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低導(dǎo)通電阻

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東芝推出具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007...

東芝低導(dǎo)通電阻 2024-11-13

低導(dǎo)通電阻SiC器件在大電流高功率應(yīng)用中的優(yōu)越性

眾所周知，SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料，因其高擊穿場強(qiáng)、寬禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應(yīng)用中使用，可有效突破傳統(tǒng)Si基半導(dǎo)體材料的物理極限。目前使用最...

低導(dǎo)通電阻 SiC 2024-06-17

東芝推出40V電壓功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列

　　東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統(tǒng)的U-MOS VI-H系列，新系列減少了76%的導(dǎo)通電阻，實現(xiàn)業(yè)界頂級...

東芝 MOSFET 2014-12-02

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低導(dǎo)通電阻

東芝推出具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET

低導(dǎo)通電阻SiC器件在大電流高功率應(yīng)用中的優(yōu)越性

東芝推出40V電壓功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列

借助組合式電量計提升精度并縮減系統(tǒng)占用空間

實施可靠電源的途徑

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場