有通過英偉達的測試。此前有報道稱，已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會獲得認證，將在2024年第三季度開始發(fā)貨。
本文引用地址：http://www.chinabohe.com/article/202408/461826.htm據(jù)The Japan Times報道，三星的HBM3E終于通過了英偉達的所有測試項目，這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達還沒有最終確定供應(yīng)協(xié)議，但是問題不大，預計今年底開始交付。
值得一提的是，三星還有更先進的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品，正在努力通過英偉達的驗證測試。有行業(yè)專業(yè)指出，SK海力士也準備了12層垂直堆疊的HBM3E產(chǎn)品，三星總體進度上仍然要落后一些。SK海力士一直是英偉達主要的HBM產(chǎn)品供應(yīng)商，而美光之前已開始向英偉達供應(yīng)HBM3E芯片，逐漸提升了市場占有率。
隨著人工智能（AI）市場的快速增長，HBM技術(shù)通過垂直堆疊多個DRAM芯片來顯著提高數(shù)據(jù)處理速度，已經(jīng)變得越來越重要。隨著三星的HBM3E開始通過英偉達的驗證，預計至少20%到30%的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到HBM產(chǎn)品，這將進一步收縮普通DRAM芯片的供應(yīng)，很可能會推動DDR5內(nèi)存價格上漲。
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