IGBT技術(shù)社區(qū)

IGBT

什么是 IGBTTop　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。查看更多>>

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IGBT資訊

IGBT與MOSFET：數(shù)據(jù)對(duì)比選型以助力優(yōu)化電子設(shè)計(jì)

引言在飛速發(fā)展的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，選用合適的元器件對(duì)優(yōu)化性能、效率與可靠性至關(guān)重要。** 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）與金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）** 是工程師在電力電子應(yīng)用中經(jīng)常選用...

IGBT MOSFET 2026-04-16

IGBT模塊：對(duì)比性能指標(biāo)與關(guān)鍵特性，實(shí)現(xiàn)最優(yōu)設(shè)計(jì)選型

引言絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊是現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域的核心器件，在大功率應(yīng)用中具備高效開(kāi)關(guān)特性與穩(wěn)定可靠的性能。隨著對(duì)節(jié)能高效方案的需求不斷提升，為電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)選擇合適的 IGBT 模塊對(duì)工程師而言至關(guān)重要。本文將對(duì)...

IGBT 設(shè)計(jì)選型 2026-04-09

IGBT的電流是如何定義的

IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見(jiàn)FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對(duì)于日常工作交流來(lái)說(shuō)是足夠了，但對(duì)于一位設(shè)計(jì)工程師是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿著誤解和流言。流言一：450A...

英飛凌 IGBT 2026-01-27

IGBT模塊工作環(huán)境溫濕度條件解析

在散熱器上安裝的IGBT 模塊并非密封設(shè)計(jì)，盡管芯片上方有一層硅膠，但是水汽仍然可以通過(guò)外殼間隙以及硅膠進(jìn)入器件芯片內(nèi)部。因此，器件在使用和存儲(chǔ)過(guò)程中，必須避免濕氣或者腐蝕性氣體。目前大多數(shù)IGBT 模塊允許工作的溫濕度...

英飛凌 IGBT 2025-11-14

用于 gen-7 IGBT模塊的硅凝膠

陶氏公司的目標(biāo)是使用其最新的硅凝膠來(lái)開(kāi)發(fā) IGBT 模塊，以支持 800V 車(chē)輛和可再生能源高達(dá) 180°C 的運(yùn)行溫度?！霸诠夥姵匕搴惋L(fēng)力渦輪機(jī)中，逆變器的功率密度正在增加，”該公司表示?！坝捎诘?7 代 IGBT ...

gen-7 IGBT 2025-09-05

雙芯智控革命：IGBT與單片機(jī)如何重塑智能微波爐

當(dāng)傳統(tǒng)微波爐還在依賴(lài)笨重的工頻變壓器時(shí)，TRinno的IGBT單管與現(xiàn)代ABOV單片機(jī)的協(xié)同創(chuàng)新，正推動(dòng)廚房電器進(jìn)入精準(zhǔn)控能時(shí)代。這套雙核驅(qū)動(dòng)方案通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)替代機(jī)械結(jié)構(gòu)，不僅讓微波爐體積縮小40%，更實(shí)現(xiàn)了從毫秒級(jí)功...

IGBT 單片機(jī) 2025-08-19

IGBT專(zhuān)欄

深度應(yīng)用在中等功率驅(qū)動(dòng)器領(lǐng)域的IGBT晶圓

中等功率驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用場(chǎng)景?包括各種工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域中對(duì)電機(jī)運(yùn)動(dòng)精度和效率要求較高的場(chǎng)合，如機(jī)床加工、自動(dòng)化生產(chǎn)線、物流運(yùn)輸?shù)?。此外，在冶金、石化、航空、船舶等行業(yè)中也廣泛應(yīng)用了中等功率驅(qū)動(dòng)器，其優(yōu)越的性能和穩(wěn)定可靠的使用效果...

IGBT IGBT晶圓 2024-12-31

深度分析IGBT晶圓在1200V光伏逆變器領(lǐng)域中的應(yīng)用

?1200V光伏逆變器的工作原理?是通過(guò)將光伏電池板產(chǎn)生的可變直流電壓轉(zhuǎn)換為市電頻率的交流電（AC），以供電網(wǎng)使用或反饋回商用輸電系統(tǒng)。逆變器的主要功能是將光伏陣列產(chǎn)生的直流電（DC）逆變?yōu)槿嗾医涣麟姡ˋC），輸出符...

IGBT IGBT晶圓 2024-11-14

IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車(chē)實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比電驅(qū)

近幾年新能源車(chē)發(fā)展迅猛，技術(shù)創(chuàng)新突飛猛進(jìn)。如何設(shè)計(jì)更高效的牽引逆變器使整車(chē)獲得更長(zhǎng)的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當(dāng)?shù)钠胶?。?dāng)前新能源汽車(chē)牽引逆變器...

英飛凌新能源汽車(chē) 2024-10-09

了解這些就可以搞懂 IGBT

絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開(kāi)關(guān)而聞名。IGBT通過(guò)在單個(gè)器件中組合用于控制...

IGBT 逆變器 2023-06-25

商用車(chē)1200V平臺(tái)IGBT流片成功

來(lái)源：晶能5月30日，遠(yuǎn)程新能源商用車(chē)集團(tuán)推出國(guó)內(nèi)首個(gè)正向研發(fā)的新能源重卡數(shù)智架構(gòu)GXA-T，并發(fā)布了基于全新架構(gòu)打造的遠(yuǎn)程星瀚G系列重卡。遠(yuǎn)程新能源商用車(chē)集團(tuán)CEO范現(xiàn)軍在發(fā)布會(huì)上表示，專(zhuān)為新能源商用車(chē)動(dòng)力總成系統(tǒng)打造...

IGBT 2023-06-02

賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊

～賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應(yīng)方面進(jìn)一步加強(qiáng)合作～賽米控丹佛斯（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開(kāi)發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯...

羅姆 IGBT 2023-05-18

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