在臺積電技術(shù)研討會上，公司預(yù)測到 2030 年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到1.5 萬億美元。臺積電表示，2026 至 2028 年間，2 納米與 A16 工藝晶圓產(chǎn)能將以70% 的年復(fù)合增長率持續(xù)擴(kuò)容；而 2022 至 2027 年，CoWoS 先進(jìn)封裝產(chǎn)能年復(fù)合增長率超 80%。臺積電同時(shí)規(guī)劃在 2026 年新建9 座晶圓廠及封裝工廠。

美國亞利桑那州

首座晶圓廠已正式投產(chǎn)；第二座晶圓廠將于 2026 年下半年完成設(shè)備裝機(jī)，第三座廠房處于施工階段，第四座晶圓廠與一座封裝廠預(yù)計(jì)于今年動工興建。2026 年亞利桑那廠區(qū)芯片產(chǎn)能預(yù)計(jì)同比提升 1.8 倍，良率水平將對標(biāo)中國臺灣本土廠區(qū)。

日本廠區(qū)

日本第一座晶圓廠已實(shí)現(xiàn)22 納米、28 納米芯片量產(chǎn)；受市場強(qiáng)勁需求推動，第二座日本晶圓廠規(guī)劃升級，確定投產(chǎn)3 納米工藝。

德國廠區(qū)

德國晶圓廠正按既定工期穩(wěn)步建設(shè)，先期落地28 納米、22 納米制程，后續(xù)將逐步導(dǎo)入 16 納米與 12 納米工藝。

先進(jìn)堆疊與封裝技術(shù)進(jìn)展

相較于 2015 年初代 CoWoS 封裝技術(shù)，臺積電SoIC 三維堆疊技術(shù)的互聯(lián)密度提升56 倍，能效提升5 倍。目前 SoIC 技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段，6 微米鍵合間距版本已于 2025 年落地。2028 年 N2 世代 SoIC 將支持 6 微米堆疊工藝，A14 世代工藝則可實(shí)現(xiàn)4.5 微米超高精度堆疊。

臺積電自研COUPE 緊湊型通用光子引擎技術(shù)今年已推出 200Gbps 微環(huán)調(diào)制器，相較傳統(tǒng)銅線互聯(lián)方案，能效提升 4 倍，傳輸延遲降低90%。

臺積電5.5 掩模版尺寸 CoWoS 封裝良率已達(dá) 98%。公司規(guī)劃：

2028 年推出14 掩模版規(guī)格CoWoS，可集成 20 組 HBM 內(nèi)存堆疊；

2029 年更大掩模版尺寸方案將支持集成24 組 HBM 堆疊。

整片晶圓系統(tǒng)集成技術(shù)（SoW）可依托超 40 片掩模版超大尺寸架構(gòu)，最高整合 64 組 HBM 堆疊與 16 個(gè) CoWoS 封裝模塊。

整片晶圓封裝 SoWP 已于 2024 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，集成 HBM 的高階 SoWX 技術(shù)預(yù)計(jì) 2029 年正式落地。