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ROM/Flash/Dis資訊

存儲(chǔ)漲價(jià)后遺癥來(lái)了

此前，國(guó)家發(fā)改委價(jià)格監(jiān)測(cè)中心發(fā)文稱，2025 年 9 月至今，受需求「爆發(fā)式」增長(zhǎng)、產(chǎn)能「斷崖式」緊缺等因素影響，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)缺口擴(kuò)大，存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲，近 1 個(gè)月多以來(lái)，漲幅呈現(xiàn)擴(kuò)大態(tài)勢(shì)，建議關(guān)注存儲(chǔ)芯片對(duì)下游...

DRAM Flash 2026-03-10

NOR FLASH火了

閃存包括 NOR Flash（或非閃存）和 NAND Flash（與非閃存），其中 NAND Flash 占據(jù)閃存市場(chǎng) 95% 以上份額。NOR Flash（或非閃存）憑借獨(dú)特的技術(shù)特性，在工業(yè)、汽車等專業(yè)領(lǐng)域...

NOR Flash 2026-02-02

中微半導(dǎo)發(fā)布首款Flash芯片，進(jìn)軍存儲(chǔ)領(lǐng)域

1月19日，中微半導(dǎo)發(fā)布了一則自愿性公告，宣布即將推出其首款非易失性存儲(chǔ)器芯片，正式進(jìn)入Flash領(lǐng)域。這一產(chǎn)品型號(hào)為CMS25Q40A，是一款容量為4M bit的低功耗SPI NOR Flash芯片。該芯片的存儲(chǔ)陣列被...

中微半導(dǎo) Flash 2026-01-20

NOR Flash、MEMS與傳感器、功率器件三大領(lǐng)域洞察

進(jìn)入2026年，NOR Flash的基本面與DRAM和NAND形成顯著差異：其定價(jià)保持穩(wěn)定，基本不受存儲(chǔ)周期性波動(dòng)影響。同時(shí)，市場(chǎng)需求正日益轉(zhuǎn)向適用于汽車、工業(yè)及真無(wú)線耳機(jī)（TWS）等領(lǐng)域的更高密度SPI NOR產(chǎn)品。更...

NOR Flash MEMS 2026-01-16

兆易創(chuàng)新GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

一、產(chǎn)品概述中國(guó)北京（2025年4月15日）—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）...

兆易創(chuàng)新 GD5F1GM9 2025-12-30

BiCS FLASH進(jìn)階時(shí)，加速存儲(chǔ)新進(jìn)化

AI算力需求爆炸，海量數(shù)據(jù)頻繁調(diào)動(dòng)，致使存儲(chǔ)行業(yè)變得愈發(fā)重要。無(wú)論是當(dāng)下的生成式AI，還是即將到來(lái)的AI智能體、端側(cè)AI，高性能、高密度、高能效存儲(chǔ)解決方案都將作為可靠的硬件基礎(chǔ)，進(jìn)而解決數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練推理以及移動(dòng)設(shè)...

BiCS FLASH 3D閃存 2025-11-28