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超快充、數(shù)據(jù)中心成碳化硅SiC下一輪增長(zhǎng)引擎

電動(dòng)汽車超快充、數(shù)據(jù)中心電力基礎(chǔ)設(shè)施，將成為碳化硅（Si）的下一輪增長(zhǎng)引擎。安森美（onsemi）高級(jí)技術(shù)營(yíng)銷總監(jiān) Mrinal Das 在今年 “化合物半導(dǎo)體國(guó)際大會(huì)” 上，用一句話概括了 SiC 的下一波重大機(jī)遇：可...

碳化硅 SiC 2026-05-15

安森美公布2026年第一季度業(yè)績(jī)

安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON）公布其2026年第一季度業(yè)績(jī)，要點(diǎn)如下：·?第一季度營(yíng)收為15.13億美元，高于公司業(yè)績(jī)指引中值·?第一季度公認(rèn)會(huì)計(jì)原則（以下簡(jiǎn)稱“GAAP”）與非GAAP毛利率均為38...

安森美 2026年第一季度財(cái)報(bào) 2026-05-07

邁向SDV時(shí)代：安森美以10BASE-T1S方案加速車載網(wǎng)絡(luò)統(tǒng)一進(jìn)程

隨著軟件定義汽車（SDV）架構(gòu)向區(qū)域控制演進(jìn)，車載網(wǎng)絡(luò)正經(jīng)歷著深刻的變革。在傳統(tǒng)架構(gòu)中，車輛需搭載近百個(gè)獨(dú)立的電子控制單元（ECU），導(dǎo)致復(fù)雜的線束既沉重又難以部署。區(qū)域控制架構(gòu)通過(guò)功能聚類將ECU數(shù)量大幅縮減，并利用中...

安森美 SDV 2026-04-30

安森美與蔚來(lái)擴(kuò)大戰(zhàn)略合作，加速向下一代900V電動(dòng)汽車平臺(tái)演進(jìn)

摘要：安森美（onsemi）進(jìn)一步深化與蔚來(lái)（NIO）的長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作，助力蔚來(lái)加速向下一代900V高壓電動(dòng)汽車平臺(tái)轉(zhuǎn)型。雙方的合作基于安森美EliteSiC技術(shù)，以提升蔚來(lái)最新電動(dòng)汽車系列的能效、性能與可擴(kuò)展性，其中部分...

EliteSiC 蔚來(lái) 2026-04-27

10BASE-T1S：破解車載網(wǎng)絡(luò)瓶頸，重構(gòu)軟件定義汽車通信底座

隨著軟件定義汽車加速落地,高效、精簡(jiǎn)、適配車載場(chǎng)景的通信技術(shù)成為行業(yè)核心訴求。10BASE-T1S 作為專為車載與工業(yè)場(chǎng)景打造的以太網(wǎng)技術(shù),為破解車載網(wǎng)絡(luò)瓶頸統(tǒng)一提供了關(guān)鍵方案。本系列將分兩篇為您深度拆解安森美(onse...

安森美 10BASE-T1S 2026-04-22

碳化硅賦能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET

碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計(jì)邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場(chǎng)景的應(yīng)用價(jià)值。我們已...

安森美碳化硅 2026-04-22

高精度+消除運(yùn)動(dòng)偽影！安森美Hyperlux? ID解鎖機(jī)器視覺應(yīng)用新可能

深度感知是現(xiàn)實(shí)機(jī)器視覺應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵功能。安森美 (onsemi)?的Hyperlux? ID 間接飛行時(shí)間 (iToF) 深度傳感器，憑借更少、更小、更簡(jiǎn)單的器件，即可實(shí)現(xiàn)高精度深度感知。本系列文章將深度拆解安森...

安森美運(yùn)動(dòng)偽影 2026-04-17

功率密度升至2.4kW/L：拆解11kW矩陣式OBC的實(shí)現(xiàn)路徑

隨著全球電動(dòng)汽車市場(chǎng)對(duì)充電效率與架構(gòu)靈活性的要求不斷提升，OBC技術(shù)正迎來(lái)從繁至簡(jiǎn)的變革。為了深度拆解這一前沿趨勢(shì)，我們將通過(guò)兩篇系列文章介紹11 kW矩陣式OBC創(chuàng)新方案。第一篇講解了系統(tǒng)級(jí)架構(gòu)創(chuàng)新的趨勢(shì)。本文將聚焦安...

安森美矩陣式OBC 2026-04-16

從原理到應(yīng)用，深度解碼Hyperlux? ID iToF 技術(shù)

安森美 Hyperlux 2026-04-14

碳化硅賦能浪潮教程：替代Si 和SiC MOSFET的方案

碳化硅（SiC）憑借其優(yōu)異的材料特性，在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計(jì)邏輯出發(fā)，剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場(chǎng)景的應(yīng)用價(jià)值。我們已...

安森美碳化硅 2026-04-14

告別復(fù)雜架構(gòu)，11kW矩陣式OBC如何實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)成本與空間等多重突破？

隨著全球電動(dòng)汽車市場(chǎng)對(duì)充電效率與架構(gòu)靈活性的要求不斷提升，OBC技術(shù)正迎來(lái)從繁至簡(jiǎn)的變革。為了深度拆解這一前沿趨勢(shì)，我們將通過(guò)兩篇系列文章介紹11 kW矩陣式OBC創(chuàng)新方案。本文為第一篇，將重點(diǎn)聚焦系統(tǒng)級(jí)架構(gòu)創(chuàng)新的趨勢(shì)。...

安森美矩陣式OBC 2026-04-14

機(jī)器視覺大變局，從“掃描”到“洞察”

深度感知是現(xiàn)實(shí)機(jī)器視覺應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵功能。安森美 (onsemi)?的 Hyperlux??ID 間接飛行時(shí)間 (iToF) 深度傳感器，憑借更少、更小、更簡(jiǎn)單的器件，即可實(shí)現(xiàn)高精度深度感知。我們將通過(guò)一系列文章介...

安森美機(jī)器視覺 2026-04-10

從“掃描”到“洞察”：Hyperlux ID如何賦能下一代機(jī)器視覺

深度感知是現(xiàn)實(shí)機(jī)器視覺應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵功能。安森美（onsemi）的Hyperlux ID間接飛行時(shí)間（iToF）深度傳感器，憑借更少、更小、更簡(jiǎn)單的器件，即可實(shí)現(xiàn)高精度深度感知。現(xiàn)代機(jī)器不僅...

Hyperlux ID 機(jī)器視覺 2026-04-03

電動(dòng)汽車快速充電教程：功率因數(shù)校正 (PFC) 級(jí)

《實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車快速充電教程》從技術(shù)層面深入探討驅(qū)動(dòng)下一代電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)的架構(gòu)設(shè)計(jì)與相關(guān)器件。重點(diǎn)涵蓋兆瓦級(jí)電動(dòng)汽車充電技術(shù)背后的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)與創(chuàng)新、分立式方案和功率集成模塊 (PIM) 方案如何助力構(gòu)建可擴(kuò)展、高效且可靠...

安森美電動(dòng)汽車快速充電 2026-03-27

碳化硅賦能浪潮教程：SiC JFET驅(qū)動(dòng)工業(yè)與服務(wù)器電源革新

安森美碳化硅 2026-03-27

電動(dòng)汽車快速充電教程：分立組裝與模塊組裝對(duì)比分析

安森美電動(dòng)汽車快速充電 2026-03-27

NVIDIA GTC 2026 | 物理AI大爆炸：安森美以電源與感知重塑智能邊界

在NVIDIA GTC 2026 上，AI 的演進(jìn)路徑愈發(fā)清晰：AI 不再僅僅存在于虛擬世界中，它正通過(guò)更敏銳的感知和更高的能源效率，深度接入物理世界。作為英偉達(dá)的合作伙伴，安森美（onsemi）在此次盛會(huì)上，展示了智能...

安森美 NVIDIA 2026-03-27

PRISM助力成像應(yīng)用上市時(shí)間縮短六個(gè)月，實(shí)戰(zhàn)指南一文解讀

安森美 (onsemi)?推出的 Premie r圖像傳感器模塊參考設(shè)計(jì)(PRISM) 平臺(tái)，是一套預(yù)先優(yōu)化的子系統(tǒng)解決方案，旨在簡(jiǎn)化數(shù)字成像產(chǎn)品的開發(fā)流程。?PRISM?為創(chuàng)新者提供低成本、預(yù)調(diào)校、已優(yōu)化的模塊化器件，...

安森美 PRISM 2026-03-19

巧用圖像傳感器模塊參考設(shè)計(jì)(PRISM) ，簡(jiǎn)化成像設(shè)備從設(shè)計(jì)到制造的全流程

本教程圍繞安森美（onsemi）圖像傳感器模塊參考設(shè)計(jì)（PRISM）展開，聚焦成像設(shè)備從設(shè)計(jì)到制造的全流程優(yōu)化需求，系統(tǒng)介紹 PRISM 方案的核心架構(gòu)、功能模塊、性能特性及生態(tài)接入方式，為成像設(shè)備從業(yè)者提供...

安森美圖像傳感器 2026-03-19

電動(dòng)汽車快速充電教程：分立器件與PIM模塊，如何適配不同等級(jí)充電樁？

安森美快速充電 2026-03-19

電動(dòng)汽車快速充電教程：破解兆瓦級(jí)充電的核心技術(shù)挑戰(zhàn)

安森美電動(dòng)汽車快速充電 2026-03-06

為800V應(yīng)用選擇合適的半導(dǎo)體技術(shù)

隨著AI數(shù)據(jù)中心向更高功率密度和更高效能源分配演進(jìn)，高壓中間母線轉(zhuǎn)換器（HV IBC）正逐漸成為下一代云計(jì)算供電架構(gòu)中的關(guān)鍵器件。本文針對(duì)橫向GaN HEMT、碳化硅MOSFET及SiC Cascode JFET（CJF...

800V 半導(dǎo)體技術(shù) 2026-03-06

安森美工業(yè)圖像傳感器供電方案教程：圖像傳感器選型

yperlux CMOS圖像傳感器Hyperlux以工業(yè)和汽車圖像傳感領(lǐng)域的安全性與可靠性為核心理念。安森美的Hyperlux圖像傳感器能夠提供高達(dá)150 dB的卓越動(dòng)態(tài)范圍。這些傳感器專為在極寬的極端溫度范圍內(nèi)保持...

安森美圖像傳感器 2026-03-04

AI數(shù)據(jù)中心高壓中間母線拓?fù)溥x型：堆疊式/ 單相/ 三相 LLC性能對(duì)比

本白皮書將重點(diǎn)圍繞實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)的轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體技術(shù)展開探討。內(nèi)容主要聚焦于原邊的拓?fù)溥x擇與半導(dǎo)體器件；副邊假定采用低壓硅基 MOSFET ，并配置為中心抽頭電流倍增器或全橋結(jié)構(gòu)。第一篇已經(jīng)介紹了高壓IBC中的...

安森美 AI數(shù)據(jù)中心 2026-02-28

AI數(shù)據(jù)中心高壓中間母線轉(zhuǎn)換器應(yīng)用選型：橫向 GaN HEMT 、 SiC MOSFET與SiC Cascode JFET對(duì)比

隨著AI數(shù)據(jù)中心向更高功率密度和更高效能源分配演進(jìn) ，高壓中間母線轉(zhuǎn)換器（ HV IBC）正逐漸成為下一代云計(jì)算供電架構(gòu)中的關(guān)鍵器件。本文針對(duì)橫向GaN HEMT 、碳化硅MOSFET 及SiC Cascode J...

安森美 AI數(shù)據(jù)中心 2026-02-28

安森美工業(yè)圖像傳感器供電方案教程：電源樹設(shè)計(jì)

《工業(yè)圖像傳感器供電方案教程》圍繞穩(wěn)壓型降壓電源、低壓差穩(wěn)壓器（LDO）、Hyperlux CMOS圖像傳感器等展開講解。我們已經(jīng)介紹過(guò)——穩(wěn)壓型降壓電源的關(guān)鍵組成部分、降壓轉(zhuǎn)換器的工作原理、連續(xù)導(dǎo)通與斷續(xù)導(dǎo)通等低壓差穩(wěn)...

安森美工業(yè)圖像傳感器 2026-02-28

安森美工業(yè)圖像傳感器供電方案教程：降壓轉(zhuǎn)換器與LDO的優(yōu)劣對(duì)比

安森美工業(yè)圖像傳感器 2026-02-28

T2PAK封裝應(yīng)用筆記：通過(guò)特定方法驗(yàn)證T2PAK散熱設(shè)計(jì)的有效性

T2PAK應(yīng)用筆記重點(diǎn)介紹T2PAK封裝的貼裝及其熱性能的高效利用。內(nèi)容涵蓋以下方面：T2PAK封裝詳解：全面說(shuō)明封裝結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵規(guī)格參數(shù)；焊接注意事項(xiàng)：闡述實(shí)現(xiàn)可靠電氣連接的關(guān)鍵焊接注意事項(xiàng)；濕度敏感等級(jí)（MSL）要求：...

安森美 T2PAK封裝 2026-02-28

安森美工業(yè)LDO選型指南，電源工程師案頭必備

LDO 是一種具有低壓差電壓的線性穩(wěn)壓器，壓差電壓是指穩(wěn)壓器維持穩(wěn)壓狀態(tài)所需的最小電壓，等于所需的輸出電壓加上壓差電壓之和。安森美 (onsemi) 豐富的 LDO 產(chǎn)品組合包含多種高性能器件，具有輸入電壓范...

安森美 LDO 2026-02-28

T2PAK封裝應(yīng)用筆記：換流回路設(shè)計(jì)建議

安森美 T2PAK封裝 2026-02-28

安森美公布2025年第四季度及全年業(yè)績(jī)

安森美（onsemi）近日宣布公布其2025年第四季度及全年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)，要點(diǎn)如下：●? ?第四季度收入為15.30億美元●? ?第四季度公認(rèn)會(huì)計(jì)原則（以下簡(jiǎn)稱“GAAP”）和非GAAP毛利率分別為36.0%和38.2%●?...

安森美 2026-02-11

安森美2025年Q4營(yíng)收下滑，智能傳感業(yè)務(wù)降幅達(dá)17%

據(jù)路透社報(bào)道，安森美（Onsemi）發(fā)布的2025年第4季度財(cái)報(bào)顯示，其營(yíng)收為15.3億美元，同比減少11%；全年?duì)I收約為60億美元，同比下滑15.3%。公司預(yù)計(jì)2026年第1季度營(yíng)收將在14.4億至15.4億美元之間。...

安森美智能傳感 2026-02-10

收藏！安森美車規(guī)級(jí)LDO選型指南

LDO是一種具有低壓差電壓的線性穩(wěn)壓器，壓差電壓是指穩(wěn)壓器維持穩(wěn)壓狀態(tài)所需的最小電壓，所需的輸出電壓加上壓差電壓等于所需的最小輸入電壓。安森美 (onsemi)豐富的LDO產(chǎn)品組合包含多種高性能器件，具有輸入電壓范圍寬...

安森美車規(guī)級(jí)LDO 2026-02-10

工業(yè)圖像傳感器供電方案教程：計(jì)算熱耗散

安森美工業(yè)圖像傳感器 2026-02-10

能效新高度，設(shè)計(jì)新思路！安森美高集成度IPM推動(dòng)熱泵升級(jí)

熱泵是以低排放電力為動(dòng)力、經(jīng)實(shí)踐驗(yàn)證的安全可持續(xù)供暖方式，也是全球向安全可持續(xù)供暖轉(zhuǎn)型的核心技術(shù)。盡管熱泵的主要用途是供暖，但其逆循環(huán)功能使其可同時(shí)實(shí)現(xiàn)供暖與制冷。熱泵能夠回收余熱并將其溫度提升至更實(shí)用的水平，因此具備顯...

安森美 IPM 2026-02-10

安森美T2PAK封裝：破局熱管理瓶頸重構(gòu)高功率生態(tài)

在電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域迎來(lái)功率需求爆發(fā)式增長(zhǎng)的當(dāng)下，熱管理已成為制約電源產(chǎn)品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統(tǒng)封裝方案往往在散熱性能與開關(guān)特性之間難以兼顧，行業(yè)迫切需要兼具創(chuàng)新結(jié)構(gòu)與卓越性能的解決方案。...

202601 MOSFET 2026-02-03

T2PAK封裝應(yīng)用筆記：封裝結(jié)構(gòu)詳解

安森美 T2PAK 2026-01-29

效率、成本、可靠性三重突破：安森美SiC方案賦能儲(chǔ)能系統(tǒng)升級(jí)

在全球儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)加速擴(kuò)張與技術(shù)迭代的浪潮中，安森美（onsemi）聚焦功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新，圍繞儲(chǔ)能核心需求持續(xù)發(fā)力，在效率提升、成本控制、場(chǎng)景適配等關(guān)鍵維度形成核心競(jìng)爭(zhēng)力，為儲(chǔ)能行業(yè)發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)技術(shù)支撐。儲(chǔ)能逆變器在效率、成...

安森美儲(chǔ)能 2026-01-29

工業(yè)圖像傳感器供電方案教程：降壓轉(zhuǎn)換器的核心機(jī)制

在工業(yè)相機(jī)應(yīng)用中，未經(jīng)充分優(yōu)化的電源設(shè)計(jì)可能顯著增加開發(fā)成本和時(shí)間開銷。決定工業(yè)圖像傳感器能否高效用電、并由此延長(zhǎng)其使用壽命的關(guān)鍵元件是電源穩(wěn)壓器?！豆I(yè)圖像傳感器供電方案教程》圍繞穩(wěn)壓型降壓電源、低壓差穩(wěn)壓器（LD...

安森美工業(yè)圖像傳感器 2026-01-20

功率電路進(jìn)階教程：SiC JFET 如何實(shí)現(xiàn)熱插拔控制

本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說(shuō)明 SiC JFET 如何推動(dòng)電路保護(hù)系統(tǒng)取得重大進(jìn)步、通過(guò)評(píng)估和測(cè)試結(jié)果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過(guò)...

安森美功率電路 2026-01-19