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系統(tǒng)級(jí)芯片集成對(duì)SMT貼片組裝良率的影響

系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）存在鮮明兩面性：它簡(jiǎn)化整機(jī)電路原理圖，卻大幅提升后端組裝工藝難度。將 CPU、GPU、內(nèi)存等整套運(yùn)算架構(gòu)集成至單顆晶圓內(nèi)，雖然大幅減少元器件用量，卻讓焊點(diǎn)互聯(lián)工藝難度急劇攀升。行業(yè)工藝從常規(guī) 0.8m...

系統(tǒng)級(jí)芯片 SMT 2026-05-18

SK海力士HBM混合鍵合工藝良率已提升

據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士近日宣布，其高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）混合鍵合工藝的良率已實(shí)現(xiàn)顯著提升。公司技術(shù)負(fù)責(zé)人金鐘勛（Kim Jong-hoon）透露，采用混合鍵合技術(shù)的12層HBM堆疊結(jié)構(gòu)已完成驗(yàn)證工作。目前，團(tuán)隊(duì)正集中精力...

SK海力士 HBM 2026-05-11

三星在關(guān)鍵的良率與量產(chǎn)能力尚未全面達(dá)標(biāo)之前，仍難以撼動(dòng)臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。南韓媒體《釜山日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，三星晶圓代工廠的2納米制程良率仍低于60%的量產(chǎn)門(mén)檻。根據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星2納米制程初步良率約為55%，距離業(yè)界...

三星 2納米 2026-04-15

芯片清洗：潔凈標(biāo)準(zhǔn)的全新挑戰(zhàn)

先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)下，污染已成為系統(tǒng)級(jí)的良率限制因素，且尚無(wú)簡(jiǎn)單的解決辦法核心要點(diǎn)最先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)中，污染物的識(shí)別難度大幅提升，晶圓廠不得不重新思考污染控制的實(shí)現(xiàn)方式污染引發(fā)的問(wèn)題可能表現(xiàn)為電學(xué)異?；蚪y(tǒng)計(jì)性偏差，而非顆粒雜質(zhì)，...

芯片清洗良率 2026-02-25

因良率問(wèn)題，三星Exynos 2600可能僅覆蓋Galaxy S26產(chǎn)量的30%

三星正在推動(dòng) Exynos 的卷土重來(lái)，有報(bào)道稱 Exynos 2600 在內(nèi)部測(cè)試中表現(xiàn)出色。然而，低收益率仍可能阻礙該芯片的更廣泛采用。據(jù)韓國(guó)媒體 DealSite 援引消息人士的話報(bào)道，三星代工...

良率三星 2025-10-26

臺(tái)積電“2納米報(bào)價(jià)”震驚市場(chǎng) 才65%良率為何敢霸氣開(kāi)價(jià)？

隨著臺(tái)積電2納米制程進(jìn)入量產(chǎn)最后階段，市場(chǎng)關(guān)注度持續(xù)升溫。據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電已針對(duì)2納米晶圓訂出高達(dá)每片約3萬(wàn)美元（約新臺(tái)幣90萬(wàn)）的價(jià)格，且堅(jiān)持「不打折、不議價(jià)」，藉此凸顯其在先進(jìn)制程的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。相較之下，三星則選...

臺(tái)積電 2納米 2025-08-21

臺(tái)積電2納米良率飆90% 英特爾「同等級(jí)產(chǎn)品」曝光

臺(tái)積電為晶圓代工龍頭，技術(shù)領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，先前甚至傳出2納米的良率高達(dá)90%，受到市場(chǎng)高度關(guān)注，相較之下，英特爾18A制程的良率大約落在50%左右，距離臺(tái)積電仍然有段差距，且英特爾將持續(xù)外包PC CPU給臺(tái)積電生產(chǎn)，最新的...

臺(tái)積電 2納米 2025-06-13

三星的3nm良率停留在50%，遠(yuǎn)低于臺(tái)積電的90%

雖然三星在 7nm 和 8nm 等成熟節(jié)點(diǎn)上獲得了牽引力（據(jù)報(bào)道來(lái)自任天堂的訂單），但它繼續(xù)在先進(jìn)的 3nm 水平上苦苦掙扎。據(jù)韓國(guó)媒體 Chosun Biz 報(bào)道，即使經(jīng)過(guò)三年的量產(chǎn)，其 3nm 良...

三星 3nm 2025-05-30

中芯用舊機(jī)器生產(chǎn)華為5納米預(yù)估良率20%

即使面臨美國(guó)強(qiáng)力制裁，大陸芯片業(yè)的實(shí)力并沒(méi)有落后世界太多，中芯無(wú)法取得生產(chǎn)先進(jìn)制程芯片所需的EUV設(shè)備，但透過(guò)較舊的DUV設(shè)備就能生產(chǎn)5納米芯片，芯片密度雖遠(yuǎn)不如臺(tái)積電，但跟三星差不多，再度敲響美國(guó)制裁的警鐘，對(duì)于中芯來(lái)...

華為 5納米 2025-05-29

良率提高三星接近從NVIDIA、Qualcomm獲得2nm訂單

隨著 2nm 成為芯片制造商的下一個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)，三星正在像英特爾一樣競(jìng)相通過(guò)獲得重大外部訂單來(lái)縮小與臺(tái)積電的差距?，F(xiàn)在，它可能只差一步：根據(jù) Chosun Biz 的說(shuō)法，Samsung Foundry 已...

良率三星 2025-05-13

iPhone 18首發(fā)！蘋(píng)果A20芯片基于臺(tái)積電2nm制造：良率遠(yuǎn)超預(yù)期

3月24日消息，分析師郭明錤再度重申，2026年的iPhone 18系列將首發(fā)A20處理器，這顆芯片將會(huì)使用臺(tái)積電2nm工藝制程。他表示，臺(tái)積電2nm試產(chǎn)良率在3個(gè)多月前就達(dá)到60%-70%，現(xiàn)在的良率已經(jīng)遠(yuǎn)在70%之上...

iPhone 18 首發(fā) 2025-03-24

臺(tái)積電2nm良率提高6%：可為客戶節(jié)省數(shù)十億美元

臺(tái)積電將于明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)其2nm（N2）制程工藝，目前臺(tái)積電正在盡最大努力完善該技術(shù)，以降低可變性和缺陷密度，從而提高良率。一位臺(tái)積電員工最近對(duì)外透露，該團(tuán)隊(duì)已成功將N2測(cè)試芯片的良率提高了6%，為公司客戶“節(jié)省了數(shù)...

臺(tái)積電良率 2024-12-06

三星 Exynos 2600芯片前景堪憂：良率挑戰(zhàn)嚴(yán)峻，有被取消量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)

11 月 25 日消息，消息源 @Jukanlosreve 于 11 月 22 日在 X 平臺(tái)發(fā)布推文，曝料稱從韓國(guó)芯片設(shè)計(jì)行業(yè)渠道獲悉，三星正減少 2025 年的訂單，因此推測(cè)三星將徹底取消量產(chǎn) Exynos 2600...

三星 Exynos 2600 2024-11-25

三星陷入良率困境，晶圓代工生產(chǎn)線關(guān)閉超30%

根據(jù)韓國(guó)三星證券初步的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，三星3nm GAA制程的良率約為20%，比可達(dá)成大規(guī)模生產(chǎn)的建議值低了三倍。因訂單量不足關(guān)閉代工生產(chǎn)線進(jìn)入5nm制程時(shí)，三星晶圓代工業(yè)務(wù)就因?yàn)闊o(wú)法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Ge...

三星 3nm 2024-11-07

HBM3e 12hi面臨良率和驗(yàn)證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過(guò)剩仍待觀察

近期市場(chǎng)對(duì)于2025年HBM可能供過(guò)于求的擔(dān)憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進(jìn)HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學(xué)習(xí)曲線長(zhǎng)，目前尚難判定是否會(huì)出...

HBM3e 12hi 良率 2024-10-08

三星3納米良率慘爆一度0％？

三星一直想透過(guò)3納米技術(shù)超車臺(tái)積電，但結(jié)果始終不如預(yù)期，相較臺(tái)積電已經(jīng)取得多位大客戶的訂單，并反映在財(cái)報(bào)上，三星3納米技術(shù)甚至被爆出良率一度只有0%，即使高層堅(jiān)稱「很穩(wěn)定」自家人韓媒不買(mǎi)賬，直言很多大廠都沒(méi)有明確要下訂單...

三星 3納米 2024-07-11

曝三星3nm良率僅20%！但仍不放棄Exynos 2500

6月23日消息，據(jù)媒體報(bào)道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠(yuǎn)低于量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機(jī)SoC...

三星 3nm 2024-06-24

良率不及臺(tái)積電4成！三星2代3nm制程爭(zhēng)奪英偉達(dá)訂單失敗

全球半導(dǎo)體大廠韓國(guó)三星即將在今年上半年量產(chǎn)的第2代3nm制程，不過(guò)據(jù)韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺(tái)積電N3B制程良率接近55%，還不及臺(tái)積電良率的4成，使得三星在爭(zhēng)奪英偉達(dá)（NVIDIA）代工訂單受...

良率臺(tái)積電 2024-05-23

拼命追趕還是慘輸臺(tái)積電三星3納米最新良率曝光

臺(tái)積電的先進(jìn)制程技術(shù)遙遙領(lǐng)先其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，也獲得全球大客戶肯定。不過(guò)南韓三星電子仍努力追趕，想要分一杯羹。據(jù)最新爆料，三星的3納米良率已大幅提升到原本的3倍，但仍是落后臺(tái)積電?？萍季W(wǎng)站W(wǎng)ccftech引述知名爆料者Rev...

臺(tái)積電三星 2024-03-28

4~5nm良率逐漸穩(wěn)定，客戶訂單增加？三星回應(yīng)

據(jù)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》報(bào)道，針對(duì)“因4~5納米先進(jìn)制程良率逐漸穩(wěn)定，客戶訂單正逐漸增加，稼動(dòng)率也相應(yīng)反彈，12英寸稼動(dòng)率回升至九成?！边@一市場(chǎng)消息，三星半導(dǎo)體對(duì)其進(jìn)行了回應(yīng)。報(bào)道指出，三星半導(dǎo)體相關(guān)負(fù)責(zé)人回應(yīng)表示，“暫無(wú)法透露...

5nm 良率 2023-04-19

5nm以下工藝良率低三星：將尋找中國(guó)客戶

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子新人聯(lián)合CEO Kyung Kye-hyun日前在股東大會(huì)上表態(tài)，稱三星今年芯片及零件部門(mén)的增長(zhǎng)率有望優(yōu)于全球芯片市場(chǎng)的9%，三星會(huì)設(shè)法提高產(chǎn)能，滿足市場(chǎng)需求。針對(duì)5nm及以下工藝良率偏低的問(wèn)題，...

5nm 良率 2022-03-18

4nm良率僅為三成三星晶圓代工疑出現(xiàn)“良品率造假”

據(jù)媒體報(bào)道稱高通已將3nm AP代工訂單獨(dú)家交給了臺(tái)積電。不僅如此，有業(yè)內(nèi)人士稱，高通還將部分4nm驍龍8旗艦處理器的部分代工訂單交給臺(tái)積電。當(dāng)時(shí)我聽(tīng)到這個(gè)消息一方面為臺(tái)積電感到高興，另一方面心中出現(xiàn)質(zhì)疑：為什么高通...

4nm 良率 2022-02-28

iPhone 14疑似無(wú)緣3nm芯片或因良率過(guò)低

根據(jù)國(guó)外媒體tomshardware報(bào)道，由于臺(tái)積電3nm工藝良率存在問(wèn)題，蘋(píng)果或放棄采用3nm工藝打造新一代A16芯片，這也意味著今年將要發(fā)布的iPhone 14疑似無(wú)緣3nm芯片。據(jù)了解，將搭載在iPhone 14上...

iPhone 14 3nm 2022-02-28

臺(tái)積電3nm良率難提升多版本3nm工藝在路上

近日，關(guān)于臺(tái)積電3nm工藝制程有了新消息，據(jù)外媒digitimes最新報(bào)道，半導(dǎo)體設(shè)備廠商透露，臺(tái)積電3納米良率拉升難度飆升，臺(tái)積電因此多次修正3納米藍(lán)圖。實(shí)際上，隨著晶體管數(shù)量的堆積，內(nèi)部結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化，3nm工藝制程的...

臺(tái)積電 3nm 2022-02-23

臺(tái)積電披露5納米制程最新進(jìn)展：測(cè)試良率超過(guò)8成

根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，日前在國(guó)際電子元件會(huì)議（International Electron Devices Meeting，IEDM）大會(huì)上，晶圓代工龍頭臺(tái)積電官方披露了5納米制程的最新進(jìn)展。...

臺(tái)積電 5納米 2019-12-18

泛林集團(tuán)邊緣良率產(chǎn)品組合推出新功能

近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布其半導(dǎo)體制造系統(tǒng)產(chǎn)品組合推出全新功能，以進(jìn)一步改善晶圓邊緣的產(chǎn)品良率，從而提高客戶的生產(chǎn)效率。在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，制造商希望在晶圓的整個(gè)表面搭建集成電路。然而，由于晶...

晶圓良率 2019-12-09

利用縫隙抑制型鎢填充接觸區(qū)工藝來(lái)降低良率損失

在早先的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中，由于器件尺寸較大，能采用成核及平整化化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)進(jìn)行鎢(W)填充。如今，由于插塞處的超小開(kāi)口很容易發(fā)生懸垂現(xiàn)象，因此薄膜表面均勻生長(zhǎng)的共形階段可能在填充完成前就關(guān)閉或夾斷，從而留下孔洞。...

化學(xué)氣相沉積良率 2017-06-06

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