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聯(lián)電宣布推出14奈米eHV FinFET平臺(tái) 助力新一代智能型手機(jī)顯示技術(shù)創(chuàng)新
- 聯(lián)華電子今(14)日宣布推出用于顯示驅(qū)動(dòng)IC的14奈米嵌入式高壓(eHV) FinFET技術(shù)平臺(tái)，并可提供制程設(shè)計(jì)套件(Process Design Kit, PDK)供客戶(hù)進(jìn)行設(shè)計(jì)導(dǎo)入。此全新制程已于聯(lián)電12A廠(chǎng)完成驗(yàn)證，可提升電源效率與效能，同時(shí)縮小芯片尺寸，助力新一代顯示技術(shù)的發(fā)展。相較于聯(lián)電目前量產(chǎn)中最先進(jìn)的22奈米制程eHV解決方案，14奈米eHV FinFET平臺(tái)可降低40%的功耗與縮小35%的芯片面積，進(jìn)一步延長(zhǎng)電池續(xù)航力，并支援更小型、輕薄的驅(qū)動(dòng)模塊設(shè)計(jì)，以提供高階與摺疊式OLED智能型手
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國(guó)產(chǎn)晶圓最大并購(gòu)案：中芯國(guó)際406億交易的“產(chǎn)線(xiàn)經(jīng)濟(jì)學(xué)”
- 當(dāng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的目光聚焦于臺(tái)積電2nm尖端制程軍備競(jìng)賽時(shí)，另一條賽道上的格局也在悄然重塑。5月11日，上海證券交易所并購(gòu)重組審核委員會(huì)2026年第5次審議會(huì)議正式通過(guò)中芯國(guó)際發(fā)行股份購(gòu)買(mǎi)資產(chǎn)暨關(guān)聯(lián)交易事項(xiàng)，一宗對(duì)價(jià)高達(dá)406.01億元的巨額并購(gòu)重組委會(huì)議通過(guò)。此次交易的核心標(biāo)的是中芯國(guó)際控股子公司 —— 中芯北方集成電路制造（北京）有限公司剩余49%的股權(quán)，交易完成后，中芯國(guó)際對(duì)中芯北方的持股比例將從51%升至100%，實(shí)現(xiàn)全資控股。這不僅是科創(chuàng)板開(kāi)板以來(lái)規(guī)模最大的重組交易，更標(biāo)志著中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從“分
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聯(lián)電22納米領(lǐng)軍動(dòng)能續(xù)旺 組隊(duì)Intel拼美國(guó)制造
- 成熟制程景氣回暖訊號(hào)浮現(xiàn)，聯(lián)電首季每股稅后純益（EPS）1.29元，創(chuàng)近10季新高。 執(zhí)行長(zhǎng)王石表示，市場(chǎng)需求動(dòng)能可望延續(xù)至下半年，22奈米邏輯與特殊制程仍為主要成長(zhǎng)引擎; 先進(jìn)封裝方面，已與逾10家客戶(hù)合作，2026年預(yù)計(jì)有逾35個(gè)新設(shè)計(jì)定案，后續(xù)貢獻(xiàn)可望逐步發(fā)酵。聯(lián)電29日舉行法說(shuō)會(huì)，王石表示，展望至年底，預(yù)期將有超過(guò)50家客戶(hù)完成22納米平臺(tái)設(shè)計(jì)定案，聯(lián)電也將持續(xù)投入下世代技術(shù)研發(fā)，并持續(xù)推進(jìn)與Intel合作的12納米制程平臺(tái)，提供美國(guó)在地制造選項(xiàng)。公司董事會(huì)亦決議實(shí)施庫(kù)藏股，將于30日起至6月29
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傳聯(lián)電代工2D NAND有「三大關(guān)卡」 缺人、缺技術(shù)、缺設(shè)備
- 國(guó)際存儲(chǔ)器原廠(chǎng)退出2D NAND閃存將成定局，受到供貨稀缺已推升低容量2D NAND價(jià)格快速飆升，近期市場(chǎng)傳出，聯(lián)電可能接獲SLC、MLC Flash的代工訂單，或?qū)⒋蚱莆磥?lái)2D NAND寡占供貨的局面。不過(guò)相關(guān)業(yè)者向DIGITIMES透露，過(guò)去數(shù)個(gè)月來(lái)，確實(shí)曾與聯(lián)電討論閃存的代工機(jī)會(huì)，但人力、制程整合與開(kāi)發(fā)能力以及設(shè)備等三大關(guān)鍵因素欠缺，成為最重要的卡關(guān)限制。據(jù)供應(yīng)鏈人士指出，NAND Flash價(jià)格從2026年以來(lái)漲勢(shì)兇猛，漲幅甚至已超過(guò)DRAM，但相比于MLC NAND或SLC NAND的供貨缺口更
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無(wú)關(guān)并購(gòu)聯(lián)電 GlobalFoundries執(zhí)行長(zhǎng)低調(diào)去島內(nèi)所為何來(lái)？
- 2025年升任格羅方德（GlobalFoundries）執(zhí)行長(zhǎng)的Tim Breen，傳出本周率高層團(tuán)隊(duì)來(lái)島內(nèi)展開(kāi)5天行程，密集拜訪(fǎng)新竹、高雄供應(yīng)鏈，規(guī)模為歷年之最，市場(chǎng)矚目是否與先前傳出的「購(gòu)并聯(lián)電」消息有關(guān)。然而，據(jù)半導(dǎo)體業(yè)者透露，Breen此行與購(gòu)并聯(lián)電傳言「無(wú)關(guān)」，主要是與多家IC設(shè)計(jì)客戶(hù)洽談擴(kuò)大投片，也與設(shè)備材料供應(yīng)商會(huì)面，周五也將南下高雄，與封測(cè)代工（OSAT）廠(chǎng)等伙伴洽談，此行涵蓋先進(jìn)封裝、FOPLP與硅光子等應(yīng)用。美國(guó)本土制造晶圓廠(chǎng)成為全球IC設(shè)計(jì)業(yè)者重要選項(xiàng)美中沖突與供應(yīng)鏈地緣政治議題升溫
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聯(lián)電推出55納米BCD平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)節(jié)能設(shè)計(jì)
- 聯(lián)合微電子公司 （UMC） 推出了一種新的 55 納米 BCD 平臺(tái)，也稱(chēng)為 55 納米 BCD 技術(shù)，旨在為下一代移動(dòng)、消費(fèi)、汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備提供更高的性能和能效。該代工廠(chǎng)的最新工藝節(jié)點(diǎn)可幫助設(shè)計(jì)人員管理日益復(fù)雜的電源管理，同時(shí)減少芯片面積并提高噪聲性能。此次發(fā)布凸顯了聯(lián)華電子對(duì)先進(jìn)專(zhuān)業(yè)技術(shù)的推動(dòng)，這些技術(shù)可能會(huì)直接影響廣泛電子市場(chǎng)的功率 IC 設(shè)計(jì)、混合信號(hào)集成和系統(tǒng)效率。擴(kuò)展電源管理工具箱BCD 技術(shù)使模擬、數(shù)字和電源電路能夠共存在單個(gè)芯片上，這是電源管理和混合信號(hào) IC
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英特爾的轉(zhuǎn)向：為什么在傳統(tǒng)節(jié)點(diǎn)大戰(zhàn)中押注聯(lián)電而不是臺(tái)積電
- 令人驚訝的是，英特爾與臺(tái)灣聯(lián)電合作開(kāi)發(fā)了12nm工藝平臺(tái)——避開(kāi)臺(tái)積電，同時(shí)利用中國(guó)臺(tái)灣獨(dú)特的能力：在不侵犯專(zhuān)利的情況下對(duì)臺(tái)積電兼容工藝進(jìn)行逆向工程。隨著中國(guó)向市場(chǎng)充斥著成熟節(jié)點(diǎn)的芯片，而英特爾則努力填補(bǔ)未充分利用的晶圓廠(chǎng)，這種伙伴關(guān)系提供了共同的生存——也許還有更多。“雖然大多數(shù)人將中國(guó)臺(tái)灣的半導(dǎo)體主導(dǎo)地位與臺(tái)積電聯(lián)系在一起，但兩位資深學(xué)者認(rèn)為聯(lián)電的故事可能更為關(guān)鍵?！边@是前工研院院長(zhǎng)、臺(tái)大名譽(yù)教授史欽泰，以及前經(jīng)建會(huì)部長(zhǎng)、臺(tái)大經(jīng)濟(jì)學(xué)名譽(yù)教授陳添枝提出的大膽論點(diǎn)。他們的新書(shū)《從邊緣到創(chuàng)新：中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體
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日經(jīng)：聯(lián)電力拚先進(jìn)制程瞄準(zhǔn)6納米
- 「日經(jīng)亞洲」（Nikkei Asia）獲悉，臺(tái)灣第2大晶圓代工業(yè)者聯(lián)電（UMC）正評(píng)估進(jìn)軍先進(jìn)制程生產(chǎn)的可行性，這個(gè)領(lǐng)域目前主要由臺(tái)積電、三星和英特爾主導(dǎo)。4名人士透露，聯(lián)電正探索未來(lái)的成長(zhǎng)動(dòng)能，可能包括6納米制程芯片生產(chǎn)。 6納米工藝適用于制造用于Wi-Fi、射頻（RF）和藍(lán)牙的先進(jìn)連接芯片、應(yīng)用于多種場(chǎng)景的人工智能（AI）加速器，以及用于電視和汽車(chē)的核心處理器。多個(gè)消息來(lái)源透露，聯(lián)電也在探索合作選項(xiàng)，例如擴(kuò)大與美國(guó)芯片制造商英特爾（Intel）在12納米制程生產(chǎn)的合作。 雙方定于2027年之前在美國(guó)亞
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聯(lián)電赴美合并格羅方德？英特爾也許是更好的選擇
- 據(jù)日媒稍早報(bào)導(dǎo)，作為中國(guó)臺(tái)灣晶圓代工第二名的聯(lián)電，正與美國(guó)半導(dǎo)體巨頭、全球第5大晶圓代工廠(chǎng)格羅方德（GlobalFoundries），探索合并的可能性。 聯(lián)電雖予以否認(rèn)，表示沒(méi)有合并案在進(jìn)行中，但業(yè)界認(rèn)為，如果聯(lián)電能與英特爾合并，不但互補(bǔ)性較高，也較有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。日經(jīng)亞洲報(bào)導(dǎo)指出，格羅方德疑似與聯(lián)電洽談合并可能性，一旦成功，產(chǎn)能將橫跨亞洲、美國(guó)與歐洲，有望成為全球第2大晶圓代工業(yè)者，僅次于臺(tái)積電。 消息人士甚至表示，格羅方德已與美國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣政府官員接觸，2家芯片制造商于2年前曾討論過(guò)結(jié)盟方案，但并未達(dá)成
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聯(lián)電被逼赴美設(shè)廠(chǎng)？業(yè)界曝最慘結(jié)果：恐10年賠不完
- 繼臺(tái)積電赴美設(shè)廠(chǎng)后，聯(lián)電也傳出被要求前往美國(guó)投資，根據(jù)鏡周刊報(bào)導(dǎo)，美國(guó)代表拜訪(fǎng)聯(lián)電，且聯(lián)電沒(méi)拒絕的本錢(qián)，分析師直指聯(lián)電前景隱憂(yōu)。同業(yè)擔(dān)憂(yōu)若聯(lián)電沒(méi)有足夠訂單，就算赴美10年也賠不完。報(bào)導(dǎo)指出，聯(lián)電除了得面對(duì)中國(guó)大陸成熟制程的殺價(jià)壓力，還傳出美國(guó)代表拜訪(fǎng)聯(lián)電董座洪嘉聰，要求聯(lián)電赴美設(shè)廠(chǎng)，討論聯(lián)電未來(lái)的發(fā)展策略，證實(shí)了此項(xiàng)傳言；聯(lián)電則強(qiáng)調(diào)，「來(lái)訪(fǎng)是一般性產(chǎn)業(yè)拜訪(fǎng)及交流」。報(bào)導(dǎo)引述分析師說(shuō)法指出，聯(lián)電迄今并沒(méi)有在美國(guó)經(jīng)營(yíng)晶圓廠(chǎng)的經(jīng)驗(yàn)，聯(lián)電在成熟制程芯片價(jià)格和毛利率，都比臺(tái)積電低，加上口袋不深，美國(guó)制造成本更是遠(yuǎn)高
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DUV曝光機(jī)光阻劑力拼島內(nèi)自給 核心材料明年供臺(tái)積電、聯(lián)電
- 中國(guó)臺(tái)灣自研重點(diǎn)放在半導(dǎo)體關(guān)鍵材料自主化，9家廠(chǎng)商年底將進(jìn)行終端產(chǎn)線(xiàn)驗(yàn)證。 最快明年深紫外光（DUV）曝光機(jī)的光阻劑核心材料，可打入臺(tái)積電、聯(lián)電等代工大廠(chǎng)產(chǎn)線(xiàn)中。微影制程是在晶圓上制作電路圖案，隨著精細(xì)度有DUV、EUV（極紫外光）差別。 光阻劑是一種光敏感材料，由樹(shù)脂、光敏感劑、溶劑和添加劑等組成，乃微影不可或缺重要材料。 至于曝光機(jī)的光罩部份，島內(nèi)像是家登都有生產(chǎn)，比例已不低。但過(guò)去晶圓代工制程曾發(fā)生過(guò)光阻劑大缺貨，為了把關(guān)鍵材料掌握在自己手中，島內(nèi)推動(dòng)兩期半導(dǎo)體先進(jìn)制程與封裝材料研發(fā)。 第一期202
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聯(lián)電新加坡Fab 12i P3新廠(chǎng)首批設(shè)備到廠(chǎng)
- 據(jù)聯(lián)電（UMC）官網(wǎng)消息，5月21日，聯(lián)電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴(kuò)建新廠(chǎng)的上機(jī)典禮，首批設(shè)備到廠(chǎng)，象征公司擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃建立新廠(chǎng)的重要里程碑。據(jù)悉，聯(lián)電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓代工廠(chǎng)之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和車(chē)用電子等領(lǐng)域需求，總投資金額為50億美元。據(jù)了解，聯(lián)電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠(chǎng)的擴(kuò)建計(jì)劃。當(dāng)時(shí)消息稱(chēng)，新廠(chǎng)第一期月產(chǎn)能規(guī)劃30,000片晶圓，2024年底開(kāi)始量產(chǎn)，后又在2022年底稱(chēng)，在過(guò)程中因缺工缺料及
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項(xiàng)國(guó)際專(zhuān)利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線(xiàn)調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對(duì)頻段數(shù)量需求的不斷增長(zhǎng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對(duì)晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶(hù)采用，預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)
- 近日，晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì)，公布2024年第一季財(cái)報(bào)，合并營(yíng)收546.3億元新臺(tái)幣，較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長(zhǎng)0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺(tái)幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(zhǎng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營(yíng)運(yùn)效率提升，仍維持相對(duì)穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營(yíng)收
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劍指 12nm，英特爾與聯(lián)電結(jié)盟的五大利好
- 1 月 25 日，處理器大廠(chǎng)英特爾與晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)華電子公司聯(lián)合宣布，他們將合作開(kāi)發(fā) 12nm 半導(dǎo)體工藝平臺(tái)，以滿(mǎn)足移動(dòng)、通信基礎(chǔ)設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)等高增長(zhǎng)市場(chǎng)的需求。據(jù) TrendForce 集邦咨詢(xún)研究顯示，2023 年 Q3 全球晶圓代工前十排名再度刷新，英特爾躋身第九，聯(lián)電排名第四。在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)不斷擴(kuò)大和競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下，英特爾和聯(lián)電的抱團(tuán)不僅標(biāo)志著兩家想要在技術(shù)研發(fā)上取得突破，也預(yù)示了未來(lái)晶圓代工格局可能產(chǎn)生變化。此次英特爾和聯(lián)電的聯(lián)手，分別可以給雙方帶來(lái)哪些好處？在此之前，先了解一下本次合作
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聯(lián)電介紹
臺(tái)灣聯(lián)電集團(tuán)總部設(shè)在臺(tái)灣,集團(tuán)旗下有5家晶圓代工廠(chǎng),包括聯(lián)電、聯(lián)誠(chéng)、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉以及最新投資的合泰半導(dǎo)體,是全球半導(dǎo)體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門(mén)子. 根據(jù)"經(jīng)濟(jì)部中央標(biāo)準(zhǔn)局"公布的近5年島內(nèi)百大"專(zhuān)利大戶(hù)"名單,以申請(qǐng)件數(shù)排名, 聯(lián)電第一、工研院第二、臺(tái)積電第三;就取得美國(guó)專(zhuān)利件數(shù)而言,1993年至1997年所累積的件數(shù),聯(lián)電是臺(tái)積電的兩倍、工研院的3倍. [ 查看詳細(xì) ]
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