v-nand 文章 最新資訊
1864億！SK海力士達營業(yè)利潤率高達72%，碾壓臺積電
- 2026年4月23日，SK海力士今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財年第一季度財務(wù)報告。?SK海力士2026年第一季度主要數(shù)據(jù)：營收52.58萬億韓元（2429.2億元人民幣），較上一季度的32.83萬億韓元增長60%，同比增長198%；營業(yè)利潤 37.61 萬億韓元（1737.6 億元人民幣），同比增長 405.5%；凈利潤 40.34 萬億韓元（1863.7 億元人民幣），同比增長 397.6%。從季度業(yè)績來看，銷售額首次突破50萬億韓元大關(guān)，營業(yè)利潤為37.6萬億韓元，營業(yè)利潤率達
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM NAND 閃存 AI
傳聯(lián)電代工2D NAND有「三大關(guān)卡」 缺人、缺技術(shù)、缺設(shè)備
- 國際存儲器原廠退出2D NAND閃存將成定局，受到供貨稀缺已推升低容量2D NAND價格快速飆升，近期市場傳出，聯(lián)電可能接獲SLC、MLC Flash的代工訂單，或?qū)⒋蚱莆磥?D NAND寡占供貨的局面。不過相關(guān)業(yè)者向DIGITIMES透露，過去數(shù)個月來，確實曾與聯(lián)電討論閃存的代工機會，但人力、制程整合與開發(fā)能力以及設(shè)備等三大關(guān)鍵因素欠缺，成為最重要的卡關(guān)限制。據(jù)供應(yīng)鏈人士指出，NAND Flash價格從2026年以來漲勢兇猛，漲幅甚至已超過DRAM，但相比于MLC NAND或SLC NAND的供貨缺口更
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)電 2D NAND
NAND報價狂漲：LTA將成為存儲器行業(yè)主流模式
- 本輪半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的核心引擎，當(dāng)屬NAND閃存的價格暴漲。據(jù)摩根士丹利證券預(yù)測，MLC（及成熟制程TLC）產(chǎn)品價格從今年首季到第四季漲幅將超過200%，下半年供需失衡幅度或達40%，缺口持續(xù)擴大助推價格飆升。DRAM漲幅逐步收斂，反觀NAND價格動能轉(zhuǎn)強，甚至超越DRAM：預(yù)估一般型DRAM在第二季度合約價格將上漲約58%-63%，NAND閃存則上漲約70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND產(chǎn)能幾近消失，終端客戶庫存普遍僅剩六至九個月，供需結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)趨緊繃。大摩科技產(chǎn)業(yè)分析師在最新釋出的報告中指
- 關(guān)鍵字： NAND LTA 存儲器 閃存 DRAM AI 閃迪
“黃金氣體”短缺成為半導(dǎo)體供應(yīng)鏈新危機
- 中東沖突的蔓延正通過氦氣短缺影響半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。伊朗對全球主要氦氣生產(chǎn)國卡塔爾的設(shè)施發(fā)動襲擊，導(dǎo)致現(xiàn)貨價格翻番，并加劇了合同壓力。氦氣在晶圓刻蝕中不可替代，這對芯片生產(chǎn)構(gòu)成重大風(fēng)險，尤其對三星電子和SK海力士等韓國企業(yè)造成嚴重影響 —— 市值蒸發(fā)超過2000億美元。最新報告顯示，伊朗對卡塔爾能源設(shè)施的襲擊嚴重影響了氦氣（被譽為“黃金氣體”）的供應(yīng)。這種看似“小眾”的工業(yè)氣體正逐漸成為全球芯片產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵風(fēng)險因素。據(jù)報道，卡塔爾占全球氦氣供應(yīng)量的30%以上，其核心生產(chǎn)設(shè)施受損導(dǎo)致全球供應(yīng)驟減。短短兩周內(nèi)，氦氣現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 芯片 氦氣 溴 DRAM NAND
三星面臨大罷工，存儲價格或加速上漲
- 最新消息，由超過6.6萬名韓國三星電子工會成員參與表決的投票結(jié)果顯示，93.1%的工會成員贊成罷工。若無重大變化，三星電子工會成員將于5月21日至6月7日全面罷工。據(jù)悉，本次罷工將是三星史上最大規(guī)模的罷工計劃。關(guān)鍵訴求：取消績效獎金上限三星勞資雙方此前就2026年薪資問題進行了多輪談判，但雙方就部分議題的分歧持續(xù)擴大，談判最終破裂。如果此次罷工得以實施，這將是三星自1969年成立以來遭遇的第二次大罷工，距離上一次2024年7月的25天總罷工僅不到兩年。三星工會要求提高績效獎金計算標(biāo)準(zhǔn)的透明度，取消績效獎金
- 關(guān)鍵字： 三星 存儲 DRAM NAND HBM
Q1 DRAM再漲180%，NAND漲150%
- 據(jù)韓媒Chosun Biz、韓聯(lián)社等援引市調(diào)機構(gòu)Counterpoint Research數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度，64GB服務(wù)器級DRAM模塊（RDIMM）DDR5價格較2025年第四季度上漲150%，移動終端用12GB LPDDR5X上漲130%。即使是前代的8GB SO-DIMM DDR4，價格也暴漲180%。不僅是DRAM價格出現(xiàn)130%~180%的大幅上漲，NAND產(chǎn)品線也上漲約130%~150%，漲幅遠超此前預(yù)期的季度增長100%。業(yè)界預(yù)測，存儲供應(yīng)短缺狀況預(yù)計將持續(xù)至2027年下半年。A
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
英偉達罕見入局內(nèi)存研發(fā)：聯(lián)手三星共同推進鐵電NAND商業(yè)化
- 3 月 13 日消息，得益于 AI 需求，包括 HBM 和 NAND 閃存在內(nèi)的各種存儲芯片已經(jīng)普遍處于供不應(yīng)求的局面。在此背景下，英偉達正加強與戰(zhàn)略伙伴的前瞻性技術(shù)合作，而不僅僅停留在簡單的供應(yīng)關(guān)系上。據(jù)《首爾經(jīng)濟日報》昨日報道，英偉達現(xiàn)已加入了三星電子的研發(fā)行列，共同開發(fā)新的 AI 技術(shù)并合作研發(fā)鐵電 NAND 閃存。英偉達直接參與內(nèi)存研發(fā)，尤其是尚未商業(yè)化的鐵電 NAND 這類未來技術(shù)，實屬罕見之舉。鐵電 NAND 正被視作一項有望同時破解大型科技公司當(dāng)前面臨的兩大難題的突破性技術(shù)：內(nèi)存芯片短缺與
- 關(guān)鍵字： 英偉達 內(nèi)存 三星 NAND
應(yīng)用材料與美光、SK海力士合作
- 隨著人工智能熱潮推動存儲需求增長，半導(dǎo)體設(shè)備制造商在收獲紅利的同時，也在加深與頭部存儲廠商的合作。據(jù)路透社報道，應(yīng)用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達成合作，共同開發(fā)對人工智能與高性能計算至關(guān)重要的下一代芯片。3 月 10 日，應(yīng)用材料發(fā)布新聞稿稱，已與 SK 海力士簽署長期合作協(xié)議，加速 DRAM 與 HBM 技術(shù)研發(fā)。雙方將在應(yīng)用材料新建的研發(fā)中心 ——設(shè)備與工藝創(chuàng)新與商業(yè)化中心（EPIC Center），聚焦存儲材料、工藝整合及 3D 先進封裝技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用材料 美光 SK海力士 半導(dǎo)體 DRAM HBM NAND
內(nèi)存價格邁入小時級波動，中小廠商爭搶剩余貨源艱難求生
- 人工智能引發(fā)內(nèi)存供應(yīng)危機，DRAM 市場被迫啟用 “小時級定價” 模式 —— 數(shù)萬家中小企業(yè)為生存展開激烈爭奪逾 19 萬家中小型電子企業(yè)正被人工智能浪潮擠出內(nèi)存市場。據(jù)《電子時報》今日發(fā)布的報道，受人工智能需求激增引發(fā)的內(nèi)存短缺問題持續(xù)加劇影響，內(nèi)存價格開始以小時為單位波動。半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)部人士提醒，若中小廠商無法預(yù)付貨款并立即下單，短短數(shù)分鐘內(nèi)報價就可能大幅上漲。報道指出，當(dāng)前內(nèi)存市場已明顯分化：約 100 家頭部采購商憑借議價能力牢牢掌握貨源，而超過 19 萬家中小企業(yè)只能爭搶剩余的少量庫存。人工智能
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DRAM NAND
NAND閃存供應(yīng)緊張 群聯(lián)電子要求客戶縮短賬期并預(yù)付貨款
- NAND 閃存供應(yīng)商的經(jīng)營壓力，終于傳導(dǎo)至群聯(lián)電子。就在幾周前，群聯(lián)電子首席執(zhí)行官還透露，已有至少一家 NAND 閃存晶圓代工廠要求客戶預(yù)付貨款。如今，這家企業(yè)自身也難逃供應(yīng)緊張帶來的壓力。據(jù)《電子時報》亞洲版報道，群聯(lián)電子已開始要求旗下客戶采用預(yù)付貨款或縮短付款周期的結(jié)算方式。群聯(lián)電子在致客戶的信函中表示，“核心供應(yīng)商近期已調(diào)整付款要求，改為預(yù)付貨款或縮短付款周期”，而公司 “在過去一段時間里，一直為客戶的訂單提供資金支持”。這意味著，群聯(lián)電子此前已向部分 NAND 閃存供應(yīng)商支付了預(yù)付款，如今不得不將
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 群聯(lián)電子
三星終結(jié)2D NAND 時代 戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向錨定 AI 時代高利潤賽道
- 當(dāng)三星在HBM4時代彎道超車，重新獲得英偉達的青睞并可能承接最大份額訂單，低利潤的2D NAND就成為產(chǎn)能重構(gòu)下的棄子。 2026 年 2 月末，三星電子宣布將關(guān)停其韓國華城工廠 12 號線的 2D NAND 閃存生產(chǎn) —— 這是三星最后一條 2D NAND 產(chǎn)線，此舉標(biāo)志著自 2002 年開啟的平面閃存量產(chǎn)時代正式落幕。這座月產(chǎn)能達 8 萬至 10 萬片 12 英寸晶圓的產(chǎn)線，將于 2026 年 3 月正式停工并改造為 1C DRAM 后道封測廠，聚焦 DRAM 布線等核心后道工序。這場產(chǎn)能調(diào)
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM4 2D NAND AI
存儲芯片價格持續(xù)攀升，DRAM和NAND再創(chuàng)新高
- 據(jù)市場研究公司DRAMeXchange于2月27日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存芯片的價格繼續(xù)同步上漲，其中DRAM價格再次創(chuàng)下歷史新高，達到13美元，而NAND閃存價格漲幅超過33%。自去年4月以來，通用DRAM價格已連續(xù)11個月上漲。數(shù)據(jù)顯示，2月份通用PC DRAM產(chǎn)品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易價格為13.00美元，較上月的11.50美元上漲了13.04%。這一價格創(chuàng)下自2016年6月開始該項調(diào)查以來的最高紀錄。TrendForce分析指出，PC DRAM價格較上一季度上漲
- 關(guān)鍵字： 存儲芯片 DRAM NAND TrendForce
存儲價格將繼續(xù)上漲
- 隨著AI服務(wù)的進步，需求不斷增長，而供應(yīng)仍然有限，分析師預(yù)計今年內(nèi)存價格的上漲趨勢將持續(xù)。一些人認為，市場已經(jīng)進入了供應(yīng)商主導(dǎo)的階段。目前，SK海力士的DRAM和NAND庫存已降至約四周的供應(yīng)量。穩(wěn)健的庫存管理和緊張的供需環(huán)境有利于就長期合同進行磋商，DRAM相對于需求的短缺也可能有利于2027年HBM業(yè)務(wù)的擴張。SK海力士認為，在AI客戶強勁需求的推動下，當(dāng)前的內(nèi)存價格上漲趨勢可能貫穿全年。雖然PC和移動用戶可能因價格大幅上漲而降低配置（despeccing），這可能會抑制需求，但由于供應(yīng)擴張能力有限，
- 關(guān)鍵字： 存儲 NAND DRAM SK海力士
群聯(lián)預(yù)警：2026 NAND閃存短缺將沖擊消費電子產(chǎn)業(yè)
- 群聯(lián)電子（Phison）首席執(zhí)行官潘健成（K.S. Pua Khein-Seng）發(fā)出警告，2026 年即將到來的 NAND 閃存短缺可能嚴重擾亂甚至?xí)簳r中斷部分消費電子供應(yīng)鏈。他在近期發(fā)言中指出，存儲芯片產(chǎn)能正日益向人工智能（AI）基礎(chǔ)設(shè)施傾斜，導(dǎo)致消費電子原始設(shè)備制造商（OEM）在供貨穩(wěn)定性和采購成本上面臨雙重擠壓。2026 年 NAND 短缺：群聯(lián)為何拉響警報此次危機的核心不僅在于供給收緊，更在于采購條款的顯著惡化。潘健成透露，至少有一家晶圓代工廠要求客戶為產(chǎn)能支付三年期預(yù)付現(xiàn)金。若情況屬實，如此高
- 關(guān)鍵字： 群聯(lián) NAND 閃存短缺 消費電子
長江存儲進入加速期，三期項目計劃今年建成投產(chǎn)
- 近日，長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設(shè)備，項目負責(zé)人透露，計劃今年建成投產(chǎn)。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設(shè)現(xiàn)場三期擴產(chǎn)與未來目標(biāo)長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，主要為市場提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案。2021年12月，長江存儲二期科技有限責(zé)任公司成立，注冊資本600億元。2025年9月，長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司成立，注冊資本達207.2億元?——?由長江存儲持股5
- 關(guān)鍵字： 長江存儲 半導(dǎo)體 3D NAND 晶棧 Xtacking
v-nand介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條v-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對v-nand的理解，并與今后在此搜索v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對v-nand的理解，并與今后在此搜索v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
v-nand電路
v-nand相關(guān)帖子
v-nand資料下載
v-nand專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473