7月11日消息，近日韓國基礎(chǔ)科學研究所范德華量子固體研究中心主任JO Moon-Ho領(lǐng)導的研究團隊，通過在硅上生長二維和一維結(jié)構(gòu)，成功構(gòu)建出柵極電極尺寸小于1nm的晶體管。

據(jù)介紹，該研究團隊采用新工藝開發(fā)了一種以一維金屬為柵極電極的二維半導體邏輯電路新結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了寬度小于1nm的一維金屬材料的外延生長。

IEEE 的《國際器件與系統(tǒng)路線圖》（IRDS）預測，到 2037 年，半導體技術(shù)節(jié)點將達到 0.5nm左右，晶體管柵極長度為 12nm。韓國研究團隊證明，由一維 MTB 柵極施加的電場調(diào)制的通道寬度可以小至 3.9nm，大大超出了此前對于未來的預測。

基于二維半導體的集成器件是全球基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究的重點，但要控制電子在幾納米范圍內(nèi)的運動，更不用說開發(fā)這些集成電路的制造工藝，已經(jīng)面臨巨大的技術(shù)挑戰(zhàn)。

韓國研究團隊利用二維半導體二硫化鉬（MoS?）的鏡孿晶界（MTB）為一維金屬，寬度僅為0.4nm這一特性，將其作為柵極電極，突破了光刻工藝的限制。

通過在原子水平上控制現(xiàn)有二維半導體的晶體結(jié)構(gòu)，將其轉(zhuǎn)化為一維 MTB，實現(xiàn)了一維 MTB 金屬相。這不僅代表了下一代半導體技術(shù)的重大突破，也代表了基礎(chǔ)材料科學的重大突破，因為它展示了通過人工控制晶體結(jié)構(gòu)大面積合成新材料相。

韓國研究團隊開發(fā)的一維MTB 晶體管尺寸小于 1nm，在電路性能方面也具有優(yōu)勢。FinFET、Gate-All-Around 或 CFET 等技術(shù)由于器件結(jié)構(gòu)復雜，容易產(chǎn)生寄生電容，導致高集成電路不穩(wěn)定。相比之下，基于一維MTB 的晶體管由于結(jié)構(gòu)簡單、柵極寬度極窄，可以將寄生電容降至最低。

JO Moon-Ho 表示：“通過外延生長實現(xiàn)的一維金屬相是一種新型材料工藝，可應(yīng)用于超小型半導體工藝。預計它將成為未來開發(fā)各種低功耗、高性能電子設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)?！?/p>

編輯：芯智訊-林子

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