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imec旗下IC-Link正式加入臺(tái)積電開放創(chuàng)新平臺(tái)
- 由比利時(shí)微電子研究中心（imec）打造、專注專用集成電路與硅光芯片設(shè)計(jì)制造服務(wù)的IC-Link，現(xiàn)已正式加入臺(tái)積電開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）旗下3D Fabric 三維架構(gòu)聯(lián)盟。依托臺(tái)積電開放創(chuàng)新平臺(tái)生態(tài)，3D Fabric 聯(lián)盟旨在推動(dòng)三維集成電路技術(shù)創(chuàng)新、完成技術(shù)落地籌備，并助力客戶規(guī)?；瘧?yīng)用臺(tái)積電全套三維硅堆疊與先進(jìn)封裝技術(shù)體系，涵蓋SoIC 系統(tǒng)級(jí)三維堆疊、CoWoS 晶圓級(jí)封裝、InFO 集成扇出封裝以及 SoW 整片晶圓集成等主流方案。此次合作落地后，IC-Link 將進(jìn)一步補(bǔ)強(qiáng)自身高端芯片集成能
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比利時(shí)微電子研究中心（Imec）牽頭 SPINS 聯(lián)盟打造量子芯片中試線
- SPINS（工業(yè)級(jí)量子納米系統(tǒng)半導(dǎo)體中試線）正式啟動(dòng)，該項(xiàng)目是由 Imec 協(xié)調(diào)的六大歐洲量子中試線之一。該聯(lián)盟匯聚了25 家歐洲技術(shù)研究組織、產(chǎn)業(yè)合作伙伴與學(xué)術(shù)研究團(tuán)隊(duì)，共同參與總投資5000 萬(wàn)歐元的 SPINS 中試線項(xiàng)目。項(xiàng)目由歐盟 “芯片共同事業(yè)計(jì)劃”（Chips JU）及參與成員國(guó)的國(guó)家與地區(qū)主管部門聯(lián)合資助。量子計(jì)算已成為極具戰(zhàn)略意義的領(lǐng)域，其經(jīng)濟(jì)與社會(huì)價(jià)值正急劇提升。相關(guān)應(yīng)用覆蓋藥物研發(fā)、材料科學(xué)的突破性進(jìn)展，乃至超安全通信與下一代導(dǎo)航系統(tǒng)等眾多方向。然而，當(dāng)前量子研究與可規(guī)?；圃?、能支
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超越摩爾定律：高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術(shù)重塑先進(jìn)芯片制造
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec）在其位于魯汶的 300 毫米超凈間內(nèi)，完成了阿斯麥（ASML）EXE:5200 高數(shù)值孔徑（High NA）極紫外（EUV）光刻系統(tǒng)的裝機(jī)調(diào)試，這是半導(dǎo)體制造與研發(fā)領(lǐng)域的一項(xiàng)里程碑式突破。該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了前所未有的光刻分辨率與工藝控制能力，為 2 納米以下邏輯芯片技術(shù)和下一代存儲(chǔ)器架構(gòu)的研發(fā)奠定了基礎(chǔ)。這套高數(shù)值孔徑極紫外光刻平臺(tái)與頂尖的計(jì)量、圖形刻制設(shè)備及材料體系深度融合，有望大幅縮短技術(shù)研發(fā)周期，滿足人工智能和高性能計(jì)算應(yīng)用對(duì)芯片制程微縮的需求。高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術(shù)將傳
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Imec 獲得全球最先進(jìn)的光刻設(shè)備ASML EXE:5200
- Imec 已接收阿斯麥（ASML）EXE:5200 高數(shù)值孔徑極紫外光刻系統(tǒng)，這是目前全球最先進(jìn)的光刻設(shè)備。該設(shè)備將讓Imec的合作伙伴提前接觸到下一代芯片微縮技術(shù)。這套高數(shù)值孔徑極紫外光刻系統(tǒng)與一整套完整的圖形化、量檢測(cè)設(shè)備及材料直接集成，將助力 Imec 及其生態(tài)伙伴解鎖所需性能，率先開發(fā)2 納米以下邏輯芯片與高密度存儲(chǔ)技術(shù)，為先進(jìn)人工智能與高性能計(jì)算的發(fā)展提供動(dòng)力?！斑^(guò)去兩年是高數(shù)值孔徑（0.55NA）極紫外光刻技術(shù)發(fā)展的重要篇章，Imec 與 ASML 攜手產(chǎn)業(yè)生態(tài)，在荷蘭費(fèi)爾德霍芬的聯(lián)合高 NA
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IMEC面向2 納米以下芯粒封裝的工藝設(shè)計(jì)套件
- 比利時(shí)微電子研究中心（Imec）的納米集成電路（NanoIC）中試線推出兩款面向 2 納米以下制程的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）：一款是細(xì)間距重布線層工藝設(shè)計(jì)套件，另一款是芯粒對(duì)晶圓混合鍵合工藝設(shè)計(jì)套件。這兩款搶先體驗(yàn)版工藝設(shè)計(jì)套件，讓高校、初創(chuàng)企業(yè)和行業(yè)創(chuàng)新者也能掌握先進(jìn)的封裝技術(shù)能力。先進(jìn)封裝技術(shù)能實(shí)現(xiàn)芯粒的高密度互連，為下一代高性能計(jì)算、人工智能加速器以及數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用筑牢技術(shù)根基。細(xì)間距重布線層工藝設(shè)計(jì)套件創(chuàng)新采用聚合物基襯底，打造出實(shí)現(xiàn)芯片間高密度互連的全新方案。傳統(tǒng)聚合物基襯底無(wú)法支持極精細(xì)線路的制
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IMEC研發(fā)新型曝光后烘烤工藝，提速EUV設(shè)備并提升先進(jìn)芯片產(chǎn)能
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec）證實(shí)，在極紫外光刻（EUV）的曝光后烘烤（PEB）環(huán)節(jié)，將氧濃度提升至大氣水平以上，可顯著提高金屬氧化物光刻膠（MOR）的感光速度。感光速度加快意味著光刻膠能以更低的 EUV 曝光劑量達(dá)到目標(biāo)圖形尺寸，這將直接提升 EUV 光刻機(jī)的產(chǎn)能，并降低曝光工序成本。此前，行業(yè)并未將曝光后烘烤腔室的氣體成分作為 EUV 光刻的重要優(yōu)化方向，因此該研究成果具有重要意義，但其產(chǎn)業(yè)化前景仍有待觀察。imec 的科研人員發(fā)現(xiàn)，在 EUV 曝光后烘烤環(huán)節(jié)，將氧濃度從空氣環(huán)境中的 21% 提升至
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氣體控制技術(shù)提升極紫外光刻（EUV）晶圓產(chǎn)能
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec）證實(shí)，在極紫外光刻（EUV）曝光后的關(guān)鍵步驟中，對(duì)氣體成分進(jìn)行精準(zhǔn)控制，可最大限度降低所需曝光劑量，進(jìn)而顯著提升晶圓產(chǎn)能。具體而言，當(dāng)極紫外光刻曝光后烘烤（post-exposure bake）步驟在高氧濃度環(huán)境下進(jìn)行時(shí)，金屬氧化物光刻膠（MORs）的劑量響應(yīng)性能得到了顯著改善。金屬氧化物光刻膠的技術(shù)優(yōu)勢(shì)金屬氧化物光刻膠（MORs）已成為先進(jìn)極紫外光刻應(yīng)用的核心候選材料，相較于化學(xué)放大光刻膠（CARs），它具備更高的分辨率、更低的線邊緣粗糙度，以及更優(yōu)異的 “劑量 - 尺寸
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終極的3D集成將造就未來(lái)的顯卡
- 深入了解AMD或英偉達(dá)最先進(jìn)的AI產(chǎn)品包裝，你會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)熟悉的布局：GPU兩側(cè)被高帶寬內(nèi)存（HBM）覆蓋，這是市面上最先進(jìn)的內(nèi)存芯片。這些內(nèi)存芯片盡可能靠近它們所服務(wù)的計(jì)算芯片，以減少人工智能計(jì)算中最大的瓶頸——將數(shù)十億比特每秒從內(nèi)存轉(zhuǎn)化為邏輯時(shí)的能量和延遲。但如果你能通過(guò)將 HBM 疊加在 GPU 上，讓計(jì)算和內(nèi)存更加緊密結(jié)合呢？Imec最近利用先進(jìn)的熱仿真探討了這一情景，答案在2025年12月的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上給出，頗為嚴(yán)峻。3D疊加會(huì)使GPU內(nèi)部的工作溫度翻倍，使其無(wú)法使用。但
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IMEC 在 UWB 上
- 自2000年代初以來(lái)，超寬路技術(shù)逐漸進(jìn)入需要安全且精細(xì)測(cè)距能力的各種商業(yè)應(yīng)用。著名的例子包括汽車和建筑的免提進(jìn)入解決方案、倉(cāng)庫(kù)、醫(yī)院和工廠中的資產(chǎn)定位，以及機(jī)場(chǎng)和購(gòu)物中心等大型空間的導(dǎo)航支持。UWB無(wú)線信號(hào)傳輸?shù)囊粋€(gè)特征是在時(shí)域內(nèi)發(fā)射非常短的脈沖。在脈沖-無(wú)線電（IR）超寬波技術(shù)中，這種速度被推向極致，發(fā)射納秒甚至皮秒級(jí)的脈沖。因此，在頻域中，它占用的帶寬遠(yuǎn)大于無(wú)線“窄帶”通信技術(shù)，如Wi-Fi和藍(lán)牙。UWB技術(shù)覆蓋廣泛的頻率范圍（通常范圍為6GHz到10GHz），信道帶寬約為500MHz及以上。因此，它
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Imec 2026年的優(yōu)先事項(xiàng)與策略
- 首席執(zhí)行官Van den hove表示：“人工智能滲透到社會(huì)幾乎方方面面的速度簡(jiǎn)直令人震驚，”他補(bǔ)充說(shuō)，人工智能遠(yuǎn)比晶體管縮放更不可預(yù)測(cè)?！白屛覀円源笮驼Z(yǔ)言模型（LLMs）為例，”他補(bǔ)充道?！半m然它們?nèi)杂锌赡茉谕苿?dòng)未來(lái)人工智能突破中發(fā)揮作用，但存在一個(gè)重大局限：它們并不是真正學(xué)習(xí)的——它們是經(jīng)過(guò)訓(xùn)練的。我相信下一代人工智能——智能人工智能、物理人工智能等——將由強(qiáng)化學(xué)習(xí)、持續(xù)學(xué)習(xí)和自體學(xué)習(xí)等機(jī)器學(xué)習(xí)方法驅(qū)動(dòng)?！斑@些學(xué)習(xí)方法將使人工智能系統(tǒng)能夠構(gòu)建內(nèi)部世界模型——而非依賴預(yù)訓(xùn)練的語(yǔ)言模型——并能夠適應(yīng)新情境
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imec與日本ASRA戰(zhàn)略合作旨在協(xié)調(diào)汽車芯片組架構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)化
- 今天，作為納米電子學(xué)和數(shù)字技術(shù)領(lǐng)域的世界領(lǐng)先的研究與創(chuàng)新中心，IMEC宣布與日本先進(jìn)汽車SoC研究（ASRA）合作，旨在協(xié)調(diào)汽車應(yīng)用芯片組架構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)化。Imec和ASRA已同意共同探索和推廣共享架構(gòu)規(guī)范，這讓合作伙伴相信他們開發(fā)的技術(shù)將具有可擴(kuò)展性、互作性和廣泛應(yīng)用性。作為首個(gè)里程碑，該倡議旨在于2026年中發(fā)布聯(lián)合公開規(guī)范文件——整合共享元素。芯片組技術(shù)將徹底革新汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)。它不再依賴僵化、單一的芯片架構(gòu)，而是利用模塊化構(gòu)建模塊，打造更強(qiáng)大、高效且靈活的系統(tǒng)，同時(shí)降低成本和開發(fā)時(shí)間。汽車行業(yè)顯然認(rèn)識(shí)到
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Imec推進(jìn)300毫米量子點(diǎn)型單紅外積分技術(shù)
- Imec展示了一種通過(guò)將膠體量子點(diǎn)光電二極管（QDPD）集成到300毫米CMOS晶圓上的超表面上，構(gòu)建緊湊型多光短波紅外（SWIR）傳感器的新方法。在2025年IEDM Conference上公布的成果表明，這將成為一個(gè)具有成本效益且高分辨率的SWIR成像平臺(tái)，有望顯著擴(kuò)展商業(yè)部署。這項(xiàng)工作值得關(guān)注的是，它使SWIR感應(yīng)更接近主流CMOS制造，為安全、汽車、工業(yè)檢測(cè)和智能農(nóng)業(yè)等新產(chǎn)品開辟了新機(jī)遇。為什么SWIR需要不同的方法短波紅外成像可以揭示可見光譜中看不見的材料差異和特征，使得從透視塑料和織物到改善霧
- 關(guān)鍵字： Imec 300毫米 量子點(diǎn) 單紅外積分技術(shù)
IPERLITE任務(wù)上的IMEC高光譜傳感器
- IPERLITE任務(wù)是一次在軌演示（IOD）飛行，旨在從510公里軌道展示下一代高光譜成像技術(shù)。IPERLITE任務(wù)的核心是由imec開發(fā)的高光譜傳感器，這是經(jīng)過(guò)多年ESA支持的研發(fā)成果，涉及多個(gè)比利時(shí)合作伙伴，并在早期CHIEM和CSIMBA項(xiàng)目基礎(chǔ)上進(jìn)一步發(fā)展。IPERLITE并非作為實(shí)際運(yùn)行衛(wèi)星，而是作為試驗(yàn)平臺(tái)——訪問(wèn)農(nóng)業(yè)遺址并收集光譜數(shù)據(jù)，以評(píng)估其創(chuàng)新有效載荷在真實(shí)軌道條件下的性能。IPERLITE為日益增長(zhǎng)的緊湊型高光譜任務(wù)做出貢獻(xiàn)，這些任務(wù)旨在普及光譜數(shù)據(jù)的獲取，補(bǔ)充CHIME和SBG等大型
- 關(guān)鍵字： IPERLITE IOD CMOS 探測(cè)器 imec
實(shí)現(xiàn)高密度正面和背面晶圓連接的途徑
- 晶圓到晶圓混合鍵合和背面技術(shù)的進(jìn)步將CMOS 2.0從概念變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，為計(jì)算系統(tǒng)擴(kuò)展提供了更多選擇。在VLSI 2025 上，imec 研究人員展示了將晶圓間混合鍵合路線圖擴(kuò)展到250 nm 互連間距的可行性。他們還通過(guò)制造120 nm 間距的極小的貫穿介電通孔，在晶圓背面顯示出高度致密的連接。在晶圓兩側(cè)建立如此高密度連接的能力為開發(fā)基于CMOS 2.0 的計(jì)算系統(tǒng)架構(gòu)提供了一個(gè)里程碑，該架構(gòu)依賴于片上系統(tǒng)內(nèi)功能層的堆疊?；贑MOS 2.0 的系統(tǒng)還將利用包括供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）在內(nèi)的后端互連，其優(yōu)勢(shì)可
- 關(guān)鍵字： 202510 晶圓連接 VLSI 2025 imec
Imec 開設(shè)海爾布隆中心
- imec 首席執(zhí)行官 Luc Van den hove（如圖）、巴登-符騰堡州部長(zhǎng)兼總統(tǒng) Winfried Kretschmann 和經(jīng)濟(jì)事務(wù)、勞工和旅游部長(zhǎng) Nicole Hoffmeister-Kraut 博士在海爾布隆的 IPAI 園區(qū)正式為 imec 的新辦公室揭幕。海爾布隆中心致力于與德國(guó)工業(yè)和研究合作伙伴密切合作，推動(dòng)汽車行業(yè)向基于小芯片的架構(gòu)過(guò)渡。它說(shuō)明了當(dāng)?shù)赜绊懞蛧?guó)際相關(guān)性如何齊頭并進(jìn)。在落成典禮的同時(shí)，IPAI 園區(qū)還將舉辦本周的汽車小芯片論壇，來(lái)自汽車價(jià)值鏈中數(shù)十家公司的 100 多名
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imec介紹
IMEC,全稱為Interuniversity Microelectronics Centre, 微電子研究中心.
IMEC成立于1984年，目前是歐洲領(lǐng)先的獨(dú)立研究中心，研究方向主要集中在微電子，納米技術(shù)，輔助設(shè)計(jì)方法，以及信息通訊系統(tǒng)技術(shù)（ICT）. IMEC 致力于集成信息通訊系統(tǒng)設(shè)計(jì)；硅加工工藝；硅制程技術(shù)和元件整合；納米技術(shù)，微系統(tǒng)，元件及封裝；太陽(yáng)能電池；以及微電子領(lǐng)域的高級(jí)培訓(xùn) [ 查看詳細(xì) ]
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