若新提案正式立法，中國芯片制造商將無法采購用于成熟制程晶圓廠的先進設(shè)備。

美國兩黨多名參議員聯(lián)合提出一項新法案，擬近乎全面禁止向敵對國家特定實體出口先進晶圓制造設(shè)備（WFE），該法規(guī)將補充現(xiàn)有以晶圓廠為目標的禁令。一旦生效，長鑫存儲（CXMT）、華虹（HLMC）、中芯國際（SMIC）、長江存儲（YMTC）等中國頭部芯片企業(yè)，將無法為成熟制程工廠采購先進設(shè)備，也不能將其轉(zhuǎn)用于先進制程產(chǎn)線。

提案原文稱：包括長鑫存儲、華虹、華為、中芯國際、長江存儲在內(nèi)的部分實體，正致力于生產(chǎn)先進制程集成電路，這些芯片對中國軍民融合戰(zhàn)略至關(guān)重要，因此有必要實施全面出口管制，阻止這些企業(yè)獲取采用美國技術(shù)制造的產(chǎn)品。

美國政府早在 2021 年底就已限制向中國等潛在對手出售先進晶圓制造設(shè)備。根據(jù)現(xiàn)行管制規(guī)則，美國企業(yè)及后續(xù)荷蘭、日本等盟國企業(yè)，向中國實體出口可用于14nm 邏輯芯片、18nm 級 DRAM、128 層及以上 NAND生產(chǎn)的晶圓制造設(shè)備時，必須獲得美國政府出口許可證。新提案并未新增管制品類，而是改變設(shè)備許可發(fā)放方式。

當前出口管制針對具體晶圓廠（無論是否被美國列入黑名單），而非擁有這些晶圓廠的企業(yè)實體。這意味著，設(shè)備廠商可向中芯國際等公司出口 ASML Twinscan NXT:1950i/1980Di 等先進機型（可升級至受制裁的 5nm 級別 NXT:2000i），只要這些設(shè)備不用于先進制程即可。但由于中國芯片企業(yè)與相關(guān)部門不配合核查，監(jiān)控設(shè)備實際用途難度極大。而這些先進設(shè)備確實被用于中芯國際 N+1、N+2 等 7nm 級芯片生產(chǎn)。

新提案《MATCH 法案》將出口管制從以廠為單位轉(zhuǎn)向以企業(yè)（及關(guān)聯(lián)方）為核心的混合模式，同時保留晶圓廠觸發(fā)機制。如此一來，中芯國際等企業(yè)將無法先為成熟制程工廠采購先進設(shè)備，再轉(zhuǎn)用于 7nm 級先進制程產(chǎn)線。

此外，《MATCH 法案》旨在推動全球半導(dǎo)體設(shè)備出口管制統(tǒng)一口徑。美國將先與荷蘭、日本、韓國、中國臺灣等設(shè)備供應(yīng)方協(xié)調(diào)；若協(xié)調(diào)失敗，美國將擴大域外管制，覆蓋任何含美國技術(shù)（比例＞0%）或依賴美國技術(shù)維護的外國制造設(shè)備，最終封堵現(xiàn)有管制漏洞。

關(guān)注美國先進晶圓設(shè)備管制的讀者可能會問：受制裁中國實體能否通過非制裁中間商獲取高端設(shè)備？據(jù)本文分析，盡管中間商理論上可非法獲取并轉(zhuǎn)售設(shè)備，但《MATCH 法案》明確禁止通過中間商規(guī)避管制，出口管制覆蓋最終用途、最終用戶、再出口及維護全鏈條。通過第三方轉(zhuǎn)道設(shè)備不僅無法繞過限制，還會導(dǎo)致所有相關(guān)方失去未來先進設(shè)備采購權(quán)及現(xiàn)有設(shè)備維護服務(wù)，最終讓設(shè)備逐步報廢。

該法案雖無法徹底杜絕小規(guī)模設(shè)備泄露、一次性轉(zhuǎn)用或黑市交易，但旨在切斷中國實體當前用于建設(shè)、維護頂級晶圓廠的穩(wěn)定供應(yīng)鏈。

最后，《MATCH 法案》引入75% 自給率閾值作為自動校準機制，僅對中國無法自主生產(chǎn)的真正技術(shù)瓶頸實施管制。例如：若中國某類設(shè)備（刻蝕、沉積設(shè)備等）自給率達 75%，美國政府將不再限制對華出口。新法案思路是：僅在具備戰(zhàn)略優(yōu)勢時實施管制，中國本土替代形成規(guī)模后即放寬限制。這對泛林、應(yīng)用材料等美國刻蝕 / 沉積設(shè)備廠商至關(guān)重要 —— 目前它們?nèi)灶I(lǐng)先中微公司、北方華創(chuàng)等中國企業(yè)，但后者已具備國際一流水平；一旦中國廠商形成規(guī)模，美國企業(yè)將失去中國市場戰(zhàn)略地位，美國政府也將停止管制相關(guān)設(shè)備出口。