三大原廠紛紛縮減舊制程產(chǎn)能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產(chǎn)，美光亦通知客戶(hù)停產(chǎn)服務(wù)器用舊制程DDR4模組，SK海力士據(jù)傳也將DDR4產(chǎn)出比重降至20%。

法人認(rèn)為，市場(chǎng)景氣低迷，上游存儲(chǔ)器廠加速產(chǎn)品迭代，降低單位成本以提升獲利，同時(shí)將資源轉(zhuǎn)向高帶寬記憶體（HBM）及DDR5等高階產(chǎn)品。

短期內(nèi)內(nèi)存價(jià)格受到關(guān)稅備貨與供給控制支撐，但整體環(huán)境不確定性高，未來(lái)基本面仍存隱憂(yōu)。

三星已通知供應(yīng)鏈，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內(nèi)存將于2025年4月停止生產(chǎn)（EOL），要求客戶(hù)于2025年6月前完成最后訂單（LBO）。 多款8GB及16GB DDR4 SODIMM與UDIMM模組將停產(chǎn)，最后出貨日期為2025年12月10日。

法人預(yù)期，采用1y nm 16GB DDR4顆粒的OEM業(yè)者首當(dāng)其沖，供應(yīng)量將大幅減少; 內(nèi)存模組廠雖仍可取得三星DDR4顆粒，但貨源持續(xù)吃緊。

三星計(jì)劃減少1y nm制程產(chǎn)出，2024年該制程占位元產(chǎn)出約20%，但2025年下半年比重將降至10%以下。

1z nm制程為2024年主力，占約30%，2025年將降至20%，預(yù)計(jì)2026年進(jìn)入DDR4 EOL倒數(shù)，2027年全面停產(chǎn)。

同時(shí)，三星的1a nm及1b nm新制程產(chǎn)出比重將快速提升，1a nm為2025上半年主流，但2025年下半年1b nm制程將占第四季產(chǎn)出逾40%。

采用新制程的DDR5模塊，將優(yōu)先供應(yīng)戴爾、惠普、華碩、宏碁等PC OEM客戶(hù)，舊制程DDR4則繼續(xù)供應(yīng)消費(fèi)性及模組客戶(hù)。

記憶體模組廠因DDR4產(chǎn)出減少，采購(gòu)顆粒不足，模組廠轉(zhuǎn)向認(rèn)證及采購(gòu)南亞科及華邦電等中國(guó)臺(tái)灣廠商，法人預(yù)期，2025年第二季合約價(jià)將上漲，主因原廠謹(jǐn)慎控制產(chǎn)能，加上美國(guó)關(guān)稅政策反復(fù)，帶動(dòng)短期內(nèi)器采購(gòu)動(dòng)能。

法人認(rèn)為，客戶(hù)提前拉貨以應(yīng)對(duì)不確定性，可能導(dǎo)致2025年下半年旺季不旺。

當(dāng)前存儲(chǔ)器廠商的策略為配合客戶(hù)需求，增加美國(guó)庫(kù)存，以降低未來(lái)風(fēng)險(xiǎn)。