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　DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存　　嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也?？吹紻DR SDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言，只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。　　SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。查看更多>>

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三星擬將iPhone用LPDDR價(jià)格環(huán)比上調(diào)超80%

三星電子與SK海力士可能大幅上調(diào)供應(yīng)給蘋果iPhone的LPDDR內(nèi)存價(jià)格。據(jù)ZDNet援引業(yè)內(nèi)人士消息，兩家公司已在2026年第一季度與蘋果就LPDDR供貨價(jià)格展開談判，并提出顯著漲價(jià)要求：三星電子尋求環(huán)比（QoQ）漲...

三星 iPhone 2026-01-29

DDR5內(nèi)存現(xiàn)在可能比PlayStation 5還貴

64GB DDR5內(nèi)存的平均價(jià)格已飆升至500美元以上。如果你想要128GB的，預(yù)計(jì)要花比買電腦更高的價(jià)格。價(jià)格還在上漲：PC內(nèi)存的價(jià)格已經(jīng)高到64GB?DDR5內(nèi)存包輕松超過(guò)500美元，甚至超過(guò)索尼PlayStatio...

DDR 內(nèi)存 2025-11-25

中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格每天都在上漲：16GB DDR4模組10月飆升160%

由于內(nèi)存超級(jí)周期沒(méi)有放緩的跡象，定價(jià)已經(jīng)從季度周期轉(zhuǎn)向快速、每月甚至每日調(diào)整。第一財(cái)經(jīng)援引中國(guó)最大的電子中心深圳華強(qiáng)北的交易員的話報(bào)道稱，飆升速度如此之快，就像“每天都有新價(jià)格”，這是多年來(lái)罕見(jiàn)的速度。DDR4 和 DD...

存儲(chǔ) DDR 2025-11-06

DDR 的 PCB布局及走線要求

1. 定義DDR：Double Date Rate 雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR、DDR2、DDR3常用規(guī)格：2. 阻抗控制要求單端走線控制 50 歐姆，差分走線控制 100 歐姆3. DDR 布局要求通常，根據(jù)器...

DDR PCB設(shè)計(jì) 2025-05-06

電源DDR硬件設(shè)計(jì)技巧

1、電源DDR的分類A、主電源VDD和VDDQ主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給內(nèi)核供電。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有專門的VDD...

電源設(shè)計(jì) DDR 2024-07-19

雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）內(nèi)存簡(jiǎn)介

了解雙數(shù)據(jù)速率（DDR）存儲(chǔ)器的關(guān)鍵概念和圍繞這一數(shù)字通信技術(shù)的應(yīng)用，其中兩個(gè)數(shù)據(jù)字在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸。串行數(shù)據(jù)傳輸比并行數(shù)據(jù)傳輸具有重要優(yōu)勢(shì)，并且在許多系統(tǒng)中，這些優(yōu)勢(shì)足夠顯著，足以證明添加串行化和反串行化并行數(shù)據(jù)的...

雙倍數(shù)據(jù)速率 DDR 2024-05-17