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臺積電2納米及A16制程產(chǎn)能年復(fù)合增長率將達70%
- 在臺積電技術(shù)研討會上，公司預(yù)測到 2030 年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達到1.5 萬億美元。臺積電表示，2026 至 2028 年間，2 納米與 A16 工藝晶圓產(chǎn)能將以70% 的年復(fù)合增長率持續(xù)擴容；而 2022 至 2027 年，CoWoS 先進封裝產(chǎn)能年復(fù)合增長率超 80%。臺積電同時規(guī)劃在 2026 年新建9 座晶圓廠及封裝工廠。美國亞利桑那州首座晶圓廠已正式投產(chǎn)；第二座晶圓廠將于 2026 年下半年完成設(shè)備裝機，第三座廠房處于施工階段，第四座晶圓廠與一座封裝廠預(yù)計于今年動工興建。2026 年亞利桑那
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臺積電與三星1納米制程爭霸戰(zhàn)打響
- 據(jù)報道，隨著AI芯片需求的持續(xù)增長，全球晶圓代工兩大巨頭臺積電與三星電子在先進制程領(lǐng)域的競爭愈發(fā)激烈。雙方圍繞1納米、2納米制程展開的戰(zhàn)略布局，展現(xiàn)出截然不同的發(fā)展節(jié)奏。據(jù)臺積電近期發(fā)布的發(fā)展藍圖顯示，公司計劃在2027年實現(xiàn)1納米等級制程的量產(chǎn)，首發(fā)為A16（即1.6納米）制程，隨后在2028年推出A14制程，并于2029年進一步升級至A13和A12制程。其中，A13制程相較于A14能夠縮減6%的芯片面積，同時通過設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）提升能源效率與性能表現(xiàn)。而A12制程作為A14的強化版，將專為
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韓媒曝三星2納米困境 頂尖大廠不買單
- 三星在關(guān)鍵的良率與量產(chǎn)能力尚未全面達標(biāo)之前，仍難以撼動臺積電在先進制程領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。 南韓媒體《釜山日報》報導(dǎo)，三星晶圓代工廠的2納米制程良率仍低于60%的量產(chǎn)門檻。根據(jù)報導(dǎo)，三星2納米制程初步良率約為55%，距離業(yè)界普遍認(rèn)定的60%量產(chǎn)門檻僅差一步。 況且，若進一步納入后端加工環(huán)節(jié)，實際有效良率甚至可能降至40%左右，使得整體量產(chǎn)穩(wěn)定性仍存在不小變數(shù)。值得注意的是，三星在過去一年確實展現(xiàn)改善能力，2025年下半年，其2納米良率仍僅約20%，但在不到一年時間內(nèi)提升至接近55%，進步幅度相當(dāng)顯著。 不過，
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三星2納米制程量產(chǎn)延期，特斯拉AI6芯片交付推遲約6個月
- 特斯拉為自動駕駛汽車、擎天柱機器人及人工智能數(shù)據(jù)中心打造的下一代 AI6 芯片，交付時間將推遲約 6 個月。此次延期源于三星 2 納米產(chǎn)線的多項目晶圓流片計劃延后，直接導(dǎo)致該芯片的量產(chǎn)時間被推至 2027 年末。特斯拉芯片研發(fā)的交付延期問題正逐漸成為常態(tài)：今年 1 月，埃隆?馬斯克稱 AI5 芯片的設(shè)計已 “接近完成”，但這款早在半年前就被他宣稱 “設(shè)計完工” 的芯片，至今仍未實現(xiàn)量產(chǎn)。三星 2 納米產(chǎn)線未能如期就緒據(jù)韓國電子行業(yè)媒體《電子時報》報道，三星原定于 4 月進行的 2 納米制程多項目晶圓原型流
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為何邁向2納米制程？
- 核心要點：數(shù)字邏輯的演進仍能帶來顯著收益，更低功耗尤為突出。多芯片封裝將成為主流方案，且大部分電路不會采用 2 納米及以下制程。這類系統(tǒng)本質(zhì)上更具靈活性，但優(yōu)化功耗、性能、面積 / 成本（PPA/C）所需權(quán)衡的數(shù)量與復(fù)雜度正不斷提升。2 納米及更先進制程的推出，需要全新的功耗與散熱管理方案，同時也將為設(shè)計帶來更高靈活性，為提升性能和優(yōu)化成本提供更多選擇。功耗、性能、面積 / 成本仍是芯片制造商關(guān)注的核心指標(biāo)，但各指標(biāo)的權(quán)重分配與實現(xiàn)方式差異顯著。過去，芯片市場分為兩類：智能手機等移動設(shè)備使用的超低功耗芯片
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有了Trainium4，AWS將把除時鐘外的所有功能都調(diào)高
- 全球的人工智能模型開發(fā)者已經(jīng)等待了一年多，終于能拿到Trainium3 XPU，這些XPU專門為訓(xùn)練和推理設(shè)計，是英偉達“Blackwell”B200和B300 GPU以及谷歌“Trillium” TPU v6e和“Ironwood” TPU v7p加速器的可信替代品。但當(dāng)亞馬遜云服務(wù)首席執(zhí)行官Matt Garmin開始談?wù)擃A(yù)計可能在2026年底或2027年初交付的未來Tranium4 XPU時，所有排隊購買基于Trainium3的EC2容量模塊的人都做好了買家后悔的準(zhǔn)備。因為盡管Trainium3相比公
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高通驍龍8 Gen 5芯片核心信息曝光：與驍龍8 Elite Gen 5一體雙生
- 11 月 12 日消息，博主數(shù)碼閑聊站 今天在微博發(fā)文稱，高通驍龍 8 Gen 5 芯片的芯片制程和規(guī)格將與驍龍 8 Elite Gen 5“一體雙生”。根據(jù)博主的說法，高通會長期保持迭代 8 Gen X 這條產(chǎn)品線，構(gòu)成標(biāo)準(zhǔn)版和 Pro 版的市場格局，定位對標(biāo)蘋果。性能方面，驍龍 8 Gen 5 的內(nèi)部數(shù)據(jù)是安兔兔跑分＞驍龍 8 至尊版，Geekbench 6 單核性能＜驍龍 8 至尊版，多核跑分＞驍龍 8 至尊版，某些新機游戲體驗≥驍龍 8 至尊版，套片價格≥驍龍 8 至尊版，在未來的中端旗艦產(chǎn)品線中
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日本啟動2nm制程晶圓測試生產(chǎn)
- 報道稱，日本新創(chuàng)晶圓代工廠商Rapidus的IIM-1廠區(qū)已經(jīng)展開對采用2nm環(huán)繞柵極（GAA）晶體管技術(shù)的測試晶圓進行原型制作，并計劃在2027年量產(chǎn)。為了支持早期客戶，Rapidus正在準(zhǔn)備于2026年第一季發(fā)表其制程開發(fā)套件（PDK）的第一個版本。根據(jù)最近披露的數(shù)據(jù)，2023年9月，Rapidus在北海道千歲地區(qū)開始建設(shè)其首座晶圓廠IIM-1；2024年4月，晶圓廠的框架、潔凈室和基礎(chǔ)設(shè)備就已完工；2024年12月，引進了ASML的EUV光刻機設(shè)備；2025年4月，啟動了中試線，隨后7月成功完成了第
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國內(nèi)最后一家 12 英寸晶圓廠 AMS 宣告失敗—又一家芯片項目失敗案例
- 江蘇先進存儲半導(dǎo)體（AMS）已發(fā)布聲明正式宣布其重組計劃失敗。這不僅標(biāo)志著我國最后一家 12 英寸晶圓廠項目的最終崩潰，也成為了該國未完成的科技企業(yè)浪潮的典型案例，正如新浪所指出。報告指出，AMS 的重組工作始于 2023 年 7 月。當(dāng)時，這家公司——曾計劃投資 130 億元人民幣建設(shè) 12 英寸晶圓廠——被破產(chǎn)清算。報告強調(diào)，其核心資產(chǎn)包括一臺價值 1.43 億元人民幣的 ASML 光刻機。AMS 的失敗凸顯了我國在積極推動新建半導(dǎo)體項目過程中面臨的更廣泛問題。據(jù) Tom’s Hardwar
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CellWise 以 23.7 億瑞典克朗的價格出售其海外工廠的控制股權(quán)
- 2025 年 6 月 13 日，CellWise 發(fā)布了一份關(guān)于重大資產(chǎn)出售的草案報告摘要，稱其計劃將其全資子公司 Silex Sweden 的控制權(quán)轉(zhuǎn)讓給包括 Bure 和 Creades 在內(nèi)的七家買家。具體而言，CellWise 的全資子公司將向 Silex Sweden 轉(zhuǎn)讓 441,0115 股——相當(dāng)于交易后總股本的 45.24%——以現(xiàn)金形式進行。根據(jù)公告，該交易的定價為23.75億瑞典克朗。交易前，CellWise 通過其子公司持有 Silex Sweden 的 100%股權(quán)，使 Sile
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2納米芯片制造激烈競爭：良率差距顯著
- 在持續(xù)進行的半導(dǎo)體行業(yè)競爭中，臺積電和三星電子正激烈爭奪2納米芯片制造的領(lǐng)先地位。據(jù)最新報道，兩家公司計劃于2025年下半年開始2納米芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。然而，由于良率優(yōu)勢，臺積電在獲取訂單方面處于領(lǐng)先地位。臺積電已開始接收其 2 納米工藝的訂單，預(yù)計將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進行生產(chǎn)。這標(biāo)志著該公司首次采用環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu)。新工藝預(yù)計將比當(dāng)前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶體管密度。主要客戶據(jù)報包括 AMD、蘋果、英偉達、高通和聯(lián)發(fā)科。值
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1.1 億歐元計劃用于在德累斯頓建設(shè) GF 晶圓
- 據(jù)報道，全球晶圓代工廠（GF）將在未來幾年內(nèi)投資 11 億歐元，將其位于德國德累斯頓的芯片工廠產(chǎn)能翻倍。這消息傳來之際，該公司還宣布為位于紐約馬耳他和佛蒙特州的 CMOS 芯片工廠和氮化鎵（GaN）芯片工廠追加 30 億美元資金。公司此前已宣布為這些地點投入 130 億美元資金，以及最近啟動的紐約先進封裝和光子中心。然而，美國政府在減少對佛蒙特州和包裝中心的資金支持。這是否屬于當(dāng)前的歐盟芯片法案，還是屬于下一階段芯片法案的談判，還有待觀察。當(dāng)前的歐盟芯片法案因缺乏資金提供、成果和效益的透明度而受到歐洲審計
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芯片的先進封裝會發(fā)展到4D？
- 電子集成技術(shù)分為三個層次，芯片上的集成，封裝內(nèi)的集成，PCB板級集成，其代表技術(shù)分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對于封裝內(nèi)的集成，情況就要復(fù)雜得多。電子集成技術(shù)分類的兩個重要依據(jù)：1.物理結(jié)構(gòu)，2.電氣連接(電氣互連)。目前先進封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
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臺積電2nm需求超所有其它制程！蘋果、NVIDIA、AMD都想要
- 5月6日消息，據(jù)報道，臺積電的2nm制程技術(shù)正在引發(fā)前所未有的市場需求，有望成為該公司下一個"淘金熱"。報道稱，臺積電的2nm節(jié)點需求遠超以往任何制程，甚至在大規(guī)模量產(chǎn)之前就已經(jīng)展現(xiàn)出強勁的吸引力，有望超越目前極為成功的3nm節(jié)點。臺積電的2nm制程技術(shù)在成熟度上取得了快速進展，其缺陷密度率已與3nm和5nm相當(dāng)，并采用了新的環(huán)繞柵極晶體管（GAAFET）架構(gòu)。此外，與3nm增強版（N3E）相比，2nm制程的速度提升了10%至15%。在市場需求方面，蘋果被認(rèn)為是2nm制程的最大客戶，可
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日本政府?dāng)M2025年成Rapidus股東，修法已通過
- 據(jù)日本共同通信社和日經(jīng)新聞報道，日本政府計劃在2025年下半年對半導(dǎo)體企業(yè)Rapidus出資1,000億日元，并成為其股東。這一計劃的法律基礎(chǔ)已經(jīng)確立，日本參議院于4月25日通過了《信息處理促進法》等修正案，正式為相關(guān)支持鋪平道路。日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)?。ń?jīng)產(chǎn)?。┲鞴艿男畔⑻幚硗七M機構(gòu)（IPA）將新增金融業(yè)務(wù)，向民間金融機構(gòu)為下一代半導(dǎo)體企業(yè)提供債務(wù)擔(dān)保。這一機制將使日本政府能夠通過IPA對Rapidus進行出資，出資對象將通過公開招募選定，預(yù)計為Rapidus。經(jīng)產(chǎn)省已在2025年度預(yù)算中預(yù)留了1,000億日元
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