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高塔（Tower）半導(dǎo)體：該感謝英特爾不娶之恩還是中國監(jiān)管的棒打鴛鴦？

截至3月20日收盤時，高塔半導(dǎo)體的市值已經(jīng)增長到184億美元，是當(dāng)初英特爾收購價格的3倍，反觀英特爾的制造和代工業(yè)務(wù)部門（IFS），依然在追求盈虧平衡的路上找不到方向。...

高塔半導(dǎo)體 Tower 2026-03-23

一種基于LDMOS器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化提升功率放大器功率附加效率的方法

　　吳錦帆（電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院??四川??成都??610054）　　摘?要：本文介紹了一種通過改進(jìn)LDMOS的器件結(jié)構(gòu)，提升以LDMOS搭建的功率放大器的功率附加效率大信號指標(biāo)的方法。在器件仿真環(huán)境中，通過對...

202006 LDMOS 2020-05-27

埃賦隆推出工作在433MHz頻段的500W LDMOS晶體管

近日，埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）現(xiàn)在面向工業(yè)加熱、除霜、等離子照明和醫(yī)療應(yīng)用推出基于LDMOS 的BLP05H9S500P功率放大器晶體管。BLP05H9S500P的工作頻率范圍為423至443MHz，它可在脈沖或連...

LDMOS VSWR 2020-01-25

氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動主流射頻應(yīng)用實現(xiàn)規(guī)?；?、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對能力

　　數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)?！　∨cLDMOS相比...

氮化鎵 LDMOS 2018-03-02

意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)簽署LDMOS技術(shù)許可合作協(xié)議

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)今天宣布與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技公司簽署一份LDMOS射頻功率技術(shù)許可協(xié)議。遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)是一家總部位于中國蘇州的無晶圓廠的半導(dǎo)體公...

意法半導(dǎo)體 LDMOS 2018-02-26

驗證射頻功率晶體管的耐用性

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管，...

射頻功率晶體管耐用性 2017-06-03

氮化鎵發(fā)展評估

本文介紹了氮化鎵的發(fā)展歷程，并與砷化鎵和LDMOS進(jìn)行對比與分析，介紹了氮化鎵在軍事、無線基站及射頻能量等方面的特性和未來發(fā)展的廣闊市場。...

氮化鎵砷化鎵 2016-12-28

寬頻設(shè)計不能滿足？來看看這款4G小基站用LDMOS功放

隨著人們對數(shù)據(jù)速率要求越來越高，直接導(dǎo)致無線通信系統(tǒng)帶寬的需求也在逐步增加，也同時推動了通信技術(shù)的進(jìn)一步可持續(xù)性發(fā)展。...

PTFC270101 小基站 2016-10-29

5G基站射頻市場：LDMOS開始下滑、GaN快速增長

　　2016年8月29日，每年一次循例來為華為RF工程師講課的Qorvo高級Fellow Bill Boesch在深圳接受了專訪，他說：“4G、5G基站大功率射頻(RF)元件市場正在發(fā)生變革，原有的占主導(dǎo)地位...

5G LDMOS 2016-09-05

寬頻設(shè)計不能滿足？來看看這款4G小基站用LDMOS功放

　　隨著人們對數(shù)據(jù)速率要求越來越高，直接導(dǎo)致無線通信系統(tǒng)帶寬的需求也在逐步增加，也同時推動了通信技術(shù)的進(jìn)一步可持續(xù)性發(fā)展。2G、3G、4G技術(shù)的相繼推出，使移動業(yè)務(wù)由單一形態(tài)逐漸過渡到可同時支持語音、數(shù)據(jù)和視頻等多種業(yè)務(wù)...

基站 LDMOS 2016-04-04

覆蓋TD-SCDMA雙頻段的大功率330W LDMOS

　　國際領(lǐng)先的微波半導(dǎo)體器件制造廠商英飛凌推出了可以覆蓋TD-SCDMA 兩個頻段的大功率330W LDMOS，器件型號為PXAC203302FV。該器件適用于1880-2025MHz頻段，可以用于基站多載波射頻功率放大...

TD-SCDMA LDMOS 2015-11-05

一種適用于RFIC的抗擊穿LDMOS設(shè)計

　　LDMOS(LateralDiffusedMetalOxideSemiconductorTransistor，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)以其高功率增益、高效率及低成本等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于移動通信基站、雷達(dá)、導(dǎo)航等領(lǐng)域...

LDMOS RFIC 2014-08-15

憑借第二代Airfast功放，飛思卡爾繼續(xù)擴(kuò)大RF領(lǐng)導(dǎo)地位

　　RF功率行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者飛思卡爾推出了第二代Airfast? RF功率解決方案，為高級無線架構(gòu)設(shè)備(包括GSM/UMTS、CDMA/W-CDMA、LTE和 TD-LTE應(yīng)用)提供了全新級別的性能。　　飛思卡爾最新的A...

飛思卡爾 RF 2014-07-08

飛思卡爾發(fā)布LDMOS首批11個射頻功率產(chǎn)品

　　射頻(RF)功率晶體管領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者飛思卡爾半導(dǎo)體日前宣布11個全新商用的射頻功率LDMOS產(chǎn)品全面上市，這個產(chǎn)品可滿足美國國防電子產(chǎn)品應(yīng)用的要求，這是2013年6月公布的公司射頻功率業(yè)務(wù)戰(zhàn)略防御計劃發(fā)布的首套產(chǎn)品...

飛思卡爾 LDMOS 2014-03-04

一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設(shè)計

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園...

射頻抗擊穿 2014-02-19

利用DS4303為LDMOS RF功率放大器提供偏置

摘要：LDMOS RF功率放大器因其極高的性價比在GSM和CDMA基站市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。使用LDMOS放大器時，保證高性能 ......

DS4303 LDMOS 2013-11-14

基站功率放大器ADS仿真設(shè)計

ADS 晶體管 2012-06-15

LDMOS結(jié)構(gòu)特點和使用優(yōu)勢

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電話技術(shù)開發(fā)的，蜂窩通信市場的不斷增長保證了LDMOS晶體管的應(yīng)用，...

優(yōu)勢使用 2012-06-04

飛思卡爾推出RF LDMOS功率管可在阻抗失配條件下使

飛思卡爾推出RF LDMOS功率管可在阻抗失配條件下使用,飛思卡爾半導(dǎo)體日前推出一款RF LDMOS功率管，工作頻率為1.8至600 MHz ，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應(yīng)用中所...

LDMOS 飛思卡爾 2012-05-08

基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功放設(shè)計

LDMOS TD-SCDMA 2012-04-25

基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功率放大器

　TD-SCDMA(時分同步碼分多址接入)是第三代移動通信三大主流標(biāo)準(zhǔn)之一，是我國具有自主知識產(chǎn)權(quán)的通信標(biāo)準(zhǔn)，它標(biāo)志著中國在移動通信領(lǐng)域已經(jīng)進(jìn)入世界先進(jìn)行列，目前，TD-SCDMA的商用化進(jìn)程正在順利地進(jìn)行之中[1]。T...

功率放大器射頻 2012-04-23

LDMOS結(jié)構(gòu)/優(yōu)點

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電話技術(shù) ......

LDMOS 2012-02-11

LDMOS的性能與制造工藝

LDMOS的性能概述　　與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上，而雙極型晶體管在5~6d ......

LDMOS 性能 2012-02-11

檢測LDMOS漏端電壓判斷是否過流方案

摘要：本文介紹采用直接檢測LDMOS 漏端電壓來判斷其是否過流的設(shè)計方案，給出了電路結(jié)構(gòu)。通過電路分析，并利用BCD 高壓工藝，在cadence 環(huán)境下進(jìn)行電路仿真驗證。結(jié)果證明：該方法能夠快速、實時地實現(xiàn)過流保護(hù)功能...

是否方案 2011-08-22

基于超薄外延技術(shù)的雙擴(kuò)散新型D-RESURF LDMOS設(shè)計

摘要：文中針對高壓節(jié)能應(yīng)用領(lǐng)域，開發(fā)了一種基于超薄外延技術(shù)的雙擴(kuò)散BCD兼容工藝，實現(xiàn)了一種新型D-RESURF結(jié)構(gòu)的700V LDMOS設(shè)計。結(jié)構(gòu)中N型外延的厚度減小為4．5mu;m，漂移區(qū)長度縮減至70mu;m，使得...

D-RESURF LDMOS 2011-04-11

飛思卡爾的先進(jìn)射頻功率處理技術(shù)LDMOS降低蜂窩發(fā)射器成本和功耗

飛思卡爾半導(dǎo)體近日推出其下一代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）射頻功率晶體管，以滿足蜂窩發(fā)射器降低功耗的......

LDMOS 2011-03-06

世強電訊推出Infineon 推動功放參考設(shè)計及Demoboard

　　Infineon的LDMOS功放管憑優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量性能已廣泛應(yīng)用在移動通信設(shè)備中，在國內(nèi)外不少知名通信設(shè)備生產(chǎn)商的設(shè)備中Infineon的功放管都占有一定的份額。　　其中，Infineon專門為了滿足移動通信市場...

Infineon LDMOS 2010-12-31

英飛凌向中國通信市場推出新一代LDMOS晶體管

　　英飛凌科技(Infineon TEchnologies)公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一，其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門。在中國，英飛凌先進(jìn)的半導(dǎo)體解決方案已廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域...

英飛凌晶體管 2010-10-18

恩智浦射頻產(chǎn)品技術(shù)中心落戶上海及波士頓近郊

　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射頻研發(fā)的投資，2010年上半年先后在中國上海以及美國馬塞諸塞州比爾里卡市(近波士頓)開設(shè)兩家恩智浦高性能射頻(RF)產(chǎn)品技術(shù)中心。中心主要從事...

NXP 射頻 2010-07-07

3G基站：LDMOS技術(shù)提升3G基站能效

　　我國的3G網(wǎng)絡(luò)發(fā)展?jié)摿εe世矚目，3G建設(shè)中最為關(guān)鍵的基站部署也已成為業(yè)界關(guān)注的核心。以高效功放、多載頻技術(shù)、分布式架構(gòu)、增強型室內(nèi)覆蓋等為代表的新一代基站創(chuàng)新性技術(shù)，將會讓運營商實現(xiàn)高性能、低成本的網(wǎng)絡(luò)部署。其中，功...

恩智浦 3G基站 2009-12-23

飛思卡爾推出全球首款50V LDMOS功率晶體管

　　飛思卡爾半導(dǎo)體近日揭開了全球首款適用于L波段雷達(dá)應(yīng)用的50V LDMOS RF功率晶體管產(chǎn)品的神秘面紗。這一產(chǎn)品線非常適合于各種高功率RF應(yīng)用，包括空中交通管理和長射程氣象雷達(dá)。? 　　RF產(chǎn)品線包括MRF6V14...

飛思卡爾晶體管 2008-06-05

恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

　　恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應(yīng)用其業(yè)界領(lǐng)先的第七代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）技術(shù)的首款產(chǎn)品，專為高功耗和Doherty放大器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。恩智浦的第七代LDMOS技...

恩智浦 LDMOS 2008-05-19

英飛凌推出行業(yè)最優(yōu)峰值輸出功率的LDMOS射頻功率晶體管

　　英飛凌科技股份公司（IFX： FSE, NYSE）發(fā)布兩款面向無線寬帶應(yīng)用的最新LDMOS射頻功率晶體管，例如在2.5至2.7 GHz頻段上運行的WiMAX應(yīng)用。這些產(chǎn)品可提供最高達(dá)170 W的峰值輸出功率，進(jìn)一步壯...

英飛凌 LDMOS 2008-05-05

飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管

飛思卡爾半導(dǎo)體日前在IEEE MTT-S國際微波大會上宣布推出全球最高功率的LDMOS射頻功率晶體管。MRF6VP11KH 設(shè)備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率，具有...

嵌入式系統(tǒng) 單片機 2007-08-07