sk 海力士文章最新資訊

高通或?qū)⑽腥?nm代工驍龍 8 Elite 2，與 SK 海力士洽談內(nèi)存合作

據(jù)報(bào)道，高通 CEO 安蒙（Cristiano Amon）于2026 年 4 月 21 日抵達(dá)韓國，計(jì)劃陸續(xù)與三星電子、SK 海力士高管會(huì)面。《韓經(jīng)》消息顯示，此行核心議題之一是與三星晶圓代工展開潛在合作。安蒙預(yù)計(jì)與三星代工總裁韓鎮(zhèn)滿等高層會(huì)談，討論由三星2nm 工藝（SF2）生產(chǎn)高通下一代旗艦應(yīng)用處理器驍龍 8 Elite 2。安蒙此前已釋放與三星代工合作的信號(hào)。2026 年 1 月 CES 展上，他曾表示高通已就 2nm 芯片制造與三星啟動(dòng)磋商，且芯片設(shè)計(jì)已完成。若合作達(dá)成，高通最先進(jìn)的芯片訂單將時(shí)
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SK海力士開始出貨業(yè)界首款321層QLC固態(tài)硬盤，4月向戴爾供貨

4月8日，SK海力士宣布已開始出貨其最新款cSSD PQC21——這是業(yè)內(nèi)首款采用321層QLC NAND閃存的產(chǎn)品。從4月起，SK海力士將開始向戴爾科技集團(tuán)批量出貨，同時(shí)穩(wěn)步拓展與其他全球領(lǐng)先客戶的合作。SK海力士表示，憑借這一發(fā)展勢頭，公司目標(biāo)是在下一代AI PC存儲(chǔ)領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，并明確加大力度擴(kuò)大其在基于QLC的cSSD（固態(tài)硬盤）領(lǐng)域的市場份額。據(jù)SK海力士介紹，該解決方案將超高的321層堆疊技術(shù)與QLC架構(gòu)相結(jié)合。利用QLC每單元4比特的設(shè)計(jì)，在相同的物理尺寸下，顯著提高了存儲(chǔ)密度并最大限度
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全球首款1c LPDDR6，來了

SK 海力士宣布，已成功開發(fā)基于第六代 10 奈米級(jí)（1c）制程技術(shù)的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，該產(chǎn)品已完成全球首度 1c LPDDR6 驗(yàn)證，預(yù)計(jì)今年上半年完成量產(chǎn)準(zhǔn)備，并于下半年開始供貨。LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一種主要應(yīng)用于智能手機(jī)與平板等行動(dòng)裝置的低功耗 DRAM 標(biāo)準(zhǔn)，通過低電壓運(yùn)作降低能源消耗。SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要鎖定 On-device AI 應(yīng)用，例如智能手機(jī)、平板電腦等終端設(shè)備。與
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海力士推出超性能版LPDDR6內(nèi)存：較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%

海力士宣布成功研發(fā)首款 LPDDR6 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，超性能版LPDDR6內(nèi)存較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率達(dá) 10.7Gbps，基于 10nm 工藝打造。LPDDR6 內(nèi)存架構(gòu)一旦落地于 SOCAMM 模組，或?qū)⒊蔀閿?shù)據(jù)中心市場的一大助力。這家存儲(chǔ)芯片廠商同時(shí)透露，此款 LPDDR6 內(nèi)存基于其 2024 年發(fā)布的領(lǐng)先 10nm 級(jí)（1c）工藝節(jié)點(diǎn)打造。新款 LPDDR6 內(nèi)存芯片基礎(chǔ)運(yùn)行速率超 10.7Gbps，遠(yuǎn)超目前市場上性能最強(qiáng)的在售 LPDDR5X 內(nèi)存
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人工智能驅(qū)動(dòng)行業(yè)超級(jí)周期催生需求，韓國芯片巨頭大舉擴(kuò)招

在半導(dǎo)體行業(yè)迎來 “超級(jí)周期”、三星電子與 SK 海力士兩大企業(yè)創(chuàng)下營收紀(jì)錄的背景下，這兩家韓國芯片龍頭企業(yè)正大幅擴(kuò)大應(yīng)屆生招聘規(guī)模。隨著全球人工智能競賽推動(dòng)半導(dǎo)體需求持續(xù)攀升，各大企業(yè)新產(chǎn)線建設(shè)穩(wěn)步推進(jìn)，芯片行業(yè)的用工需求激增，為該領(lǐng)域求職者帶來大量機(jī)會(huì)。三星電子率先布局據(jù)行業(yè)消息人士透露，三星電子及其旗下三星顯示、三星電機(jī)、三星 SDI 等核心子公司，最快將于本月啟動(dòng)今年上半年的應(yīng)屆生公開招聘。為擴(kuò)大半導(dǎo)體產(chǎn)能，三星電子正于京畿道平澤市和龍仁半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群興建新晶圓廠，相關(guān)人才的儲(chǔ)備工作迫在眉睫，公司
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SK海力士發(fā)布基于HBF的AI芯片架構(gòu)，能效比提升最高達(dá)2.69倍

SK海力士近日公布了一種以高帶寬閃存（High Bandwidth Flash, HBF）為核心的全新半導(dǎo)體架構(gòu)概念。HBF是一種將多層NAND閃存芯片堆疊而成的存儲(chǔ)技術(shù)。據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)新聞》（Hankyung）報(bào)道，該公司近期在電氣與電子工程師協(xié)會(huì)（IEEE）上發(fā)表論文，首次詳細(xì)闡述了這一名為“H3”的架構(gòu)理念。所謂“H3”，即混合架構(gòu)（Hybrid HBM+HBF Architecture），將高帶寬內(nèi)存（HBM）整合于同一設(shè)計(jì)中。報(bào)道稱，在當(dāng)前主流AI芯片（包括英偉達(dá)計(jì)劃于今年下半年發(fā)布的Rubin平
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存儲(chǔ)芯片廠商2026營收預(yù)計(jì)達(dá)5510億美元為芯片代工商兩倍

人工智能競賽的最大贏家是誰？人工智能超級(jí)周期正在重塑半導(dǎo)體和電子產(chǎn)業(yè)，人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的大規(guī)模建設(shè)讓整個(gè)供應(yīng)鏈承壓。集邦咨詢的預(yù)估數(shù)據(jù)顯示，盡管英偉達(dá)等人工智能加速器研發(fā)企業(yè)正借人工智能熱潮賺得盆滿缽滿，但存儲(chǔ)芯片廠商才是最大的獲利者。究其原因，除大宗商品市場的運(yùn)行規(guī)律外，存儲(chǔ)芯片廠商與芯片代工廠的商業(yè)模式、擴(kuò)張策略存在本質(zhì)差異，是造就這一結(jié)果的關(guān)鍵。需求激增，供應(yīng)告急集邦咨詢預(yù)測，2026 年全球芯片代工市場營收預(yù)計(jì)為 2187 億美元，而 3D NAND 閃存和 DRAM 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的營收總額
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三星、SK海力士預(yù)計(jì)2026年上半年NAND閃存毛利率將達(dá)40–50%，創(chuàng)歷史新高

隨著存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲，三星電子與SK海力士有望實(shí)現(xiàn)NAND閃存業(yè)務(wù)毛利率的歷史新高。據(jù)ZDNet報(bào)道，兩家公司預(yù)計(jì)將在今年上半年繼續(xù)激進(jìn)上調(diào)NAND產(chǎn)品價(jià)格，業(yè)內(nèi)預(yù)估其毛利率將攀升至40%–50% 區(qū)間。ZDNet指出，這將是NAND產(chǎn)品近十年來首次達(dá)到如此高的盈利水平——上一次類似盛況還要追溯到2017年的存儲(chǔ)“超級(jí)周期”。報(bào)道補(bǔ)充稱，早在2025年第四季度，NAND毛利率已升至約20%。報(bào)道援引業(yè)內(nèi)人士消息稱，市場普遍預(yù)期NAND價(jià)格將在第一季度和第二季度分階段持續(xù)上漲。由于存儲(chǔ)廠商對(duì)N
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存儲(chǔ)價(jià)格現(xiàn)波動(dòng) 全球存儲(chǔ)廠商2月迎接新挑戰(zhàn)

1月最后一個(gè)交易日存儲(chǔ)價(jià)格突然受到AI需求可能緊縮的影響出現(xiàn)暴跌，雖然這波行情可能屬于短期震蕩，但這還是為很多存儲(chǔ)廠商亮麗的年報(bào)蒙上一層陰影
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重組Solidigm，SK 海力士計(jì)劃建美國AI投資平臺(tái)

SK 海力士正在美國設(shè)立 AI Co. 以擴(kuò)大其在美業(yè)務(wù)。
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三星、SK海力士和美光據(jù)報(bào)加強(qiáng)訂單審核以遏制囤貨行為，內(nèi)存供應(yīng)緊張持續(xù)

內(nèi)存供應(yīng)緊張局面仍在持續(xù)。據(jù)《日經(jīng)亞洲》援引消息人士稱，三大存儲(chǔ)芯片制造商——美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）和三星電子（Samsung Electronics）已加強(qiáng)對(duì)客戶訂單的審查，以防止蓄意囤積庫存。報(bào)道稱，這三家公司已收緊要求，要求客戶提供終端客戶信息及訂單數(shù)量，以確保需求真實(shí)，避免過度預(yù)訂或大規(guī)模囤貨進(jìn)一步擾亂市場。在當(dāng)前持續(xù)短缺的背景下，報(bào)告指出，入門級(jí)和中端消費(fèi)電子產(chǎn)品——如電視機(jī)、機(jī)頂盒、家用路由器、低價(jià)平板電腦、智能手機(jī)和PC——預(yù)計(jì)將受到最嚴(yán)重沖擊，而汽車行業(yè)也可能
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消息稱SK海力士已拿下英偉達(dá)三分之二HBM4訂單

1 月 28 日消息，據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，在今年圍繞下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）HBM4 供應(yīng)的競爭讓半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)升溫之際，業(yè)內(nèi)消息稱，SK 海力士已拿下最大客戶英偉達(dá)超過三分之二的訂單量。消息稱英偉達(dá)今年用于下一代 AI 平臺(tái)“Vera Rubin”等的 HBM4 需求中，約三分之二已分配給 SK 海力士，拿下了接近整體 70% 的供貨份額。這一數(shù)據(jù)相比此前市場預(yù)計(jì) SK 海力士將供應(yīng)英偉達(dá) 50% 以上 HBM4 的水平，明顯有所提升。去年年底，市場調(diào)研機(jī)構(gòu) Counterpoint 預(yù)測，今年全球 HBM
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OpenAI攜手AMD和三星設(shè)定新路線，試圖打破NVIDIA和SK AI芯片壟斷

- ChatGPT 開發(fā)商 OpenAI 將于 2026 年推出- AMD 正式宣布大規(guī)模采用下一代 AI 芯片。- 郭明錤：“三星將為 MI450 提供 HBM4。- NVIDIA 和 SK 海力士聯(lián)盟面臨挑戰(zhàn)主導(dǎo)人工智能（AI）半導(dǎo)體市場的 NVIDIA 大本營出現(xiàn)了裂縫。開創(chuàng)AI時(shí)代的ChatGPT開發(fā)商OpenAI決定量產(chǎn)AMD的下一代AI加速器，該加速器被認(rèn)為是NVIDIA的唯一競爭對(duì)手。下一代AI芯片的核心部件是HBM4（第6代高帶寬內(nèi)存）。三星電子（005930）有觀察稱，英偉達(dá)將作為主要供
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SK Keyfoundry推出先進(jìn)多層厚金屬間電介質(zhì)電容工藝

Source: Getty image /Sefa ozel韓國8英寸純晶圓代工廠SK Keyfoundry日前公布了其用于電容器的多層厚金屬間電介質(zhì)（IMD）工藝，該工藝具有高擊穿電壓特性，這一特性不僅有助于提升半導(dǎo)體器件的安全性、可靠性與使用壽命，同時(shí)還能增強(qiáng)抗噪聲能力。該工藝可支持堆疊多達(dá)三層金屬間電介質(zhì)，在金屬—絕緣體—金屬結(jié)構(gòu)中，總厚度最高可達(dá)到18微米（μm）。這可提供高達(dá)19,000伏特的高擊穿電壓特性，并有效提升電容性能。預(yù)計(jì)該技術(shù)將用于制造數(shù)字隔離專用電容器，以及用于抑制電子電路中電容耦
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因涉嫌向中國泄露DRAM技術(shù)被捕的三星、海力士前高管獲保釋

據(jù)悉，三星電子和海力士半導(dǎo)體（現(xiàn)SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術(shù)而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級(jí)法官）15日批準(zhǔn)崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護(hù)工業(yè)技術(shù)法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據(jù)《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個(gè)月。法院在拘留期屆滿前依職權(quán)準(zhǔn)予保釋。此外，據(jù)報(bào)道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級(jí)研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請(qǐng)保釋，法院受理。
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