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三星擬將iPhone用LPDDR價(jià)格環(huán)比上調(diào)超80%

三星電子與SK海力士可能大幅上調(diào)供應(yīng)給蘋(píng)果iPhone的LPDDR內(nèi)存價(jià)格。據(jù)ZDNet援引業(yè)內(nèi)人士消息，兩家公司已在2026年第一季度與蘋(píng)果就LPDDR供貨價(jià)格展開(kāi)談判，并提出顯著漲價(jià)要求：三星電子尋求環(huán)比（QoQ）漲...

三星 iPhone 2026-01-29

DDR5內(nèi)存現(xiàn)在可能比PlayStation 5還貴

64GB DDR5內(nèi)存的平均價(jià)格已飆升至500美元以上。如果你想要128GB的，預(yù)計(jì)要花比買(mǎi)電腦更高的價(jià)格。價(jià)格還在上漲：PC內(nèi)存的價(jià)格已經(jīng)高到64GB?DDR5內(nèi)存包輕松超過(guò)500美元，甚至超過(guò)索尼PlayStatio...

DDR 內(nèi)存 2025-11-25

中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格每天都在上漲：16GB DDR4模組10月飆升160%

由于內(nèi)存超級(jí)周期沒(méi)有放緩的跡象，定價(jià)已經(jīng)從季度周期轉(zhuǎn)向快速、每月甚至每日調(diào)整。第一財(cái)經(jīng)援引中國(guó)最大的電子中心深圳華強(qiáng)北的交易員的話(huà)報(bào)道稱(chēng)，飆升速度如此之快，就像“每天都有新價(jià)格”，這是多年來(lái)罕見(jiàn)的速度。DDR4 和 DD...

存儲(chǔ) DDR 2025-11-06

DDR 的 PCB布局及走線(xiàn)要求

1. 定義DDR：Double Date Rate 雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR、DDR2、DDR3常用規(guī)格：2. 阻抗控制要求單端走線(xiàn)控制 50 歐姆，差分走線(xiàn)控制 100 歐姆3. DDR 布局要求通常，根據(jù)器...

DDR PCB設(shè)計(jì) 2025-05-06

通過(guò) SDRAM 調(diào)整提升樹(shù)莓派的性能

樹(shù)莓派工程師調(diào)整了 Pi 的 SDRAM 時(shí)序和其他內(nèi)存設(shè)置，在默認(rèn)的 2.4 GHz 時(shí)鐘下實(shí)現(xiàn)了 10-20%的速度提升。我當(dāng)然要測(cè)試超頻，這讓我在 3.2 GHz 時(shí)獲得了 32% 的速度提升！這些更改可能很快就會(huì)...

樹(shù)莓派 SDRAM 2025-02-11

電源DDR硬件設(shè)計(jì)技巧

1、電源DDR的分類(lèi)A、主電源VDD和VDDQ主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給內(nèi)核供電。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有專(zhuān)門(mén)的VDD...

電源設(shè)計(jì) DDR 2024-07-19

雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）內(nèi)存簡(jiǎn)介

了解雙數(shù)據(jù)速率（DDR）存儲(chǔ)器的關(guān)鍵概念和圍繞這一數(shù)字通信技術(shù)的應(yīng)用，其中兩個(gè)數(shù)據(jù)字在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸。串行數(shù)據(jù)傳輸比并行數(shù)據(jù)傳輸具有重要優(yōu)勢(shì)，并且在許多系統(tǒng)中，這些優(yōu)勢(shì)足夠顯著，足以證明添加串行化和反串行化并行數(shù)據(jù)的...

雙倍數(shù)據(jù)速率 DDR 2024-05-17

存儲(chǔ)大廠(chǎng)現(xiàn)場(chǎng)展示HBM3E產(chǎn)品

近日，存儲(chǔ)大廠(chǎng)美光科技在GTC 2024活動(dòng)，展示一系列存儲(chǔ)解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預(yù)計(jì)2024年第二季搭配N(xiāo)VIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB ...

DDR 美光科技 2024-03-21

集邦咨詢(xún)：存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩

邁過(guò)2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來(lái)放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3...

存儲(chǔ) DDR 2024-03-16

2024年，存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！

DDR GDDR6 2024-03-15

DDR硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. 電源 DDR的電源可以分為三類(lèi)：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有VD...

DDR 內(nèi)存 2024-01-25

你所需要知道的HBM技術(shù)

在2024年即將到來(lái)之際，多家機(jī)構(gòu)給出預(yù)測(cè)，認(rèn)定生成式AI將成為2024年的增長(zhǎng)重點(diǎn)之一?；仡?023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場(chǎng)的AI應(yīng)用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據(jù)權(quán)...

HBM DDR 2023-12-22

ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！

簡(jiǎn)單解釋ROMROM：只讀存儲(chǔ)器，內(nèi)容寫(xiě)入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開(kāi)機(jī)啟動(dòng)如啟動(dòng)光盤(pán)bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時(shí)，計(jì)算機(jī)將C盤(pán)目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過(guò)cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時(shí)...

ROM RAM 2023-07-18

燦芯半導(dǎo)體推出兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)用于DDR物理層

一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出用于高速DDR物理層中的Zero-Latency （零延遲）和True-Adaptive（真自適應(yīng)）兩項(xiàng)技術(shù)。這兩項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)開(kāi)始在12/14 FinFET, 22/28...

燦芯 DDR 2022-07-07

三維封裝DDR2存儲(chǔ)器VD2D4G72XB191XX3U6測(cè)試

DDR2 SDRAM具有速度快、價(jià)格便宜、容量大的特點(diǎn)，應(yīng)用非常廣泛。通過(guò)采用三維封裝技術(shù)將5片數(shù)據(jù)位寬為16 bits的DDR2 SDRAM芯片封裝成一個(gè)存儲(chǔ)模塊VD2D4G72XB191XX3U6，在不額外占用PCB...

DDR2 SDRAM Magnum 2測(cè)試系統(tǒng) 2022-05-31

7200MHz! DDR4內(nèi)存超頻記錄被刷新

　　DDR4內(nèi)存已經(jīng)誕生了有10年之久，從一開(kāi)始的2133MHz頻率到后期逐漸站上2400MHz、2666MHz，一直到工藝與電路架構(gòu)升級(jí)后，現(xiàn)在民用普遍的3200MHz和性能玩家追捧的4166MHz。可以說(shuō)這十年以來(lái)，...

DDR 2021-04-27

NVIDIA選用新思科技經(jīng)驗(yàn)證DesignWare DDR IP核

重點(diǎn)：高質(zhì)量DesignWare DDR PHY IP核為NVIDIA提供無(wú)與倫比的性能、延遲和電源效率DDR PHY支持DDR5/4的每個(gè)通道多個(gè)DIMM，滿(mǎn)足NVIDIA的網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)速率和內(nèi)存容量要求基于固件的現(xiàn)場(chǎng)可升...

云計(jì)算 NVIDIA 2020-08-12

燦芯半導(dǎo)體為NVDIMM OEM提供完整解決方案

國(guó)際領(lǐng)先的定制化芯片（ASIC）設(shè)計(jì)方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“燦芯半導(dǎo)體”）近日對(duì)外宣布為一家著名的NVDIMM供應(yīng)商提供完整的NVDIMM控制器芯片解決方案。非...

OEM DDR 2020-07-23

宏旺半導(dǎo)體ICMAX置辦全自動(dòng)化大型DDR測(cè)試機(jī)臺(tái) 填補(bǔ)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白

在國(guó)內(nèi)疫情尚還未完全好轉(zhuǎn)的情況下，全球疫情開(kāi)始逐漸惡化。而日韓疫情的兇猛，更是給全球半導(dǎo)體領(lǐng)域投下了“重磅炸彈”。...

宏旺半導(dǎo)體 DDR 2020-03-17

基于FPGA與SDRAM的數(shù)字電視信號(hào)采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

要FPGA與的數(shù)字信號(hào)采集系統(tǒng)。可以提供大容量的存儲(chǔ)空間。提供優(yōu)秀的系統(tǒng)適應(yīng)能力。該方案通過(guò)計(jì)算機(jī)并口實(shí)現(xiàn)與計(jì)算機(jī)的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀...

SDRAM FPGA 2018-09-10

SDRAM電路設(shè)計(jì)詳解

介紹SDRAM電路設(shè)計(jì)之前先了解下SDRAM的尋址原理。SDRAM內(nèi)部是一個(gè)存儲(chǔ)陣列，可以把它想象成一個(gè)表格，和表格的檢索原理一樣，先指定行，再指定列，就可...

SDRAM 電路設(shè)計(jì) 2018-08-23

DDR硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)都在這里

　　DDR硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)　　1. 電源 DDR的電源可以分為三類(lèi)：　　a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成...

DDR PCB 2018-07-30

DDR內(nèi)存的發(fā)展簡(jiǎn)史：和三星有關(guān)

　　DDR的種類(lèi)：　　1、DDR SDRAM：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器;　　2、DDR2 SDR...

DDR 三星 2018-06-19

一文看懂ARM里的RAM和SDRAM有什么區(qū)別

　　本文主要介紹的是ARM里的RAM和SDRAM有什么區(qū)別，首先介紹了RAM的類(lèi)別及特點(diǎn)，其次對(duì)SDRAM做了詳細(xì)闡述，最后介紹了RAM和SDRAM的區(qū)別是什么?！　AM介紹　　Random-Access M...

ARM SDRAM 2018-05-03

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存即將到來(lái) 可業(yè)內(nèi)卻判DDR死刑

似乎中國(guó)已經(jīng)要趕上國(guó)外主流水準(zhǔn)，但是業(yè)內(nèi)卻傳出DDR內(nèi)存已經(jīng)過(guò)時(shí)，新的內(nèi)存即將取代，這無(wú)疑給國(guó)內(nèi)的DDR內(nèi)存制造廠(chǎng)商當(dāng)頭一棒。...

內(nèi)存 DDR 2018-03-28

控制DDR線(xiàn)長(zhǎng)匹配來(lái)保證時(shí)序，在PCB設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)該這么做！

　　DDR布線(xiàn)在PCB設(shè)計(jì)中占有舉足輕重的地位，設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵就是要保證系統(tǒng)有充足的時(shí)序裕量。要保證系統(tǒng)的時(shí)序，線(xiàn)長(zhǎng)匹配又是一個(gè)重要的環(huán)節(jié)。我們來(lái)回顧一下，DDR布線(xiàn)，線(xiàn)長(zhǎng)匹配的基本原則是：地址，控制/命令信號(hào)與時(shí)鐘做等...

PCB DDR 2018-01-25

SDRAM知多少？

　　SDRAM　　SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，同步是指內(nèi)存工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與...

SDRAM 2017-12-14

TB容量再升級(jí) 看西部數(shù)據(jù)有啥絕活

　　自從收購(gòu)SanDisk(閃迪)依賴(lài)，西部數(shù)據(jù)就開(kāi)始“名正言順”地進(jìn)入消費(fèi)級(jí)固態(tài)存儲(chǔ)市場(chǎng)。與仍保持SanDisk品牌的移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品不同，SanDisk的SSD產(chǎn)品已經(jīng)改頭換面，成為西部數(shù)據(jù)品牌下...

西部數(shù)據(jù) SDRAM 2017-09-21

DDR布線(xiàn)舉足輕重，一文看懂背后的大學(xué)問(wèn)

DDR 布線(xiàn) 2017-08-31

DDR布線(xiàn)舉足輕重，一文看懂背后的大學(xué)問(wèn)

DDR PCB 2017-06-13

基于A(yíng)RM9的USB設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

USB(Universal Serial Bus)是通用串行總線(xiàn)的縮寫(xiě)，因其具有方便易用，動(dòng)態(tài)分配帶寬，容錯(cuò)性?xún)?yōu)越和高性?xún)r(jià)比等特點(diǎn)，現(xiàn)已成為計(jì)算機(jī)的主流接口。...

USB CPU 2017-06-12

基于MIMO技術(shù)的視頻緩存器設(shè)計(jì)方案

隨著高速處理器的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來(lái)越廣泛，高速大容量緩存器被廣泛應(yīng)用于音視頻系統(tǒng)中，然而專(zhuān)用的高速大容量緩存芯片價(jià)格過(guò)于昂貴，傳統(tǒng)SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無(wú)法滿(mǎn)足應(yīng)用....

MIMO技術(shù) 視頻緩存器 2017-06-08

SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與VHDL實(shí)現(xiàn)

介紹了SDRAM的存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu)、主要控制時(shí)序和基本操作命令，并且結(jié)合實(shí)際系統(tǒng)，給出了一種用FPGA實(shí)現(xiàn)的通用SDRAM控制器的方案。...

VHDL 狀態(tài)機(jī) 2017-06-05

基于CPLD的SDRAM控制器的設(shè)計(jì)

SDRAM的讀寫(xiě)邏輯復(fù)雜，最高時(shí)鐘頻率達(dá)100 MHz以上，普通單片機(jī)無(wú)法實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的SDRAM控制操作，復(fù)雜可編程邏輯器件CPLD具有編程方便，集成度高，速度快，價(jià)格低等優(yōu)點(diǎn)。因此選用CPLD設(shè)計(jì)SDRAM接口控制模塊，...

刷新時(shí)序 CPLD 2017-06-05

基于FPGA的DDR內(nèi)存條的控制研究

隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的日益加大以及存儲(chǔ)速度的加快，大容量的高速存儲(chǔ)變得越來(lái)越重要。內(nèi)存條既能滿(mǎn)足大容量的存儲(chǔ)又能滿(mǎn)足讀寫(xiě)速度快的要求，這樣使得對(duì)內(nèi)存條控制的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。首先介紹了內(nèi)存條的工作原理，內(nèi)存條電路設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)，...

DDR 內(nèi)存條 2017-06-05

FPGA最小系統(tǒng)之：硬件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)技巧

FPGA的硬件設(shè)計(jì)不同于DSP和ARM系統(tǒng)，比較靈活和自由。只要設(shè)計(jì)好專(zhuān)用管腳的電路，通用I/O的連接可以自己定義。因此，F(xiàn)PGA的電路設(shè)計(jì)中會(huì)有一些特殊的技巧可以參考。...

EP1C6Q240 Altera 2017-06-05

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)電路分析

FPGA的管腳主要包括：用戶(hù)I/O（User I/O）、配置管腳、電源、時(shí)鐘及特殊應(yīng)用管腳等。其中有些管腳可有多種用途，所以在設(shè)計(jì)FPGA電路之前，需要認(rèn)真的閱讀相應(yīng)FPGA的芯片手冊(cè)。...

Cyclone Altera 2017-06-05

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念

FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡(jiǎn)單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說(shuō)的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時(shí)鐘、復(fù)位電路和電源。如果需要使用NIOS I...

FPGA最小系統(tǒng) Altera 2017-06-05

基于FPGA的LCoS顯示驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

研究了硅基液晶(LCoS)場(chǎng)序彩色顯示驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).該系統(tǒng)以FPGA作為主控芯片,用兩片高速DDR2 SDRAM作為幀圖像存儲(chǔ)器.通過(guò)對(duì)圖像數(shù)據(jù)以幀為單位進(jìn)行處理,系統(tǒng)將并行輸入的紅、綠、藍(lán)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成申行輸出的...

硅基液晶 DDR 2017-06-05

如何玩轉(zhuǎn)DDR？要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手

差分時(shí)鐘是DDR的一個(gè)重要且必要的設(shè)計(jì)，但大家對(duì)CK#（CKN）的作用認(rèn)識(shí)很少，很多人理解為第二個(gè)觸發(fā)時(shí)鐘，其實(shí)它的真實(shí)作用是起到觸發(fā)時(shí)鐘校準(zhǔn)的作用。...

DDR 差分時(shí)鐘 2017-06-03

DDR-SDRAM