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據《朝鮮日報》消息，JEDEC（電子器件工程聯合委員會）正考慮放寬下一代高帶寬內存（HBM）標準，計劃將 HBM 高度規(guī)格上調至約 900 微米（μm）。Newsis 報道稱，新標準預計從第七代 HBM4E開始實施。作為...

JEDEC HBM 2026-04-01

光刻機龍頭企業(yè)阿斯麥(ASML)擬進軍半導體后端設備市場，瞄準高速增長的先進封裝領域，相關傳聞近期再度浮出水面。據韓國媒體《The Elec》消息，阿斯麥已啟動混合鍵合設備的研發(fā)工作，該技術被公認為下一代芯片封裝的核心關...

ASML 混合鍵合 2026-03-23

LG 電子已悄然啟動成為半導體設備制造商的計劃。其生產技術研究所已開始開發(fā)為下一代高帶寬存儲器（HBM）量身定制的混合鍵合機，其內部目標是到 2028 年出貨生產單元?；旌湘I合是一種晶圓級連接技術，無需焊料凸塊。相反...

LG電子混合鍵合 2025-07-15

三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術，以減少熱量并實現超寬內存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術，EBN 報道。高帶寬...

三星 HBM4 2025-05-14

隨著存儲器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產品，混合鍵合技術越來越受到關注。根據 ZDNet 的一份報告，韓國三星電子和SK海力士在關鍵專利方面仍然落后。該報告強調，三星和SK海力士披露的混合鍵合相...

長江存儲混合鍵合 2025-05-09

近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采...

三星長江存儲 2025-02-27

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