據(jù)韓媒ETNews報道，三星電子設備解決方案（DS）事業(yè)部正計劃重啟下一代半導體技術(shù)的研發(fā)與設施投資，重點布局下一代NAND閃存、化合物半導體以及先進封裝和基板三大領域。這標志著三星在存儲業(yè)務逐步穩(wěn)定后，開始加速中長期技術(shù)的戰(zhàn)略部署。

此前，三星因集中資源修復DRAM和HBM業(yè)務的競爭力，暫緩了部分新業(yè)務的推進。隨著2024年下半年存儲市場需求回暖，DRAM良率和HBM產(chǎn)能利用率顯著提升，存儲業(yè)務重回正軌，為新技術(shù)研發(fā)騰出了資源。

在下一代NAND閃存領域，三星正全力推進V10 NAND的研發(fā)，目標是將堆疊層數(shù)提升至400層以上，較目前量產(chǎn)的286層V9 NAND實現(xiàn)顯著突破。這一技術(shù)將大幅提升單晶圓存儲容量，滿足AI時代對高密度存儲的需求。自2024年4月V9 NAND的TLC版本量產(chǎn)后，三星的閃存技術(shù)迭代一度停滯，此次重啟研發(fā)將重新確立其技術(shù)領先地位。

化合物半導體方面，三星正加速推進氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）產(chǎn)線的建設。其中，8英寸GaN產(chǎn)線計劃于2026年第二季度投產(chǎn)，而SiC產(chǎn)線則預計在2028年實現(xiàn)量產(chǎn)。目前，三星已啟動供應鏈搭建和設備采購，計劃投入1000億至2000億韓元采購MOCVD等關(guān)鍵設備，以搶占新能源汽車和儲能市場的功率半導體機遇。

此外，三星還將重點發(fā)展先進封裝及基板業(yè)務，同步推進封裝技術(shù)研發(fā)和配套基板產(chǎn)能規(guī)劃，以滿足HBM與邏輯芯片整合的需求，進一步鞏固其在AI芯片封裝領域的競爭優(yōu)勢。