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3D芯片

　　世界上第一款3D芯片工藝已經(jīng)準(zhǔn)備獲取牌照，該工藝來自于無晶圓半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司BeSang公司。BeSang公司制作的用于演示的芯片在其控制邏輯上使用了1。28億個(gè)垂直晶體管用作內(nèi)存位單元。該芯片的設(shè)計(jì)在國家Nanofab中心(韓國大田)和斯坦福Nanofab(美國加州)進(jìn)行。查看更多>>

虛擬硅片如何推動(dòng)3D芯片創(chuàng)新

在高速發(fā)展的半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，創(chuàng)新速度往往快于成熟的驗(yàn)證與確認(rèn)方法。3D IC 的出現(xiàn)進(jìn)一步加劇了這一挑戰(zhàn) —— 它將多層有源器件或小芯片以超高密度形式垂直堆疊。這種架構(gòu)帶來了全新的制造復(fù)雜度，也對(duì)長期可靠性提出了新的問題...

虛擬硅片 3D芯片 2026-04-09

美國工程師研發(fā)出新型3D芯片，性能超2D芯片一個(gè)數(shù)量級(jí)

12 月 14 日消息，據(jù) InterestingEngineering 報(bào)道，美國工程師研發(fā)出一種具有獨(dú)特架構(gòu)的新型多層計(jì)算機(jī)芯片，有望開啟人工智能硬件新紀(jì)元。研究團(tuán)隊(duì)指出，在硬件測試和仿真中，這款新型三維（3D）芯片...

3D芯片 2D芯片 2025-12-15

美國代工廠首個(gè)真正制造的3D芯片，采用碳納米管晶體管和內(nèi)存集成于單芯片上——未來器件的能量延遲產(chǎn)物性能有望提升多達(dá)1000倍

SkyWater制造的原型機(jī)展現(xiàn)了密集的垂直內(nèi)存邏輯集成，并可測量和模擬AI加速。一個(gè)合作研究團(tuán)隊(duì)展示了據(jù)稱這是美國商業(yè)代工廠制造的首款單片三維集成電路，報(bào)告其性能優(yōu)于傳統(tǒng)平面芯片設(shè)計(jì)。該原型由斯坦福大學(xué)、卡內(nèi)基梅隆大學(xué)...

3D芯片碳納米管晶體管 2025-12-15

采用3D芯片設(shè)計(jì)的更快、更節(jié)能的電子設(shè)備

麻省理工學(xué)院和其他地方的研究人員開發(fā)了一種新的制造工藝，將高性能 GaN 晶體管集成到標(biāo)準(zhǔn)硅 CMOS 芯片上來自麻省理工學(xué)院網(wǎng)站：他們的方法包括在 GaN 芯片表面構(gòu)建許多微小的晶體管，切出每個(gè)單獨(dú)的晶體管，然后使用低...

3D芯片電子設(shè)備 2025-06-19

混合鍵合在3D芯片中發(fā)揮著重要作用

上周，IEEE電子元件與技術(shù)會(huì)議（ECTC）的研究人員推動(dòng)了一項(xiàng)對(duì)尖端處理器和存儲(chǔ)器至關(guān)重要的技術(shù)。該技術(shù)被稱為混合鍵合，將兩個(gè)或多個(gè)芯片堆疊在同一封裝中，使芯片制造商能夠增加其處理器和存儲(chǔ)器中的晶體管數(shù)量，盡管曾經(jīng)定義...

混合鍵合 3D芯片 2024-06-26

默克：3D芯片是摩爾定律物理極限的最佳解答

　　隨著半導(dǎo)體先進(jìn)制程持續(xù)往5奈米、3奈米逼近的同時(shí)，摩爾定律也正逐漸走向物理極限。制程的微縮不只越來越困難，耗用的時(shí)間也越來越長，成本也越走越高。這使得半導(dǎo)體也必須從材料端與封裝端來打破制程技術(shù)的限制，并達(dá)到技術(shù)上的突...

3D芯片摩爾定律 2017-09-12

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3D芯片

虛擬硅片如何推動(dòng)3D芯片創(chuàng)新

美國工程師研發(fā)出新型3D芯片，性能超2D芯片一個(gè)數(shù)量級(jí)

美國代工廠首個(gè)真正制造的3D芯片，采用碳納米管晶體管和內(nèi)存集成于單芯片上——未來器件的能量延遲產(chǎn)物性能有望提升多達(dá)1000倍

采用3D芯片設(shè)計(jì)的更快、更節(jié)能的電子設(shè)備

混合鍵合在3D芯片中發(fā)揮著重要作用

默克：3D芯片是摩爾定律物理極限的最佳解答

借助組合式電量計(jì)提升精度并縮減系統(tǒng)占用空間

實(shí)施可靠電源的途徑

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