3d-nand 文章最新資訊

SoC 集成度如何影響 SMT 貼片良率

本文詳解 SoC 系統(tǒng)級(jí)芯片集成度對(duì) SMT 貼片良率的影響，涵蓋細(xì)間距 BGA 工藝難題、封裝翹曲、回流焊溫度曲線優(yōu)化以及檢測(cè)管控策略。系統(tǒng)級(jí)芯片 SoC 存在明顯的矛盾特性：它能簡(jiǎn)化整機(jī)電路原理圖，卻大幅增加貼片組裝難度。將 CPU、GPU、內(nèi)存等完整計(jì)算架構(gòu)集成到單顆裸片內(nèi)部，雖然減少了整機(jī)元器件數(shù)量，但也讓焊點(diǎn)互聯(lián)工藝難度大幅提升。從常規(guī) 0.8mm 間距器件升級(jí)到 0.35mm 細(xì)間距 SoC，制造工藝窗口被極度壓縮。在超高密貼片場(chǎng)景中，一次貼片良率（FPY）不只是一項(xiàng)指標(biāo)，更是直接決定生產(chǎn)盈
關(guān)鍵字： SoC 系統(tǒng)級(jí)芯片 SMT 貼片良率 BGA 細(xì)間距封裝翹曲回流焊曲線 IPC-7525 鋼網(wǎng)開(kāi)孔面積比枕形虛焊 HiP 潤(rùn)濕不良開(kāi)路 NWO 焊點(diǎn)空洞 3D X-Ray 檢測(cè) 氮?dú)饣亓?/a> 盤(pán)中過(guò)孔封孔 POFV

1864億！SK海力士達(dá)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率高達(dá)72%，碾壓臺(tái)積電

2026年4月23日，SK海力士今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告。?SK海力士2026年第一季度主要數(shù)據(jù)：營(yíng)收52.58萬(wàn)億韓元（2429.2億元人民幣），較上一季度的32.83萬(wàn)億韓元增長(zhǎng)60%，同比增長(zhǎng)198%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn) 37.61 萬(wàn)億韓元（1737.6 億元人民幣），同比增長(zhǎng) 405.5%；凈利潤(rùn) 40.34 萬(wàn)億韓元（1863.7 億元人民幣），同比增長(zhǎng) 397.6%。從季度業(yè)績(jī)來(lái)看，銷售額首次突破50萬(wàn)億韓元大關(guān)，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為37.6萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率達(dá)
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傳聯(lián)電代工2D NAND有「三大關(guān)卡」缺人、缺技術(shù)、缺設(shè)備

國(guó)際存儲(chǔ)器原廠退出2D NAND閃存將成定局，受到供貨稀缺已推升低容量2D NAND價(jià)格快速飆升，近期市場(chǎng)傳出，聯(lián)電可能接獲SLC、MLC Flash的代工訂單，或?qū)⒋蚱莆磥?lái)2D NAND寡占供貨的局面。不過(guò)相關(guān)業(yè)者向DIGITIMES透露，過(guò)去數(shù)個(gè)月來(lái)，確實(shí)曾與聯(lián)電討論閃存的代工機(jī)會(huì)，但人力、制程整合與開(kāi)發(fā)能力以及設(shè)備等三大關(guān)鍵因素欠缺，成為最重要的卡關(guān)限制。據(jù)供應(yīng)鏈人士指出，NAND Flash價(jià)格從2026年以來(lái)漲勢(shì)兇猛，漲幅甚至已超過(guò)DRAM，但相比于MLC NAND或SLC NAND的供貨缺口更
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NAND報(bào)價(jià)狂漲：LTA將成為存儲(chǔ)器行業(yè)主流模式

本輪半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的核心引擎，當(dāng)屬NAND閃存的價(jià)格暴漲。據(jù)摩根士丹利證券預(yù)測(cè)，MLC（及成熟制程TLC）產(chǎn)品價(jià)格從今年首季到第四季漲幅將超過(guò)200%，下半年供需失衡幅度或達(dá)40%，缺口持續(xù)擴(kuò)大助推價(jià)格飆升。DRAM漲幅逐步收斂，反觀NAND價(jià)格動(dòng)能轉(zhuǎn)強(qiáng)，甚至超越DRAM：預(yù)估一般型DRAM在第二季度合約價(jià)格將上漲約58%-63%，NAND閃存則上漲約70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND產(chǎn)能幾近消失，終端客戶庫(kù)存普遍僅剩六至九個(gè)月，供需結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)趨緊繃。大摩科技產(chǎn)業(yè)分析師在最新釋出的報(bào)告中指
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多材料3D打印機(jī)“現(xiàn)場(chǎng)”制造整臺(tái)電動(dòng)機(jī)

增材制造（3D 打?。┑捏@人進(jìn)步已耳熟能詳，它可以使用一長(zhǎng)串材料制造大大小小的物件。其中一些物件可按需復(fù)刻現(xiàn)有零件，另一些則是采用鍛造、機(jī)加工、注塑、鑄造、擠壓、化學(xué)蝕刻等任何標(biāo)準(zhǔn)制造工藝都無(wú)法生產(chǎn)的結(jié)構(gòu)。麻省理工學(xué)院（MIT）的一組研究人員現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出一個(gè)多材料 3D 打印平臺(tái)，可一步到位完整打印出電氣設(shè)備（圖 1）。圖 1 本研究開(kāi)發(fā)的多模式、多材料擠出系統(tǒng)集成工具：(a) E3D Hemera 絲材擠出機(jī)；(b) 帶定制 3D 打印部件、兼容 E3D ToolChanger 的 Mahor v4 顆粒
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“黃金氣體”短缺成為半導(dǎo)體供應(yīng)鏈新危機(jī)

中東沖突的蔓延正通過(guò)氦氣短缺影響半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。伊朗對(duì)全球主要氦氣生產(chǎn)國(guó)卡塔爾的設(shè)施發(fā)動(dòng)襲擊，導(dǎo)致現(xiàn)貨價(jià)格翻番，并加劇了合同壓力。氦氣在晶圓刻蝕中不可替代，這對(duì)芯片生產(chǎn)構(gòu)成重大風(fēng)險(xiǎn)，尤其對(duì)三星電子和SK海力士等韓國(guó)企業(yè)造成嚴(yán)重影響 —— 市值蒸發(fā)超過(guò)2000億美元。最新報(bào)告顯示，伊朗對(duì)卡塔爾能源設(shè)施的襲擊嚴(yán)重影響了氦氣（被譽(yù)為“黃金氣體”）的供應(yīng)。這種看似“小眾”的工業(yè)氣體正逐漸成為全球芯片產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵風(fēng)險(xiǎn)因素。據(jù)報(bào)道，卡塔爾占全球氦氣供應(yīng)量的30%以上，其核心生產(chǎn)設(shè)施受損導(dǎo)致全球供應(yīng)驟減。短短兩周內(nèi)，氦氣現(xiàn)
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三星面臨大罷工，存儲(chǔ)價(jià)格或加速上漲

最新消息，由超過(guò)6.6萬(wàn)名韓國(guó)三星電子工會(huì)成員參與表決的投票結(jié)果顯示，93.1%的工會(huì)成員贊成罷工。若無(wú)重大變化，三星電子工會(huì)成員將于5月21日至6月7日全面罷工。據(jù)悉，本次罷工將是三星史上最大規(guī)模的罷工計(jì)劃。關(guān)鍵訴求：取消績(jī)效獎(jiǎng)金上限三星勞資雙方此前就2026年薪資問(wèn)題進(jìn)行了多輪談判，但雙方就部分議題的分歧持續(xù)擴(kuò)大，談判最終破裂。如果此次罷工得以實(shí)施，這將是三星自1969年成立以來(lái)遭遇的第二次大罷工，距離上一次2024年7月的25天總罷工僅不到兩年。三星工會(huì)要求提高績(jī)效獎(jiǎng)金計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)的透明度，取消績(jī)效獎(jiǎng)金
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Q1 DRAM再漲180%，NAND漲150%

據(jù)韓媒Chosun Biz、韓聯(lián)社等援引市調(diào)機(jī)構(gòu)Counterpoint Research數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度，64GB服務(wù)器級(jí)DRAM模塊（RDIMM）DDR5價(jià)格較2025年第四季度上漲150%，移動(dòng)終端用12GB LPDDR5X上漲130%。即使是前代的8GB SO-DIMM DDR4，價(jià)格也暴漲180%。不僅是DRAM價(jià)格出現(xiàn)130%~180%的大幅上漲，NAND產(chǎn)品線也上漲約130%~150%，漲幅遠(yuǎn)超此前預(yù)期的季度增長(zhǎng)100%。業(yè)界預(yù)測(cè)，存儲(chǔ)供應(yīng)短缺狀況預(yù)計(jì)將持續(xù)至2027年下半年。A
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英偉達(dá)罕見(jiàn)入局內(nèi)存研發(fā)：聯(lián)手三星共同推進(jìn)鐵電NAND商業(yè)化

3 月 13 日消息，得益于 AI 需求，包括 HBM 和 NAND 閃存在內(nèi)的各種存儲(chǔ)芯片已經(jīng)普遍處于供不應(yīng)求的局面。在此背景下，英偉達(dá)正加強(qiáng)與戰(zhàn)略伙伴的前瞻性技術(shù)合作，而不僅僅停留在簡(jiǎn)單的供應(yīng)關(guān)系上。據(jù)《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》昨日?qǐng)?bào)道，英偉達(dá)現(xiàn)已加入了三星電子的研發(fā)行列，共同開(kāi)發(fā)新的 AI 技術(shù)并合作研發(fā)鐵電 NAND 閃存。英偉達(dá)直接參與內(nèi)存研發(fā)，尤其是尚未商業(yè)化的鐵電 NAND 這類未來(lái)技術(shù)，實(shí)屬罕見(jiàn)之舉。鐵電 NAND 正被視作一項(xiàng)有望同時(shí)破解大型科技公司當(dāng)前面臨的兩大難題的突破性技術(shù)：內(nèi)存芯片短缺與
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應(yīng)用材料與美光、SK海力士合作

隨著人工智能熱潮推動(dòng)存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)，半導(dǎo)體設(shè)備制造商在收獲紅利的同時(shí)，也在加深與頭部存儲(chǔ)廠商的合作。據(jù)路透社報(bào)道，應(yīng)用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達(dá)成合作，共同開(kāi)發(fā)對(duì)人工智能與高性能計(jì)算至關(guān)重要的下一代芯片。3 月 10 日，應(yīng)用材料發(fā)布新聞稿稱，已與 SK 海力士簽署長(zhǎng)期合作協(xié)議，加速 DRAM 與 HBM 技術(shù)研發(fā)。雙方將在應(yīng)用材料新建的研發(fā)中心 ——設(shè)備與工藝創(chuàng)新與商業(yè)化中心（EPIC Center），聚焦存儲(chǔ)材料、工藝整合及 3D 先進(jìn)封裝技術(shù)
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多裸片芯片設(shè)計(jì)中凸點(diǎn)與硅通孔的高效規(guī)劃方案

近年來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展迅猛，尤其是高性能計(jì)算、人工智能和先進(jìn)汽車系統(tǒng)的需求持續(xù)攀升，傳統(tǒng)單裸片芯片設(shè)計(jì)已難以滿足當(dāng)下的功耗、性能、面積（PPA）指標(biāo)要求。為此，工程師們開(kāi)始采用多裸片架構(gòu)，將多個(gè)小尺寸裸片集成在單個(gè)封裝中。該架構(gòu)雖提升了芯片的可擴(kuò)展性與性能，卻也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)，其中互連規(guī)劃問(wèn)題尤為突出。而實(shí)現(xiàn)不同裸片間的通信，凸點(diǎn)與硅通孔（TSV）的高效規(guī)劃，是多裸片集成過(guò)程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。（圖 1：基于電子表格的凸點(diǎn)規(guī)劃示意圖）在多裸片設(shè)計(jì)中，芯片間的互連通過(guò)布置在裸片表面的微凸點(diǎn)或混合鍵合焊盤(pán)實(shí)現(xiàn)，這
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內(nèi)存價(jià)格邁入小時(shí)級(jí)波動(dòng)，中小廠商爭(zhēng)搶剩余貨源艱難求生

人工智能引發(fā)內(nèi)存供應(yīng)危機(jī)，DRAM 市場(chǎng)被迫啟用 “小時(shí)級(jí)定價(jià)” 模式 —— 數(shù)萬(wàn)家中小企業(yè)為生存展開(kāi)激烈爭(zhēng)奪逾 19 萬(wàn)家中小型電子企業(yè)正被人工智能浪潮擠出內(nèi)存市場(chǎng)。據(jù)《電子時(shí)報(bào)》今日發(fā)布的報(bào)道，受人工智能需求激增引發(fā)的內(nèi)存短缺問(wèn)題持續(xù)加劇影響，內(nèi)存價(jià)格開(kāi)始以小時(shí)為單位波動(dòng)。半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)部人士提醒，若中小廠商無(wú)法預(yù)付貨款并立即下單，短短數(shù)分鐘內(nèi)報(bào)價(jià)就可能大幅上漲。報(bào)道指出，當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)已明顯分化：約 100 家頭部采購(gòu)商憑借議價(jià)能力牢牢掌握貨源，而超過(guò) 19 萬(wàn)家中小企業(yè)只能爭(zhēng)搶剩余的少量庫(kù)存。人工智能
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NAND閃存供應(yīng)緊張群聯(lián)電子要求客戶縮短賬期并預(yù)付貨款

NAND 閃存供應(yīng)商的經(jīng)營(yíng)壓力，終于傳導(dǎo)至群聯(lián)電子。就在幾周前，群聯(lián)電子首席執(zhí)行官還透露，已有至少一家 NAND 閃存晶圓代工廠要求客戶預(yù)付貨款。如今，這家企業(yè)自身也難逃供應(yīng)緊張帶來(lái)的壓力。據(jù)《電子時(shí)報(bào)》亞洲版報(bào)道，群聯(lián)電子已開(kāi)始要求旗下客戶采用預(yù)付貨款或縮短付款周期的結(jié)算方式。群聯(lián)電子在致客戶的信函中表示，“核心供應(yīng)商近期已調(diào)整付款要求，改為預(yù)付貨款或縮短付款周期”，而公司 “在過(guò)去一段時(shí)間里，一直為客戶的訂單提供資金支持”。這意味著，群聯(lián)電子此前已向部分 NAND 閃存供應(yīng)商支付了預(yù)付款，如今不得不將
關(guān)鍵字： NAND 閃存群聯(lián)電子

三星終結(jié)2D NAND 時(shí)代戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向錨定 AI 時(shí)代高利潤(rùn)賽道

當(dāng)三星在HBM4時(shí)代彎道超車，重新獲得英偉達(dá)的青睞并可能承接最大份額訂單，低利潤(rùn)的2D NAND就成為產(chǎn)能重構(gòu)下的棄子。 2026 年 2 月末，三星電子宣布將關(guān)停其韓國(guó)華城工廠 12 號(hào)線的 2D NAND 閃存生產(chǎn) —— 這是三星最后一條 2D NAND 產(chǎn)線，此舉標(biāo)志著自 2002 年開(kāi)啟的平面閃存量產(chǎn)時(shí)代正式落幕。這座月產(chǎn)能達(dá) 8 萬(wàn)至 10 萬(wàn)片 12 英寸晶圓的產(chǎn)線，將于 2026 年 3 月正式停工并改造為 1C DRAM 后道封測(cè)廠，聚焦 DRAM 布線等核心后道工序。這場(chǎng)產(chǎn)能調(diào)
關(guān)鍵字：三星 HBM4 2D NAND AI

存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)攀升，DRAM和NAND再創(chuàng)新高

據(jù)市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange于2月27日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存芯片的價(jià)格繼續(xù)同步上漲，其中DRAM價(jià)格再次創(chuàng)下歷史新高，達(dá)到13美元，而NAND閃存價(jià)格漲幅超過(guò)33%。自去年4月以來(lái)，通用DRAM價(jià)格已連續(xù)11個(gè)月上漲。數(shù)據(jù)顯示，2月份通用PC DRAM產(chǎn)品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易價(jià)格為13.00美元，較上月的11.50美元上漲了13.04%。這一價(jià)格創(chuàng)下自2016年6月開(kāi)始該項(xiàng)調(diào)查以來(lái)的最高紀(jì)錄。TrendForce分析指出，PC DRAM價(jià)格較上一季度上漲
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)芯片 DRAM NAND TrendForce