DVB-SI技術(shù)社區(qū)

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DVB-SI資訊

Vishay推出額定電壓550 V和600 V的193 PUR-SI系列牛角式功率鋁電解電容器

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，公司193 PUR-SI系列微型牛角式功率鋁電解電容器陣容新增額定電壓為550 V和600 V的型號(hào)。該產(chǎn)品系列在...

Vishay 額定電壓 2026-03-16

硅基氮化鎵（GaN-on-Si）HEMT 在 5G 毫米波頻段的優(yōu)勢(shì)

法國(guó) SOITEC 公司與新加坡南洋理工大學(xué)的研究人員報(bào)道，適度微縮的硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作時(shí)，功率附加效率（PAE）突破 60%。該器件同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低至 1.1d...

硅基氮化鎵 GaN-on-Si 2026-03-04

Si-Five加入NVLink

SiFive將集成Nvidia NVLink Fusion，納入其數(shù)據(jù)中心級(jí)設(shè)計(jì)，拓展基于RISC-V構(gòu)建AI系統(tǒng)的選項(xiàng)。通過(guò)將寬且錯(cuò)序的核心與可擴(kuò)展的連貫結(jié)構(gòu)和先進(jìn)的內(nèi)存層級(jí)結(jié)合，SiFive 使云服務(wù)提供商和系統(tǒng)供應(yīng)...

Si-Five NVLink 2026-01-19

復(fù)旦大學(xué)在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索

異質(zhì)異構(gòu)Chiplet正成為后摩爾時(shí)代AI海量數(shù)據(jù)處理的重要技術(shù)路線之一，正引起整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛關(guān)注，但這種方法要真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，仍有賴(lài)于通用標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標(biāo)注的模擬類(lèi)比芯片技...

復(fù)旦大學(xué) Si CMOS 2025-02-18

ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3...

ROHM AC適配器 2023-07-19

深挖 GaN 潛力，中國(guó)企業(yè)別掉隊(duì)

氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度達(dá)到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對(duì)于電力...

GaN-on-Si 氮化鎵 2023-04-28

DVB-SI專(zhuān)欄

中國(guó)的碳化硅，密謀逆襲！

中國(guó)在晶圓生產(chǎn)和器件制造方面要趕上西方碳化硅供應(yīng)商還有多久？來(lái)源：SICC在蓬勃發(fā)展的電動(dòng)汽車(chē)需求和半導(dǎo)體自給自足的長(zhǎng)期目標(biāo)的推動(dòng)下，中國(guó)致力于發(fā)展基于碳化硅 (SiC) 的電力電子產(chǎn)品。中國(guó)超越西方碳化硅供應(yīng)商的計(jì)劃是...

SI 2022-12-11

SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區(qū)別

來(lái)源：techclass.rohm功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)前面已經(jīng)介紹過(guò)，如低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作等，顯而易見(jiàn)這些優(yōu)勢(shì)...

Si-MOSFET 2022-07-17

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