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俄羅斯押注130納米芯片：本土光刻技術(shù)能否彌補(bǔ)技術(shù)鴻溝？
- 在制裁壓力下，俄羅斯正加緊推進(jìn)，力爭(zhēng)在今年年底前掌握本土 130 納米芯片光刻技術(shù)，這是其重建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵一步。這一舉措也凸顯出，成熟制程節(jié)點(diǎn)仍能為關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施、國(guó)防和工業(yè)系統(tǒng)提供算力支撐，同時(shí)為未來(lái)的技術(shù)自主奠定基礎(chǔ)。俄羅斯第一副總理丹尼斯?曼圖羅夫在一場(chǎng)地區(qū)工作報(bào)告與規(guī)劃論壇的全體會(huì)議上宣布，俄羅斯定下了一項(xiàng)宏大的技術(shù)目標(biāo)：到今年年底，掌握可量產(chǎn) 130 納米制程微芯片的本土光刻系統(tǒng)。他著重強(qiáng)調(diào)了該計(jì)劃的政治意義，并表示掌握這項(xiàng)技術(shù)不僅是工業(yè)發(fā)展目標(biāo)，更是戰(zhàn)略剛需 —— 俄羅斯正持續(xù)發(fā)力鞏固微電子
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ASML報(bào)告2025年銷(xiāo)售額為327億歐元
- ASML Holding NV 交出 2025 年創(chuàng)紀(jì)錄財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)，印證了先進(jìn)光刻設(shè)備需求的持續(xù)旺盛，以及市場(chǎng)對(duì)人工智能驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體領(lǐng)域投資信心的不斷提升。這家荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備巨頭公布，2025 年全年凈營(yíng)收達(dá) 327 億歐元，凈利潤(rùn)為 96 億歐元。對(duì)于讀者而言，這份業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)具有重要參考意義 —— 不僅因?yàn)?ASML 處于全球芯片制造生態(tài)的核心位置，更因其發(fā)展前景往往是歐洲及全球各地半導(dǎo)體行業(yè)資本支出、極紫外光刻（EUV）技術(shù)普及進(jìn)度與技術(shù)路線(xiàn)圖的領(lǐng)先指標(biāo)。極紫外光刻業(yè)務(wù)增長(zhǎng)，推動(dòng)全年業(yè)績(jī)創(chuàng)紀(jì)錄ASML20
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據(jù)中國(guó)中小企業(yè)在國(guó)內(nèi)推動(dòng)下贏得1.1億元人民幣光刻工具合同
- 中國(guó)正在加大對(duì)光刻設(shè)備的投資，轉(zhuǎn)向本土工具，以尋求在美國(guó)出口限制下的更大技術(shù)獨(dú)立性。據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》援引京畿21日?qǐng)?bào)道，中國(guó)科技部于25日宣布將投資約1.1億元人民幣，授予由國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造商SMEE（上海微電子設(shè)備）生產(chǎn)的步掃描光刻系統(tǒng)合同。報(bào)告援引業(yè)內(nèi)消息稱(chēng)，SMEE隸屬于上海電集團(tuán)，被視為中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的核心企業(yè)，尤其是在先進(jìn)光刻工具的研發(fā)制造領(lǐng)域。今年五月，SMEE聲稱(chēng)其90nm ArF光刻系統(tǒng)已進(jìn)入量產(chǎn)階段。獲獎(jiǎng)石版印刷工具的潛在細(xì)節(jié)據(jù)21京記所述，該產(chǎn)品型號(hào)為SSC800/10，“SSC”是首次
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日本開(kāi)發(fā)10納米印記技術(shù)，有望解決極紫外（EUV）瓶頸問(wèn)題
- 日本大日本印刷公司（DNP）最近宣布成功開(kāi)發(fā)出納米印刻光刻（NIL）技術(shù)，其電路線(xiàn)寬可達(dá)10納米。該技術(shù)旨在實(shí)現(xiàn)1.4nm級(jí)邏輯半導(dǎo)體電路的圖案化。客戶(hù)評(píng)估已經(jīng)開(kāi)始，目標(biāo)于2027年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。公司預(yù)計(jì)該技術(shù)將繼續(xù)支持智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心、NAND閃存及其他應(yīng)用中先進(jìn)邏輯芯片的微型化。DNP計(jì)劃在即將于東京大視野舉辦的2025年日本SEMICON展上展示10nm線(xiàn)寬NIL技術(shù)。隨著終端器件性能的持續(xù)提升，對(duì)更先進(jìn)邏輯半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)的需求穩(wěn)步上升，推動(dòng)了極紫外（EUV）光刻技術(shù)的技術(shù)進(jìn)步。然而，極紫外核技術(shù)需
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美國(guó)智庫(kù)指出DUVi存在漏洞，中國(guó)正推動(dòng)利用多模式技術(shù)開(kāi)發(fā)先進(jìn)芯片
- 據(jù)報(bào)道，中國(guó)通過(guò)逆向工程舊ASML工具制造出極紫外光刻原型，引起了業(yè)界關(guān)注。然而，更大的擔(dān)憂(yōu)可能不在于技術(shù)追趕，而在于現(xiàn)有出口管制中可能存在的漏洞。根據(jù)新美國(guó)安全中心的一份報(bào)告，更大的風(fēng)險(xiǎn)源于中國(guó)持續(xù)使用舊式光刻設(shè)備——這些工具仍可用于大規(guī)模制造先進(jìn)人工智能芯片——通過(guò)利用這些空白，使得上一代設(shè)備能夠在有限監(jiān)管下獲得。盡管有出口管制，為什么DUVi依然重要正如報(bào)告指出的，中國(guó)芯片制造商已經(jīng)找到方法推動(dòng)老舊設(shè)備——不屬于當(dāng)前限制的深紫外浸沒(méi)（DUVi）光刻工具——采用多模式化技術(shù)，生產(chǎn)出據(jù)稱(chēng)性能更接近前沿的
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據(jù)報(bào)道，中國(guó)利用較舊的ASML組件制造EUV原型機(jī)，Eyes 2028芯片制造
- 中國(guó)朝向國(guó)產(chǎn)紫外真空光刻能力的漫長(zhǎng)進(jìn)程似乎正在縮小，近期發(fā)展顯示進(jìn)展速度超乎預(yù)期。據(jù)路透社報(bào)道，消息人士稱(chēng)中國(guó)已組裝了一臺(tái)使用舊ASML系統(tǒng)組件的EUV原型機(jī)。正如報(bào)道所示，消息人士稱(chēng)中國(guó)政府目標(biāo)是在2028年前生產(chǎn)使用該原型機(jī)的實(shí)用芯片，盡管2030年被視為更現(xiàn)實(shí)的目標(biāo)。原型機(jī)的存在表明，中國(guó)距離半導(dǎo)體自給自足可能比此前預(yù)期的更近數(shù)年。報(bào)道援引消息人士稱(chēng)，原型機(jī)于2025年初完成，目前正在進(jìn)行測(cè)試。報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，雖然該機(jī)器已運(yùn)行并具備極紫外光的能力，但尚未生產(chǎn)出可工作的芯片。據(jù)報(bào)道，前ASML工程師參與了
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中國(guó)陜西8英寸硅光子學(xué)平臺(tái)正式上線(xiàn)
- 11月4日，陜西光電子先鋒科技有限公司總經(jīng)理?xiàng)羁『晷?，?英寸先進(jìn)”硅光子集成技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)（“8英寸硅光子學(xué)平臺(tái)”）已正式上線(xiàn)。該平臺(tái)將為光電和硅光子芯片推廣到光子工業(yè)中的眾多創(chuàng)新實(shí)體。該項(xiàng)目總投資7.5億元人民幣，于2023年底開(kāi)始施工。它推出了130nm硅比利時(shí)IMEC的光子工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）配備了60多種關(guān)鍵工具和系統(tǒng)，包括光刻和蝕刻設(shè)備?；?30納米主動(dòng)集成硅該廠(chǎng)正在開(kāi)發(fā)90納米以上的先進(jìn)工藝，建立國(guó)產(chǎn)控制的先進(jìn)制造生態(tài)系統(tǒng)。硅光子芯片——通過(guò)硅基微納米制造制造的光電子器件——支持光學(xué)調(diào)制
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ASML的魔力揭秘：其EUV優(yōu)勢(shì)背后的技術(shù)和合作伙伴中國(guó)無(wú)法復(fù)制
- 雖然我國(guó)正在競(jìng)相使用與華為相關(guān)的 SiCarrier 和 Yuliangsheng 的本土工具來(lái)縮小光刻差距，但現(xiàn)實(shí)情況是，極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)仍然是一個(gè)完全不同的領(lǐng)域。能夠打印 5nm 以下芯片的機(jī)器不僅復(fù)雜，而且是全球科學(xué)合作的巔峰之作。以 ASML 為例，這是一家擁有 EUV 虛擬壟斷權(quán)的荷蘭公司。以英特爾、臺(tái)積電和三星為主要客戶(hù)，ASML 的主導(dǎo)地位不僅在于技術(shù)領(lǐng)先地位，還在于一個(gè)任何國(guó)家都無(wú)法在一夜之間復(fù)制的生態(tài)系統(tǒng)。正如《焦點(diǎn)：ASML 之道》所揭示的那樣，ASML 并不完全制造 EU
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ASML亮相第八屆進(jìn)博會(huì)，展示其全球AI洞察與面向主流芯片市場(chǎng)的全景光刻解決方案
- 半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先供應(yīng)商ASML（阿斯麥）將于11月5日至10日參加第八屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“進(jìn)博會(huì)”）。在本屆進(jìn)博會(huì)上，ASML將以“積納米之微，成大千世界”為主題，亮相技術(shù)裝備展區(qū)4.1展館集成電路專(zhuān)區(qū)A1-03展臺(tái)。ASML在2025年進(jìn)博會(huì)的展臺(tái)在今年進(jìn)博會(huì)上，ASML將通過(guò)短片形式分享其對(duì)AI（人工智能）時(shí)代下半導(dǎo)體行業(yè)所面臨機(jī)遇和挑戰(zhàn)的全球洞察：AI正在深刻影響社會(huì)與生活的方方面面，驅(qū)動(dòng)全球?qū)Σ煌瞥坦?jié)點(diǎn)芯片需求的激增。這一趨勢(shì)加速了創(chuàng)新步伐，也帶來(lái)算力和能源方面的挑戰(zhàn)。推動(dòng)摩爾定律持
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中國(guó)研究團(tuán)隊(duì)首度揭秘光刻膠在顯影液中的微觀(guān)行為，為提升光刻精度與良率開(kāi)辟新路徑
- 在芯片制造過(guò)程中，光刻承擔(dān)著將集成電路圖案轉(zhuǎn)印至晶圓表面的任務(wù)，其中通過(guò)光刻膠溶解在顯影液中形成納米尺度的電路圖形。然而，光刻領(lǐng)域長(zhǎng)期存在一個(gè)難以窺探的“黑匣子”：即光刻膠在顯影液中的微觀(guān)行為，該行為直接影響光刻圖案的精確度與缺陷率。人們對(duì)光刻膠聚合物的溶解機(jī)制、擴(kuò)散行為、相互作用及其缺陷形成機(jī)理等基本問(wèn)題仍知之甚少。這也導(dǎo)致工業(yè)界的工藝優(yōu)化長(zhǎng)期依賴(lài)于反復(fù)“試錯(cuò)”，成為制約7nm及以下先進(jìn)制程良率提升的關(guān)鍵瓶頸之一。近日，北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授、高毅勤教授、鄭黎明博士與清華大學(xué)王宏偉教授、香
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ASML杯光刻「芯 」勢(shì)力知識(shí)挑戰(zhàn)賽正式啟動(dòng)
- 這是一場(chǎng)追光人的技術(shù)狂歡也是一次深入納米芯球的探索之旅我們發(fā)出光刻英雄帖，集結(jié)菁英光刻「芯」勢(shì)力與ASML共尋技術(shù)之美【賽事介紹】ASML光刻「芯」勢(shì)力知識(shí)挑戰(zhàn)賽由全球半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商ASML發(fā)起，是一項(xiàng)面向中國(guó)半導(dǎo)體人才與科技愛(ài)好者的科普賽事。依托ASML在光刻領(lǐng)域的技術(shù)積累與行業(yè)洞察，賽事致力于為參賽者打造一個(gè)深度探索光刻技術(shù)的知識(shí)競(jìng)技窗口，同時(shí)培養(yǎng)優(yōu)秀科技「芯」勢(shì)力，共同推動(dòng)摩爾定律演進(jìn)。本次挑戰(zhàn)賽聚焦光刻技術(shù)教育普及，通過(guò)涵蓋光學(xué)、物理學(xué)知識(shí)的專(zhuān)業(yè)試題帶領(lǐng)參賽者深入了解光刻機(jī)、計(jì)算光刻、量測(cè)等
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前英特爾CEO加入光刻技術(shù)初創(chuàng)公司
- 近日，英特爾前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布加入xLight，擔(dān)任董事會(huì)執(zhí)行董事長(zhǎng)，xLight官網(wǎng)上個(gè)月也公布了這一消息。xLight是一家面向極紫外（EUV）光刻機(jī)開(kāi)發(fā)基于直線(xiàn)電子加速器的自由電子激光（FEL）技術(shù)的EUV光源系統(tǒng)的初創(chuàng)公司。xLight雖然規(guī)模很小，但其團(tuán)隊(duì)在光刻和加速器技術(shù)領(lǐng)域擁有多年的經(jīng)驗(yàn)，不僅擁有來(lái)自斯坦福直線(xiàn)加速器和其他地方的粒子加速器資深研究人士，其首席科學(xué)家Gennady Stupakov博士還是2024年IEEE核能和等離子體科學(xué)學(xué)會(huì)粒子加速器科學(xué)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 EUV ASML xLight LPP FEL 光刻
ASML官網(wǎng)顯示：支持7nm高端DUV光刻機(jī)仍可出口
- 荷蘭政府宣布了限制某些先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出口的新規(guī)定，這些規(guī)定將于9月1日生效。具體而言，荷蘭政府將要求先進(jìn)芯片制造設(shè)備的公司在出口之前須獲得許可證。ASML在其官網(wǎng)發(fā)表聲明稱(chēng)，該公司未來(lái)出口其先進(jìn)的浸潤(rùn)式DUV光刻系統(tǒng)（即TWINSCAN NXT:2000i及后續(xù)浸潤(rùn)式系統(tǒng)）時(shí)，將需要向荷蘭政府申請(qǐng)出口許可證。而ASML強(qiáng)調(diào)，該公司的EUV系統(tǒng)的銷(xiāo)售此前已經(jīng)受到限制。據(jù)ASML官網(wǎng)提供的信息，該公司目前在售的主流浸沒(méi)式DUV光刻機(jī)產(chǎn)品共有三款，分別是：TWINSCAN NXT:1980Di、TWINSCAN
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事關(guān)EUV光刻技術(shù)，中國(guó)廠(chǎng)商公布新專(zhuān)利
- 近日，據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)消息，華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項(xiàng)于光刻技術(shù)相關(guān)的專(zhuān)利，專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)枮?02110524685X。集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉(zhuǎn)移、加工和形成環(huán)節(jié)，決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內(nèi)晶體管的數(shù)量，是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著半導(dǎo)體工藝向7nm及以下節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機(jī)中采用強(qiáng)相干光源在進(jìn)行光刻時(shí)，相干光經(jīng)照明系統(tǒng)分割成的多個(gè)子光束具有固定的相位關(guān)系，當(dāng)
- 關(guān)鍵字： EUV 光刻 華為
包括光刻！美國(guó)禁運(yùn)6項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)
- 近日美國(guó)商務(wù)部工業(yè)安全局（BIS）宣布將六項(xiàng)新興技術(shù)添加到《出口管理?xiàng)l例》（EAR）的商務(wù)部管制清單（CCL）中。據(jù)了解，目前受到出口管制的新興技術(shù)總數(shù)已經(jīng)達(dá)到了37項(xiàng)。美國(guó)商務(wù)部在官網(wǎng)發(fā)布公告中寫(xiě)道：“此舉是為了支持關(guān)鍵及新興技術(shù)這一國(guó)家戰(zhàn)略.”“關(guān)鍵技術(shù)和新興技術(shù)國(guó)家戰(zhàn)略是保護(hù)美國(guó)國(guó)家安全，確保美國(guó)在軍事、情報(bào)和經(jīng)濟(jì)事務(wù)中保持技術(shù)領(lǐng)先地位的重要戰(zhàn)略部署?！泵绹?guó)商務(wù)部部長(zhǎng)Wilbur Ross說(shuō)道，并表示“美國(guó)商務(wù)部已經(jīng)對(duì)30多種新興技術(shù)的出口實(shí)施了管控，我們將繼續(xù)評(píng)估和確定未來(lái)還有哪些技術(shù)需要管控
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光刻介紹
光刻 利用照相復(fù)制與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的技術(shù)，在工件表面制取精密、微細(xì)和復(fù)雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。光刻原理雖然在19世紀(jì)初就為人們所知，但長(zhǎng)期以來(lái)由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應(yīng)用。直到20世紀(jì)50年代，美國(guó)制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達(dá)光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術(shù)才迅速發(fā)展起來(lái)，并開(kāi)始用在半導(dǎo)體工業(yè)方面。光刻是制造高級(jí)半導(dǎo)體器件和大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細(xì) ]
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