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效仿 HBM 架構高帶寬堆疊閃存 HBF 正式問世

本文要點全新堆疊式 3D 閃存 HBF 架構對標 ? ? ?HBM，專為 AI 算力處理場景打造HBF 存儲容量遠超傳統(tǒng)內(nèi)存，可就近靜態(tài)存放 AI 模型權重參數(shù)，并優(yōu)化讀取速率今年下半年推出 HBF 工程樣片，搭載該存儲...

閃存高帶寬閃存 2026-05-19

1864億！SK海力士達營業(yè)利潤率高達72%，碾壓臺積電

2026年4月23日，SK海力士今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財年第一季度財務報告。?SK海力士2026年第一季度主要數(shù)據(jù)：營收52.58萬億韓元（2429.2億元人民幣），較上一季度的32.83萬億韓元增長...

SK海力士 DRAM 2026-04-23

NAND報價狂漲：LTA將成為存儲器行業(yè)主流模式

本輪半導體行業(yè)復蘇的核心引擎，當屬NAND閃存的價格暴漲。據(jù)摩根士丹利證券預測，MLC（及成熟制程TLC）產(chǎn)品價格從今年首季到第四季漲幅將超過200%，下半年供需失衡幅度或達40%，缺口持續(xù)擴大助推價格飆升。DRAM漲幅...

NAND LTA 2026-04-14

應用材料攜手美光加速HBM、閃存及DRAM技術研發(fā)

應用材料公司今日宣布，正與美光科技展開合作，研發(fā)新一代動態(tài)隨機存取存儲器、高帶寬內(nèi)存及閃存解決方案，以提升人工智能系統(tǒng)的高能效表現(xiàn)。雙方整合了應用材料位于硅谷的 EPIC 創(chuàng)新中心的先進研發(fā)能力，以及美光位于愛達荷州博伊...

應用材料美光 2026-03-11

未來傾向于UFS用于高性能嵌入式閃存

如今閃存已經(jīng)無處不在，以至于在它成為性能瓶頸之前，人們很容易忽略它的存在。小到物聯(lián)網(wǎng)微控制器里的固件，大到數(shù)據(jù)中心里為 AI 加速器提供的數(shù)據(jù)，全都靠它存儲。幾十年來，NAND 閃存不斷提升密度、降低成本，催生出從消費級...

閃存 eMMC 2026-03-10

NAND閃存供應緊張群聯(lián)電子要求客戶縮短賬期并預付貨款

NAND 閃存供應商的經(jīng)營壓力，終于傳導至群聯(lián)電子。就在幾周前，群聯(lián)電子首席執(zhí)行官還透露，已有至少一家 NAND 閃存晶圓代工廠要求客戶預付貨款。如今，這家企業(yè)自身也難逃供應緊張帶來的壓力。據(jù)《電子時報》亞洲版報道，群聯(lián)...

NAND 閃存 2026-03-03

卷翻內(nèi)存市場中國存儲廠商加速擴張產(chǎn)能

全球存儲器市場爆發(fā)缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產(chǎn)能，原定于2027年量產(chǎn)的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產(chǎn)。此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來競爭壓力，后續(xù)...

內(nèi)存存儲廠商 2026-02-02

芯?？萍歼M軍NOR閃存市場

中國本土芯片企業(yè)芯?？萍迹–msemicon）正式推出其首款非易失性存儲芯片，發(fā)布旗下首款閃存產(chǎn)品CMS25Q40A，標志著公司正式且實質(zhì)性地進軍存儲半導體領域。據(jù)報道，該產(chǎn)品是一款容量為4兆位（4Mbit）、低功耗的S...

芯?？萍?/a> 閃存 2026-01-27

三星閃存，漲價100%

周樂/券商中國存儲芯片漲價潮愈演愈烈。據(jù)最新消息，三星電子今年第一季度將其NAND閃存的價格提高了一倍多，漲幅遠超市場預期。目前三星電子已經(jīng)著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在...

三星閃存 2026-01-26

三星、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)，NAND閃存或進入新一輪漲價周期

援引市場研究機構Omdia的最新調(diào)研成果披露，合計占全球NAND產(chǎn)能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進一步加劇NAND供應的短缺。三星產(chǎn)量從2025年的490萬片縮減至4...

三星 SK海力士 2026-01-22

蘋果iPhone 18系列售價曝光：起步維持原價，大容量版本起飛

1 月 20 日消息，基于花旗集團、美國銀行及摩根大通的分析報告，受 RAM 內(nèi)存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價方面，蘋果雖然會極力維持起步機型的發(fā)售價與前代持平，但在高存儲容量版本...

蘋果iPhone 18 原價 2026-01-20

傳三星將采用長江存儲專利混合鍵合技術：用于400+層的第10代V-NAND閃存

上個月有報道稱，長江存儲（YMTC）已經(jīng)開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實現(xiàn)了最高的垂直柵密度，也是現(xiàn)階段商業(yè)產(chǎn)品中最高的，使其成...

三星長江存儲 2026-01-19

存儲還要繼續(xù)瘋！英偉達ICMSP讓閃存漲停，黃仁勛要一統(tǒng)存儲處理器

英偉達推出全新推理上下文（Inference Context）內(nèi)存存儲平臺（ICMSP），通過將推理上下文卸載（Offload）至NVMe SSD的流程標準化，解決KV緩存容量日益緊張的問題。該平臺于 2026 年國際消...

存儲英偉達 2026-01-16

長江存儲對美國國防部、商務部發(fā)起訴訟

據(jù)路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發(fā)起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯(lián)邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤...

長江存儲 3D NAND 2025-12-11

1.2V I/O SPI NOR 閃存降低整體系統(tǒng)成本與功耗

如今，邊緣人工智能、汽車、清潔能源和通信等新興市場領域，廣泛采用基于 10 納米及以下制程的系統(tǒng)級芯片（SoC）。先進 SoC 的工作電壓低至 1.2V 甚至更低。若要支持許多 NOR 閃存采用的 1.8V 等高電壓 I...

NOR 閃存節(jié)能 2025-12-01

今昔對比：磁芯

我們先來聊聊磁芯最常見的存儲用途。事實證明，鐵芯和磁性材料用途廣泛，至今仍在電源和模擬電路中用作扼流圈。而這篇文章提出了一個特別的想法：用磁芯實現(xiàn)邏輯功能（圖 1）。盡管這項技術從未進入商業(yè)領域，但在技術層面是可行的。1...

磁芯內(nèi)存 2025-12-01

三星據(jù)報道將在研發(fā)部門調(diào)整中發(fā)布NAND技術，將削減96%的功耗

在內(nèi)存供應緊張和價格飆升給行業(yè)壓力的情況下，據(jù)ETNews和News 1報道，三星開發(fā)出了一種NAND閃存技術，能夠降低90%以上的功耗，預計將提升AI數(shù)據(jù)中心、移動設備及廣泛應用的能效。據(jù)報道，11月27日，SAIT（...

NAND 閃存 2025-12-01

低開銷、高安全性的NOR閃存解決方案

ArmorBoot?是?Macronix 的中端安全串行 NOR 閃存，支持安全啟動以及其他安全功能，如片上認證支持（見圖1）。它可以用于為使用不內(nèi)置這些功能的微控制器或微處理器的設計提供安全服務。標準形態(tài)意味著存儲芯片...

NOR 閃存 2025-11-25

通過閃存優(yōu)化的嵌入式文件系統(tǒng)確保智能電表的準確性

智能電表是現(xiàn)代能源基礎設施的核心，支撐動態(tài)定價、實時分析和碳核算功能。其有效性完全依賴持續(xù)的數(shù)據(jù)準確性。數(shù)據(jù)準確性出現(xiàn)任何問題，電力公司都將面臨監(jiān)管處罰、計費糾紛和運營效率低下等問題。災難性硬件故障易于察覺和追蹤，但大多...

閃存嵌入式文件 2025-11-25

全球首顆混合架構閃存芯片，我國有望顛覆傳統(tǒng)存儲器體系

10月8日，復旦大學集成電路與微納電子創(chuàng)新學院周鵬、劉春森團隊在《自然》（Nature）期刊上發(fā)表題為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by...

閃存芯片 2025-10-14

美眾議院“中美戰(zhàn)略競爭特別委員會”發(fā)布涉華半導體關鍵設備出口調(diào)查報告

根據(jù)SEMI和SEAJ的數(shù)據(jù)，2025年第二季度全球半導體制造設備支出總計330.7億美元，2025年第二季度的支出較2024年第二季度增長23%。其中，中國大陸的支出最高，為113.6億美元，占總支出的34%。值得注意...

半導體芯片 2025-10-09

中國研究團隊在半導體領域取得新突破，基于 DRAM 原理

目前，在自動駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設備生成的實時環(huán)境數(shù)據(jù)，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經(jīng)元行為的神經(jīng)形態(tài)硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發(fā)展...

DRAM 閃存 2025-08-21

鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲器開始送樣

全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案...

鎧俠 3D 閃存 2025-07-28

閃存，是如何工作的？

NAND閃存將單元串聯(lián)排列以實現(xiàn)高密度存儲，優(yōu)先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。...

閃存 NAND 2025-05-06

復旦大學研發(fā)出史上最快閃存，每秒操作25億次！

近日，復旦大學團隊研發(fā)出一種名為“破曉（PoX）”的皮秒級閃存器件，其擦寫速度達到亞納秒級別，比現(xiàn)有技術快1萬倍，數(shù)據(jù)保存年限據(jù)實驗外推可達十年以上。相關研究成果已登上國際頂級期刊《Nature》。該項目由復旦大學集成芯...

復旦大學閃存 2025-04-23

SK海力士完成與英特爾的最終交割

SK海力士將于2025年3月（協(xié)議預設的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務的最終交割。隨著交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）方面。隨著AI技術的普...

SK海力士英特爾 2025-03-04

十年磨一劍：三星引入長江存儲專利技術

近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采...

三星長江存儲 2025-02-27

西部數(shù)據(jù)宣布完成閃存業(yè)務分拆計劃

當?shù)貢r間2月24日，NAND Flash廠商西部數(shù)據(jù)（Western Digital ）正式宣布，已成功完成對閃存業(yè)務的分拆計劃。圖片來源：西部數(shù)據(jù)據(jù)悉，分拆后的閃存業(yè)務將重新以獨立的閃迪（Sandisk）公司名義運營，...

存儲大廠閃存 2025-02-25

兩項閃存技術革新，美光、鎧俠各有動作

DeepSeek等AI模型驅(qū)動之下，存儲器市場備受青睞。長遠來看，AI等熱潮將推動NAND Flash市場需求上漲，高容量存儲需求有望為NAND Flash（閃存）市場提供新的增長動力。這一過程中，少不了技術升級與產(chǎn)品迭...

閃存美光 2025-02-23

從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求

在技術飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關鍵基礎設施和汽車應用正在重新定義人們對現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應用；然而，隨著技術的進步以及對...

閃存 MRAM 2025-02-22

NAND閃存再減產(chǎn)：三星、SK海力士將至少削減10%

據(jù)報道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自202...

NAND 閃存 2025-02-13

NAND價格能否“觸底反彈”？

全球NAND閃存價格已連續(xù)四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產(chǎn)以平衡供求，進而穩(wěn)定價格。美光率先宣布將減產(chǎn)，隨后三星也被曝出將調(diào)整其韓國本土的NAND產(chǎn)量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力...

NAND 三星 2025-01-23

應對降價：三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存！

1月13日消息，據(jù)媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產(chǎn)，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存...

三星 NAND 2025-01-13

TrendForce：預計 Q4 NAND Flash 合約價將下調(diào) 3% 至 8%

IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調(diào)查，NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價于第三季率先下跌，預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT...

NAND 閃存存儲 2024-10-15

第八代BiCS FLASH厲害在哪里？

第八代BiCS FLASH已然投入量產(chǎn)，意味著基于BiCS FLASH的產(chǎn)品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當下業(yè)界內(nèi)最大容量的存儲器。為...

BiCS FLASH 閃存 2024-08-29

閃存大廠鎧俠IPO又進一步

近日，媒體報道鎧俠已申請于今年10月在東京交易所進行IPO。鎧俠預計籌資規(guī)模將達到5億美元，如若IPO順利進行，那么其有望成為2024年日本最大規(guī)模的IPO。知情人士透露，鎧俠可能在接下來的幾周內(nèi)啟動其IPO流程，至于I...

閃存鎧俠 2024-08-27

消息稱三星電子確認平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資，目標明年 6 月投運

IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內(nèi)部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計劃，該產(chǎn)線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產(chǎn)...

NAND 閃存 2024-08-12

為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術 Lam Cyro 3.0

IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當?shù)貢r間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產(chǎn)品部高級副總裁 Sesha ...

NAND 閃存 2024-08-01

通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關產(chǎn)線開工率維持 80~90%

IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實現(xiàn)...

DRAM 閃存 2024-06-19

Omdia：2027 年 QLC 市場規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍

IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉述市場分析機構 Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omd...

QLC NAND 閃存 2024-06-14