EEPW
技術(shù)應(yīng)用
SiC是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料,具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類:一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型,稱為3C或β-SiC,這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目;另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu),其中典型的有6H、4H、15R等,統(tǒng)稱為α-SiC。與Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境,并具有極好的抗輻射性能。查看更多>>
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