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L-MOS技術(shù)社區(qū)

L-MOS

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全部資訊專欄資料電路論壇

L-MOS資訊

PMOS緩啟電路

本文來源于一個(gè)實(shí)際項(xiàng)目，需要由一個(gè)PMOS作為開關(guān)來控制電源的導(dǎo)通。但對(duì)實(shí)際參數(shù)進(jìn)行測量時(shí)，發(fā)現(xiàn)PMOS導(dǎo)通時(shí)間太短，使得后級(jí)電路的dV/dt太大，造成一些不好的影響，因此本文對(duì)如何延緩PMOS啟動(dòng)速度進(jìn)行簡單學(xué)習(xí)與概述...

PMOS電路開關(guān)電路 2024-12-27

內(nèi)置MOS全集成三相直流無刷電機(jī)BLDC驅(qū)動(dòng)芯片方案

引言全球高速無刷電機(jī)行業(yè)正在經(jīng)歷持續(xù)的增長和發(fā)展。根據(jù)市場調(diào)研，亞洲市場占據(jù)了全球高速無刷電機(jī)行業(yè)的首位，市場規(guī)模占比達(dá)47%，并且預(yù)計(jì)未來增長將主要集中在亞洲地區(qū)。特別是在我國，無刷電機(jī)技術(shù)已逐漸成熟，電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器的價(jià)...

MOS 三相直流無刷電機(jī) 2024-08-13

一文了解SiC MOS的應(yīng)用

作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOS...

SiC MOS 2024-06-19

從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用，這篇文章把MOS管講透了。

MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。其結(jié)構(gòu)示意圖：解釋1：溝道上面圖中，下邊的p型中間一個(gè)窄長條就是溝道，使得左右兩塊P型...

模擬電路 MOS 2024-04-29

徹底弄清MOS管（NMOS為例

來自專欄芯片基礎(chǔ)課說來慚愧，大二學(xué)了一遍模電數(shù)電，考研專業(yè)課又學(xué)了一遍模電數(shù)電，但拿到如下這張mos管結(jié)構(gòu)圖，讓我立馬說出：【這是什么型mos管，標(biāo)準(zhǔn)符號(hào)襯底的箭頭指向哪里，簡化符號(hào)柵極有沒有小圓圈，襯底該接高接低，柵極...

模擬電路 MOS 2024-01-30

MOS 管的死區(qū)損耗計(jì)算

MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對(duì)出現(xiàn)，習(xí)慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET　為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同...

MOS 管逆變電路 2024-01-11

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L-MOS專欄

TO-252 封裝引腳定義全解析｜MOS / 三極管 / 肖特基功能區(qū)分與應(yīng)用避坑指南

TO-252（DPAK）是工控主板、消費(fèi)電子、電源適配器中應(yīng)用最廣的貼片功率封裝，憑借小體積、散熱好、大電流承載能力，成為 MOS 管、三極管、肖特基二極管的主流封裝形式。很多工程人員在貼裝、維修時(shí)踩坑，核心是混淆了封裝...

MOS 二極管 2026-05-07

MOS 管典型應(yīng)用場景與實(shí)際案例解析

MOS 管因開關(guān)速度快、導(dǎo)通損耗低、驅(qū)動(dòng)簡單，在電子設(shè)備中被大量使用。不同類型的 MOS 管適配不同場景，合理選型可顯著提升產(chǎn)品效率、穩(wěn)定性與壽命。本文結(jié)合工業(yè)與消費(fèi)電子實(shí)際案例，介紹 MOS 管的主流應(yīng)用。主板與工控板...

mos 2026-04-14

MOS 管損壞的典型現(xiàn)象及快速判斷方法

在主板、電源及工控設(shè)備中，MOS 管屬于高頻易損功率器件，一旦失效，往往伴隨明顯故障特征。掌握 MOS 管損壞的典型現(xiàn)象與快速判斷方法，可大幅縮短維修周期，避免二次損壞。1 MOS 管損壞的典型外觀與上電現(xiàn)象外觀異常芯片...

MOS 2026-04-07

為什么經(jīng)常要求MOS管快速關(guān)斷，而不要求MOS管快速開通？

上期文章“MOS管損耗理論計(jì)算公式推導(dǎo)及LTspice仿真驗(yàn)證”我們理論計(jì)算了MOS管的開關(guān)損耗。這期來說明一個(gè)問題：為什么我們很多時(shí)候要求MOS管快速關(guān)斷，而沒有要求MOS管快速開通？下面是常見的MOS管的驅(qū)動(dòng)電路MO...

MOS 2026-01-29

關(guān)于0.42mΩ超低導(dǎo)通電阻MOSFET的市場應(yīng)用與挑戰(zhàn)

在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，MOSFET作為開關(guān)元件，扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導(dǎo)通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)選。然而，在實(shí)際市...

MOS 2025-12-16

BMS設(shè)計(jì)中如何選擇MOSFET——關(guān)鍵考慮因素與最佳實(shí)踐

在電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，辰達(dá)半導(dǎo)體 MOSFET作為開關(guān)元件，負(fù)責(zé)電池充放電、均衡、過流保護(hù)和溫度控制等功能的實(shí)現(xiàn)。MOSFET的性能直接影響系統(tǒng)的效率、可靠性和安全性。因此，在選擇MOSFET時(shí)需要綜合考慮多個(gè)...

MOS 2025-12-15

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什么是運(yùn)放的電壓追隨電路？

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你知道MOS器件耗散的兩種方式嗎？

你不得不了解的MOS 管驅(qū)動(dòng)電路

采用MOS晶體管的振蕩器電路圖

采用倍頻器和MOS場效應(yīng)管的振蕩器電路圖

采用倍頻器和MOS場效應(yīng)管的振蕩器電路

帶MOS前置級(jí)的超短波調(diào)諧器電路

L-MOS資料

雙N增強(qiáng)型 PDFN5*6

雙N MOS 2026-01-19 立即下載

MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)匯總

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MOS管驅(qū)動(dòng)電路的詳細(xì)總結(jié)

MOS 電路 2025-01-21 立即下載

功率MOS管在汽車 BLDC與PMSM驅(qū)動(dòng)器中的應(yīng)用

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MOS管驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

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mos管并聯(lián)使用

mos 并聯(lián)使用 2023-12-28 立即下載

MOS管符號(hào)

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