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內(nèi)存墻

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內(nèi)存墻越筑越高

隨著靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)下難以持續(xù)微縮，整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)必須評(píng)估其對(duì)各類計(jì)算場(chǎng)景的沖擊，而短期內(nèi)暫無(wú)簡(jiǎn)易解決方案。核心要點(diǎn)每一代工藝節(jié)點(diǎn)微縮時(shí)，同等容量的 SRAM 所占芯片面積比例持續(xù)上升。該問(wèn)題...

內(nèi)存墻 SRAM 2026-04-03

AI 硬件設(shè)計(jì)如何破解 “內(nèi)存墻” 瓶頸？

從通用計(jì)算轉(zhuǎn)向 AI 專用硬件，其核心驅(qū)動(dòng)力是深度學(xué)習(xí)模型特有的計(jì)算與能耗需求。隨著模型規(guī)模擴(kuò)展至萬(wàn)億級(jí)參數(shù)，傳統(tǒng)架構(gòu)面臨內(nèi)存墻困境：在存儲(chǔ)器與處理單元之間搬運(yùn)數(shù)據(jù)所消耗的能量，已遠(yuǎn)超計(jì)算本身的能耗。本文梳理了當(dāng)前用于解...

AI 硬件設(shè)計(jì) 2026-03-20

借助英偉達(dá)全新CMX平臺(tái)突破GPU內(nèi)存墻瓶頸

在擴(kuò)展 AI 工作負(fù)載的過(guò)程中，你會(huì)遇到的問(wèn)題之一就是 KV 緩存耗盡 HBM 內(nèi)存，這會(huì)限制 AI 應(yīng)用的 “記憶” 容量，并導(dǎo)致用戶體驗(yàn)下降。針對(duì)這一問(wèn)題，英偉達(dá)及其合作伙伴正在開發(fā)全新的上下文內(nèi)存存儲(chǔ)平臺(tái)（Con...

英偉達(dá) CMX 2026-03-04

內(nèi)存墻瓶頸：AI計(jì)算引爆內(nèi)存超級(jí)周期

AI 內(nèi)存墻推動(dòng)高帶寬內(nèi)存（HBM）與第五代雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存（DDR5）需求激增，于 2025 年第三季度觸發(fā)超級(jí)周期。容量短缺迫使設(shè)備廠商要么漲價(jià)，要么降低規(guī)格，這一周期何時(shí)會(huì)終結(jié)？在過(guò)去幾十年里，半導(dǎo)體行業(yè)以摩爾定律...

內(nèi)存墻 AI計(jì)算 2026-02-05

內(nèi)存墻瓶頸：AI計(jì)算引發(fā)記憶超級(jí)周期

AI內(nèi)存墻正在推動(dòng)HBM和DDR5的需求，引發(fā)2025年第三季度的超級(jí)周期。容量短缺迫使設(shè)備提高價(jià)格或降低規(guī)格。這個(gè)循環(huán)什么時(shí)候會(huì)結(jié)束？在過(guò)去幾十年里，半導(dǎo)體行業(yè)一直以摩爾定律為驅(qū)動(dòng)力，持續(xù)提升晶體管密度，提升芯片性能，...

內(nèi)存墻 AI計(jì)算 2026-01-23

什么是HPC內(nèi)存墻，如何跨越它？

高性能計(jì)算（HPC）內(nèi)存墻通常是指處理器速度和內(nèi)存帶寬之間不斷擴(kuò)大的差距。當(dāng)處理器性能超過(guò)內(nèi)存訪問(wèn)速度時(shí)，這會(huì)在整體系統(tǒng)性能中造成瓶頸，尤其是在人工智能（AI）等內(nèi)存密集型應(yīng)用程序中。本文首先探討了內(nèi)存墻的傳統(tǒng)定...

HPC 內(nèi)存墻 2025-05-27

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內(nèi)存墻

內(nèi)存墻越筑越高

AI 硬件設(shè)計(jì)如何破解 “內(nèi)存墻” 瓶頸？

借助英偉達(dá)全新CMX平臺(tái)突破GPU內(nèi)存墻瓶頸

內(nèi)存墻瓶頸：AI計(jì)算引爆內(nèi)存超級(jí)周期

內(nèi)存墻瓶頸：AI計(jì)算引發(fā)記憶超級(jí)周期

什么是HPC內(nèi)存墻，如何跨越它？

借助組合式電量計(jì)提升精度并縮減系統(tǒng)占用空間

實(shí)施可靠電源的途徑

ADI家庭總線數(shù)據(jù)線供電解決方案

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場(chǎng)