NAND flash技術(shù)社區(qū)

NAND flash

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù)據(jù)，必須先擦除后寫入，因此擦除操作是閃存的基本操作。查看更多>>

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NAND flash資訊

1864億！SK海力士達(dá)營業(yè)利潤率高達(dá)72%，碾壓臺(tái)積電

2026年4月23日，SK海力士今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告。?SK海力士2026年第一季度主要數(shù)據(jù)：營收52.58萬億韓元（2429.2億元人民幣），較上一季度的32.83萬億韓元增長...

SK海力士 DRAM 2026-04-23

傳聯(lián)電代工2D NAND有「三大關(guān)卡」缺人、缺技術(shù)、缺設(shè)備

國際存儲(chǔ)器原廠退出2D NAND閃存將成定局，受到供貨稀缺已推升低容量2D NAND價(jià)格快速飆升，近期市場(chǎng)傳出，聯(lián)電可能接獲SLC、MLC Flash的代工訂單，或?qū)⒋蚱莆磥?D NAND寡占供貨的局面。不過相關(guān)業(yè)者向D...

聯(lián)電 2D NAND 2026-04-20

NAND報(bào)價(jià)狂漲：LTA將成為存儲(chǔ)器行業(yè)主流模式

本輪半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的核心引擎，當(dāng)屬NAND閃存的價(jià)格暴漲。據(jù)摩根士丹利證券預(yù)測(cè)，MLC（及成熟制程TLC）產(chǎn)品價(jià)格從今年首季到第四季漲幅將超過200%，下半年供需失衡幅度或達(dá)40%，缺口持續(xù)擴(kuò)大助推價(jià)格飆升。DRAM漲幅...

NAND LTA 2026-04-14

“黃金氣體”短缺成為半導(dǎo)體供應(yīng)鏈新危機(jī)

中東沖突的蔓延正通過氦氣短缺影響半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。伊朗對(duì)全球主要氦氣生產(chǎn)國卡塔爾的設(shè)施發(fā)動(dòng)襲擊，導(dǎo)致現(xiàn)貨價(jià)格翻番，并加劇了合同壓力。氦氣在晶圓刻蝕中不可替代，這對(duì)芯片生產(chǎn)構(gòu)成重大風(fēng)險(xiǎn)，尤其對(duì)三星電子和SK海力士等韓國企業(yè)造成...

半導(dǎo)體芯片 2026-03-26

三星面臨大罷工，存儲(chǔ)價(jià)格或加速上漲

最新消息，由超過6.6萬名韓國三星電子工會(huì)成員參與表決的投票結(jié)果顯示，93.1%的工會(huì)成員贊成罷工。若無重大變化，三星電子工會(huì)成員將于5月21日至6月7日全面罷工。據(jù)悉，本次罷工將是三星史上最大規(guī)模的罷工計(jì)劃。關(guān)鍵訴求：...

三星存儲(chǔ) 2026-03-19

Q1 DRAM再漲180%，NAND漲150%

據(jù)韓媒Chosun Biz、韓聯(lián)社等援引市調(diào)機(jī)構(gòu)Counterpoint Research數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度，64GB服務(wù)器級(jí)DRAM模塊（RDIMM）DDR5價(jià)格較2025年第四季度上漲150%，移動(dòng)終端用1...

DRAM NAND 2026-03-17