2d nand 文章 最新資訊
1864億！SK海力士達營業(yè)利潤率高達72%，碾壓臺積電
- 2026年4月23日，SK海力士今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財年第一季度財務報告。?SK海力士2026年第一季度主要數(shù)據(jù)：營收52.58萬億韓元（2429.2億元人民幣），較上一季度的32.83萬億韓元增長60%，同比增長198%；營業(yè)利潤 37.61 萬億韓元（1737.6 億元人民幣），同比增長 405.5%；凈利潤 40.34 萬億韓元（1863.7 億元人民幣），同比增長 397.6%。從季度業(yè)績來看，銷售額首次突破50萬億韓元大關，營業(yè)利潤為37.6萬億韓元，營業(yè)利潤率達
- 關鍵字： SK海力士 DRAM NAND 閃存 AI
傳聯(lián)電代工2D NAND有「三大關卡」 缺人、缺技術、缺設備
- 國際存儲器原廠退出2D NAND閃存將成定局，受到供貨稀缺已推升低容量2D NAND價格快速飆升，近期市場傳出，聯(lián)電可能接獲SLC、MLC Flash的代工訂單，或?qū)⒋蚱莆磥?D NAND寡占供貨的局面。不過相關業(yè)者向DIGITIMES透露，過去數(shù)個月來，確實曾與聯(lián)電討論閃存的代工機會，但人力、制程整合與開發(fā)能力以及設備等三大關鍵因素欠缺，成為最重要的卡關限制。據(jù)供應鏈人士指出，NAND Flash價格從2026年以來漲勢兇猛，漲幅甚至已超過DRAM，但相比于MLC NAND或SLC NAND的供貨缺口更
- 關鍵字： 聯(lián)電 2D NAND
NAND報價狂漲：LTA將成為存儲器行業(yè)主流模式
- 本輪半導體行業(yè)復蘇的核心引擎，當屬NAND閃存的價格暴漲。據(jù)摩根士丹利證券預測，MLC（及成熟制程TLC）產(chǎn)品價格從今年首季到第四季漲幅將超過200%，下半年供需失衡幅度或達40%，缺口持續(xù)擴大助推價格飆升。DRAM漲幅逐步收斂，反觀NAND價格動能轉(zhuǎn)強，甚至超越DRAM：預估一般型DRAM在第二季度合約價格將上漲約58%-63%，NAND閃存則上漲約70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND產(chǎn)能幾近消失，終端客戶庫存普遍僅剩六至九個月，供需結構轉(zhuǎn)趨緊繃。大摩科技產(chǎn)業(yè)分析師在最新釋出的報告中指
- 關鍵字： NAND LTA 存儲器 閃存 DRAM AI 閃迪
“黃金氣體”短缺成為半導體供應鏈新危機
- 中東沖突的蔓延正通過氦氣短缺影響半導體供應鏈。伊朗對全球主要氦氣生產(chǎn)國卡塔爾的設施發(fā)動襲擊，導致現(xiàn)貨價格翻番，并加劇了合同壓力。氦氣在晶圓刻蝕中不可替代，這對芯片生產(chǎn)構成重大風險，尤其對三星電子和SK海力士等韓國企業(yè)造成嚴重影響 —— 市值蒸發(fā)超過2000億美元。最新報告顯示，伊朗對卡塔爾能源設施的襲擊嚴重影響了氦氣（被譽為“黃金氣體”）的供應。這種看似“小眾”的工業(yè)氣體正逐漸成為全球芯片產(chǎn)業(yè)的關鍵風險因素。據(jù)報道，卡塔爾占全球氦氣供應量的30%以上，其核心生產(chǎn)設施受損導致全球供應驟減。短短兩周內(nèi)，氦氣現(xiàn)
- 關鍵字： 半導體 芯片 氦氣 溴 DRAM NAND
2D二維半導體技術穩(wěn)步推進
- 核心要點：向2D材料中摻入氧元素可改善其附著性能；后溝道工藝可保留全環(huán)繞柵極的大部分傳統(tǒng)工藝流程；采用石墨烯電極的二硫化鉬雙柵極場效應晶體管，成功應用了層轉(zhuǎn)移技術。自機械剝離薄片成為主流技術以來，過渡金屬二硫族化合物（TMDs）的研發(fā)已取得長足進步，但未來仍有漫長的探索之路。二硒化鎢、二硫化鉬這類材料，被視為大尺寸微縮全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管中硅材料的潛在替代者。作為二維材料，它們不存在面外懸空鍵，因此不易出現(xiàn)界面散射問題 —— 而該問題正是導致超薄硅溝道中載流子遷移率下降的主要原因。不過，這類二維材料
- 關鍵字： 2D 二維半導體
Q1 DRAM再漲180%，NAND漲150%
- 據(jù)韓媒Chosun Biz、韓聯(lián)社等援引市調(diào)機構Counterpoint Research數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度，64GB服務器級DRAM模塊（RDIMM）DDR5價格較2025年第四季度上漲150%，移動終端用12GB LPDDR5X上漲130%。即使是前代的8GB SO-DIMM DDR4，價格也暴漲180%。不僅是DRAM價格出現(xiàn)130%~180%的大幅上漲，NAND產(chǎn)品線也上漲約130%~150%，漲幅遠超此前預期的季度增長100%。業(yè)界預測，存儲供應短缺狀況預計將持續(xù)至2027年下半年。A
- 關鍵字： DRAM NAND
英偉達罕見入局內(nèi)存研發(fā)：聯(lián)手三星共同推進鐵電NAND商業(yè)化
- 3 月 13 日消息，得益于 AI 需求，包括 HBM 和 NAND 閃存在內(nèi)的各種存儲芯片已經(jīng)普遍處于供不應求的局面。在此背景下，英偉達正加強與戰(zhàn)略伙伴的前瞻性技術合作，而不僅僅停留在簡單的供應關系上。據(jù)《首爾經(jīng)濟日報》昨日報道，英偉達現(xiàn)已加入了三星電子的研發(fā)行列，共同開發(fā)新的 AI 技術并合作研發(fā)鐵電 NAND 閃存。英偉達直接參與內(nèi)存研發(fā)，尤其是尚未商業(yè)化的鐵電 NAND 這類未來技術，實屬罕見之舉。鐵電 NAND 正被視作一項有望同時破解大型科技公司當前面臨的兩大難題的突破性技術：內(nèi)存芯片短缺與
- 關鍵字： 英偉達 內(nèi)存 三星 NAND
應用材料與美光、SK海力士合作
- 隨著人工智能熱潮推動存儲需求增長，半導體設備制造商在收獲紅利的同時，也在加深與頭部存儲廠商的合作。據(jù)路透社報道，應用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達成合作，共同開發(fā)對人工智能與高性能計算至關重要的下一代芯片。3 月 10 日，應用材料發(fā)布新聞稿稱，已與 SK 海力士簽署長期合作協(xié)議，加速 DRAM 與 HBM 技術研發(fā)。雙方將在應用材料新建的研發(fā)中心 ——設備與工藝創(chuàng)新與商業(yè)化中心（EPIC Center），聚焦存儲材料、工藝整合及 3D 先進封裝技術
- 關鍵字： 應用材料 美光 SK海力士 半導體 DRAM HBM NAND
內(nèi)存價格邁入小時級波動，中小廠商爭搶剩余貨源艱難求生
- 人工智能引發(fā)內(nèi)存供應危機，DRAM 市場被迫啟用 “小時級定價” 模式 —— 數(shù)萬家中小企業(yè)為生存展開激烈爭奪逾 19 萬家中小型電子企業(yè)正被人工智能浪潮擠出內(nèi)存市場。據(jù)《電子時報》今日發(fā)布的報道，受人工智能需求激增引發(fā)的內(nèi)存短缺問題持續(xù)加劇影響，內(nèi)存價格開始以小時為單位波動。半導體行業(yè)內(nèi)部人士提醒，若中小廠商無法預付貨款并立即下單，短短數(shù)分鐘內(nèi)報價就可能大幅上漲。報道指出，當前內(nèi)存市場已明顯分化：約 100 家頭部采購商憑借議價能力牢牢掌握貨源，而超過 19 萬家中小企業(yè)只能爭搶剩余的少量庫存。人工智能
- 關鍵字： 內(nèi)存 DRAM NAND
NAND閃存供應緊張 群聯(lián)電子要求客戶縮短賬期并預付貨款
- NAND 閃存供應商的經(jīng)營壓力，終于傳導至群聯(lián)電子。就在幾周前，群聯(lián)電子首席執(zhí)行官還透露，已有至少一家 NAND 閃存晶圓代工廠要求客戶預付貨款。如今，這家企業(yè)自身也難逃供應緊張帶來的壓力。據(jù)《電子時報》亞洲版報道，群聯(lián)電子已開始要求旗下客戶采用預付貨款或縮短付款周期的結算方式。群聯(lián)電子在致客戶的信函中表示，“核心供應商近期已調(diào)整付款要求，改為預付貨款或縮短付款周期”，而公司 “在過去一段時間里，一直為客戶的訂單提供資金支持”。這意味著，群聯(lián)電子此前已向部分 NAND 閃存供應商支付了預付款，如今不得不將
- 關鍵字： NAND 閃存 群聯(lián)電子
三星終結2D NAND 時代 戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向錨定 AI 時代高利潤賽道
- 當三星在HBM4時代彎道超車，重新獲得英偉達的青睞并可能承接最大份額訂單，低利潤的2D NAND就成為產(chǎn)能重構下的棄子。 2026 年 2 月末，三星電子宣布將關停其韓國華城工廠 12 號線的 2D NAND 閃存生產(chǎn) —— 這是三星最后一條 2D NAND 產(chǎn)線，此舉標志著自 2002 年開啟的平面閃存量產(chǎn)時代正式落幕。這座月產(chǎn)能達 8 萬至 10 萬片 12 英寸晶圓的產(chǎn)線，將于 2026 年 3 月正式停工并改造為 1C DRAM 后道封測廠，聚焦 DRAM 布線等核心后道工序。這場產(chǎn)能調(diào)
- 關鍵字： 三星 HBM4 2D NAND AI
存儲芯片價格持續(xù)攀升，DRAM和NAND再創(chuàng)新高
- 據(jù)市場研究公司DRAMeXchange于2月27日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存芯片的價格繼續(xù)同步上漲，其中DRAM價格再次創(chuàng)下歷史新高，達到13美元，而NAND閃存價格漲幅超過33%。自去年4月以來，通用DRAM價格已連續(xù)11個月上漲。數(shù)據(jù)顯示，2月份通用PC DRAM產(chǎn)品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易價格為13.00美元，較上月的11.50美元上漲了13.04%。這一價格創(chuàng)下自2016年6月開始該項調(diào)查以來的最高紀錄。TrendForce分析指出，PC DRAM價格較上一季度上漲
- 關鍵字： 存儲芯片 DRAM NAND TrendForce
存儲價格將繼續(xù)上漲
- 隨著AI服務的進步，需求不斷增長，而供應仍然有限，分析師預計今年內(nèi)存價格的上漲趨勢將持續(xù)。一些人認為，市場已經(jīng)進入了供應商主導的階段。目前，SK海力士的DRAM和NAND庫存已降至約四周的供應量。穩(wěn)健的庫存管理和緊張的供需環(huán)境有利于就長期合同進行磋商，DRAM相對于需求的短缺也可能有利于2027年HBM業(yè)務的擴張。SK海力士認為，在AI客戶強勁需求的推動下，當前的內(nèi)存價格上漲趨勢可能貫穿全年。雖然PC和移動用戶可能因價格大幅上漲而降低配置（despeccing），這可能會抑制需求，但由于供應擴張能力有限，
- 關鍵字： 存儲 NAND DRAM SK海力士
群聯(lián)預警：2026 NAND閃存短缺將沖擊消費電子產(chǎn)業(yè)
- 群聯(lián)電子（Phison）首席執(zhí)行官潘健成（K.S. Pua Khein-Seng）發(fā)出警告，2026 年即將到來的 NAND 閃存短缺可能嚴重擾亂甚至暫時中斷部分消費電子供應鏈。他在近期發(fā)言中指出，存儲芯片產(chǎn)能正日益向人工智能（AI）基礎設施傾斜，導致消費電子原始設備制造商（OEM）在供貨穩(wěn)定性和采購成本上面臨雙重擠壓。2026 年 NAND 短缺：群聯(lián)為何拉響警報此次危機的核心不僅在于供給收緊，更在于采購條款的顯著惡化。潘健成透露，至少有一家晶圓代工廠要求客戶為產(chǎn)能支付三年期預付現(xiàn)金。若情況屬實，如此高
- 關鍵字： 群聯(lián) NAND 閃存短缺 消費電子
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