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DT-315N資訊

什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過(guò)基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/...

羅姆半導(dǎo)體 dv 2022-09-22

關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

　　王定良（電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川成都 610054）　　摘? 要：作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來(lái)越重要，但是越來(lái)越快的開(kāi)關(guān)速度，可能會(huì)引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過(guò)高...

202002 IGBT 2020-01-16

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響--DL/DT

數(shù)字信號(hào)主要的頻率分量都位于它的轉(zhuǎn)折頻率以下。轉(zhuǎn)折頻率FKNEE與脈沖上升時(shí)間TR相關(guān)，而與傳播延遲、時(shí)鐘速率或轉(zhuǎn)換頻率無(wú)關(guān)：信號(hào)傳播的整個(gè)路徑，包...

DT DV 2018-09-11

如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)（上）

高 di/dt 負(fù)載需要仔細(xì)考慮旁路問(wèn)題以保持電源動(dòng)態(tài)穩(wěn)壓。表面貼裝電容需要非?？拷?fù)載以最小化其互連電感。電容具有可能避免大量去耦的寄生電感。降低這一寄生電感的并聯(lián)電容是有效的，但互連和互感減弱了這一效果。使用具有更短...

di/dt 德州儀器 2017-06-03

深度解讀阿里云六年成長(zhǎng)歷程：向DT世界轉(zhuǎn)型

　　6年前，云計(jì)算創(chuàng)業(yè)“無(wú)人喝彩”。6年后的今天，阿里云已成長(zhǎng)為全球領(lǐng)先的云計(jì)算服務(wù)平臺(tái)，開(kāi)始分享對(duì)于DT世界、云計(jì)算生態(tài)、數(shù)據(jù)保護(hù)以及未來(lái)核心技術(shù)等方向的判斷。　　7月22日，首屆阿里云分享...

阿里云 DT 2015-07-23

　　6月9日，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，知情人士透露稱(chēng)，蘋(píng)果公司正在建造高速網(wǎng)絡(luò)，同時(shí)還在升級(jí)自己打造數(shù)據(jù)中心的方式，此舉旨在提升該公司在云領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力，從而進(jìn)一步與亞馬遜、谷歌和微軟等對(duì)手在云服務(wù)領(lǐng)域展開(kāi)更好的競(jìng)爭(zhēng)。　　目...

蘋(píng)果 DT 2015-06-10

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