SRAM & MRAM技術(shù)社區(qū)

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SRAM & MRAM資訊

內(nèi)存墻越筑越高

隨著靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)下難以持續(xù)微縮，整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)必須評(píng)估其對(duì)各類計(jì)算場(chǎng)景的沖擊，而短期內(nèi)暫無(wú)簡(jiǎn)易解決方案。核心要點(diǎn)每一代工藝節(jié)點(diǎn)微縮時(shí)，同等容量的 SRAM 所占芯片面積比例持續(xù)上升。該問(wèn)題...

內(nèi)存墻 SRAM 2026-04-03

汽車存儲(chǔ)器新突破：8nm128Mb嵌入式MRAM的研發(fā)

全球首款 8 納米 128 兆位嵌入式自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機(jī)存取(MRAM)存儲(chǔ)器，相關(guān)研究成果收錄于 2025 年國(guó)際電子器件會(huì)議磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 / 阻變存儲(chǔ)器專題論文集汽車技術(shù)的飛速發(fā)展，推動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)高可靠性、高性能半導(dǎo)...

汽車存儲(chǔ)器 8nm 2026-03-02

自旋芯片與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室發(fā)布全球首款單片容量4 Mb全功能SOT-MRAM芯片

本次技術(shù)突破有力推動(dòng)了 SOT-MRAM 技術(shù)的發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。在 2025 年 12 月 13 日至 15 日召開(kāi)的「第一屆自旋芯片與技術(shù)研討會(huì)」上，自旋芯片與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室發(fā)布了全球首款單片容量達(dá)到 4 Mb ...

SOT-MRAM 2026-02-10

2025年MRAM全球創(chuàng)新論壇將展示MRAM技術(shù)創(chuàng)新、進(jìn)展及行業(yè)專家的研究成果

MRAM全球創(chuàng)新論壇是行業(yè)內(nèi)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）技術(shù)的頂級(jí)平臺(tái)，匯聚了來(lái)自業(yè)界和學(xué)術(shù)界的頂尖磁學(xué)專家與研究人員，共同分享MRAM的最新進(jìn)展。今年已是第13屆，這一為期一天的年度會(huì)議將于2025年12月11日IE...

MRAM 存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新 2025-12-10

瑞薩電子超高算力RA8系列新增兩款MCU產(chǎn)品，搭載1GHz雙核7300 CoreMark跑分及嵌入式MRAM技術(shù)

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出RA8M2和RA8D2微控制器（MCU）產(chǎn)品。全新MCU產(chǎn)品基于1GHz Arm? Cortex?-M85處理器（可選配250MHz Arm? Cortex?-M33處理器），...

瑞薩 MCU 2025-10-22

特斯拉集團(tuán)與SRAM & MRAM攜手建設(shè)全球電動(dòng)汽車電池超級(jí)工廠

據(jù)印度報(bào)業(yè)托拉斯報(bào)道，為大力推動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）電池制造發(fā)展，特斯拉集團(tuán)與SRAM & MRAM集團(tuán)日前達(dá)成一項(xiàng)價(jià)值10億美元的里程碑式合作協(xié)議。此次合作不僅計(jì)劃在印度建設(shè)5座先進(jìn)的電動(dòng)汽車電池超級(jí)工廠，還將在包括美國(guó)、...

特斯拉 SRAM & MRAM 2025-09-26