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臺(tái)積電暫緩引入High-NA EUV，先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)不只是設(shè)備選擇

臺(tái)積電并沒有急著把High-NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻技術(shù)放進(jìn)2029年前的量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。作為對(duì)比，英特爾則更早導(dǎo)入High-NA設(shè)備。兩家公司真正的差異，不只是設(shè)備選擇，而是量產(chǎn)節(jié)奏、成本和良率風(fēng)險(xiǎn)的取舍。...

臺(tái)積電英特爾 2026-04-28

4億美元太貴！臺(tái)積電仍拒絕購(gòu)買ASML的High-NA EUV設(shè)備

目前，生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體必不可少的EUV（極紫外）光刻設(shè)備由荷蘭ASML獨(dú)家供應(yīng)，而臺(tái)積電2nm工藝就是利用現(xiàn)有的EUV設(shè)備實(shí)現(xiàn)晶圓的大規(guī)模量產(chǎn)，并保持較高的良率。但隨著推進(jìn)到更先進(jìn)的次2nm節(jié)點(diǎn) —— 即1.4nm與1nm...

臺(tái)積電 ASML 2025-10-23

High-NA不是通往2納米時(shí)代的唯一道路

半導(dǎo)體行業(yè)正在重新評(píng)估其制造最先進(jìn)芯片的長(zhǎng)期路線圖。高數(shù)字光圈(High-NA)光刻技術(shù),曾被視為2 nm以下節(jié)點(diǎn)小型化的明確路徑,現(xiàn)在正在與其他選項(xiàng)進(jìn)行權(quán)衡。盡...

High-NA 2納米 2025-09-18

SK海力士引入全球首臺(tái)High-NA EUV設(shè)備

據(jù)SK海力士官方消息，2025年9月3日，該公司在韓國(guó)利川M16工廠成功引進(jìn)了業(yè)界首款量產(chǎn)型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)（High-NA EUV），并舉行了設(shè)備入廠慶祝儀式。此次引進(jìn)的設(shè)備為荷蘭ASML公司開發(fā)的TWINSCA...

SK海力士 High-NA 2025-09-03

半導(dǎo)體巨頭對(duì)high-NA EUV態(tài)度分化

據(jù)外媒報(bào)道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭(zhēng)議的觀點(diǎn)：未來晶體管設(shè)計(jì)，例如GAAFET和CFET架構(gòu)，可能會(huì)降低芯片制造對(duì)先進(jìn)光刻設(shè)備的依賴，尤其是對(duì)EUV光刻機(jī)的需求。這一觀點(diǎn)無疑對(duì)當(dāng)前芯片制造技術(shù)的核心模式提出...

半導(dǎo)體 high-NA EUV 2025-07-01

ASML研發(fā)5納米分辨率Hyper NA光刻機(jī)

據(jù)外媒報(bào)道，ASML正與蔡司（Carl Zeiss）合作，啟動(dòng)研發(fā)分辨率可達(dá)5納米的Hyper NA光刻機(jī)設(shè)備。ASML技術(shù)執(zhí)行副總裁Jos Benschop表示，這種新型光刻機(jī)將滿足2035年及之后的芯片制造需求。目前...

ASML 5納米 2025-06-30

臺(tái)積電仍在評(píng)估ASML的“High-NA”，因?yàn)橛⑻貭栁磥頃?huì)使用

全球最大的合同芯片制造商臺(tái)積電制造股份有限公司（2330.TW）仍在評(píng)估何時(shí)將 ASML 的尖端高數(shù)值孔徑（NA）機(jī)器用于其未來的工藝節(jié)點(diǎn)，一位高管周二表示。芯片制造商正在權(quán)衡這些價(jià)值近 4 億美元的機(jī)器的速度和...

臺(tái)積電 ASML 2025-05-28

三星已組建專注于1nm芯片開發(fā)的團(tuán)隊(duì) 量產(chǎn)目標(biāo)定于2029年

2nm GAA 工藝進(jìn)展被傳順利，但三星的目標(biāo)是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發(fā)的技術(shù)限制。一份新報(bào)告指出，該公司已經(jīng)成立了一個(gè)團(tuán)隊(duì)來啟動(dòng)這一工藝。然而，由于量產(chǎn)目標(biāo)定于 2029 年，我們可能還需要一段時(shí)間才...

三星 1nm 2025-04-10

英特爾：ASML首批兩臺(tái)High-NA EUV設(shè)備已投產(chǎn)

據(jù)路透社報(bào)道，半導(dǎo)體大廠英特爾近日表示，半導(dǎo)體設(shè)備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺(tái)尖端高數(shù)值孔徑（High NA）光刻機(jī)已在其工廠正式投入生產(chǎn)，且早期數(shù)據(jù)顯示，這些設(shè)備的性能比之前的機(jī)型更可靠。報(bào)道稱，英特爾資深首席工程...

英特爾 ASML 2025-02-26

英特爾兩臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)已投產(chǎn)，單季完成3萬片晶圓

據(jù)路透社2月24日?qǐng)?bào)道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國(guó)在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場(chǎng)會(huì)議上表示，英特爾已經(jīng)安裝的兩臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)正在其晶圓廠生產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)表明它們的可靠性大約...

英特爾 High NA EUV 2025-02-26

英特爾：首批兩臺(tái)High-NA EUV 設(shè)備已投產(chǎn)

英特爾24日表示，ASML首批的兩臺(tái)先進(jìn)曝光機(jī)已投產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)顯示比之前機(jī)型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數(shù)值孔徑（High NA）曝光機(jī)一季內(nèi)生產(chǎn) 3 萬片晶圓，即生...

英特爾 High-NA 2025-02-25

移遠(yuǎn)通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過北美兩大重要運(yùn)營(yíng)商認(rèn)證

近日，全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)整體解決方案供應(yīng)商移遠(yuǎn)通信宣布，其旗下符合3GPP R17標(biāo)準(zhǔn)的新一代5G-A模組RG650V-NA成功通過了北美兩家重要運(yùn)營(yíng)商認(rèn)證。憑借高速度、大容量、低延遲、高可靠等優(yōu)勢(shì)，該模組可滿足CPE...

移遠(yuǎn)通信 5G-A模組 2024-11-21

imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗(yàn)室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī)，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后...

imec High-NA 2024-08-13

價(jià)值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)

8月6日消息，在近日的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺(tái)價(jià)值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機(jī)）。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達(dá)到8...

Intel High NA EUV 2024-08-07

ASML第二臺(tái)High-NA設(shè)備，即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠

英特爾正接收ASML第二臺(tái)耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財(cái)報(bào)電話會(huì)議紀(jì)錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺(tái)大型設(shè)備，安裝時(shí)間需要數(shù)月...

ASML High-NA 2024-08-06

ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機(jī)定價(jià)翻倍，讓臺(tái)積電、三星和英特爾猶豫不決

ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過ASML已經(jīng)開始對(duì)下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計(jì)劃在203...

ASML Hyper-NA EUV 2024-07-03

臺(tái)積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機(jī)競(jìng)賽提前打響？

5月26日，臺(tái)積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺(tái)北站”的活動(dòng)，臺(tái)積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國(guó)迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Chri...

臺(tái)積電 ASML 2024-05-30

High-NA EUV光刻機(jī)或?qū)⒊蔀橛⑻貭柕霓D(zhuǎn)機(jī)

上個(gè)月英特爾晶圓代工宣布完成了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)組裝工作。隨后開始在Fab D1X進(jìn)行校準(zhǔn)步驟，為未來工藝路線圖的生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。...

High-NA EUV 2024-05-09

High-NA EUV光刻機(jī)入場(chǎng)，究竟有多強(qiáng)？

光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)熱門話題。從早期的深紫外光刻機(jī)（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)；再到后來的極紫外光刻機(jī)（EUV）以其獨(dú)特的極紫外光源和更短的波長(zhǎng)，成功將光刻精度推向了新的高度；...

High-NA EUV 2024-04-03

ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機(jī)引入部分 High-NA 機(jī)型技術(shù)

3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報(bào)道，ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù)，運(yùn)行效率得以提升。根據(jù)...

ASM NXE:3800E EUV 2024-03-27

英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機(jī)？

HIGH NA 無疑是打贏下一場(chǎng)比賽的重要籌碼。...

英特爾 ASML 2024-01-11

英特爾拿下首套High-NA EUV，臺(tái)積電如何應(yīng)對(duì)？

英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在未來兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。相較之下，臺(tái)積電則采...

英特爾 High-NA EUV 2024-01-08

ASML：數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設(shè)備2030年登場(chǎng)

據(jù)日本媒體報(bào)導(dǎo)，光刻機(jī)設(shè)備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì)ITF World 2023表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要2030年開發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光...

ASML NA 2023-06-26

SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革

由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術(shù)，并將其應(yīng)用于全新的1anm LPD...

SK海力士 High-k 2022-11-08

可穿戴與IoT用DC/DC：如何實(shí)現(xiàn)納安級(jí)消耗電流？　

可穿戴等市場(chǎng)發(fā)展快。DC/DC轉(zhuǎn)換器成為影響這些產(chǎn)品電池壽命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超輕載消耗電流只有180 nA，通過電路、布局和工藝實(shí)現(xiàn)。...

可穿戴 DC/DC 2018-03-29

High-end A4監(jiān)聽音箱的制作

一、設(shè)計(jì)及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式...

制作音箱 2012-10-27

High-end A4監(jiān)聽音箱的制作方法

制作方法音箱 2012-10-04

安森美ADS軟件的 High-Q IPD工藝設(shè)計(jì)套件

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園...

安森美 ADS 2012-06-25

電流-頻率轉(zhuǎn)換電路--1NA~100UA轉(zhuǎn)0.1HZ~10KHZ

IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負(fù)6次方/800*10的負(fù)12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時(shí)間林約是9MS，頻率為111HZ。實(shí)際上必須加上上升時(shí)間，所以振蕩頻率大約為100H...

100 0.1 2012-03-09

如何制作High-end A4監(jiān)聽音箱

一、設(shè)計(jì)及制作由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：no＝knmiddot;f33middot;VB上式...

監(jiān)聽音箱 2011-12-24

Derive simple high-current source from lab sup

Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate con...

high-current Derive 2010-08-17

制作High-end A4監(jiān)聽音箱的方法

一、設(shè)計(jì)及制作由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：no＝kn?f33?VB上式中，kn是箱體系數(shù)，...

音箱方法 2010-05-28

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)研發(fā)經(jīng)費(fèi)拮據(jù)　聯(lián)盟關(guān)系將成救星

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner警告，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的研發(fā)預(yù)算恐怕在接下來的五年內(nèi)大幅削減80億美元，使該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域陷入危機(jī)。不過該機(jī)構(gòu)資深分析師Dean Freeman也表示，研發(fā)聯(lián)盟的興起將成為救星。　　缺乏適當(dāng)?shù)耐?..

半導(dǎo)體設(shè)備通孔硅 2009-09-10

臺(tái)灣晶圓廠選擇 ASM 提供 High-k ALD工具

　　ASM International N.V. 宣布一家臺(tái)灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點(diǎn)high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。　　除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對(duì)最新...

ASM high-k 2009-05-06

凌華推出High Speed Link延伸模塊

　凌華科技推出High Speed Link系統(tǒng)延伸模塊HSL-HUB3與HSL-Repeater。此產(chǎn)品可以為HSL用戶提供最長(zhǎng)可達(dá)2400公尺的長(zhǎng)距離使用及多點(diǎn)連接(multi-drop)接線架構(gòu)...

High Link 2006-09-05

瑞昱推出High Definition 音訊轉(zhuǎn)換芯片

音訊內(nèi)容保護(hù) (Content Protection) 技術(shù)與透過傳統(tǒng)電話的Skype應(yīng)用功能加速音訊轉(zhuǎn)換芯片在數(shù)字家庭的應(yīng)用瑞昱半導(dǎo)體在美國(guó)舊金山的Intel春季科技論壇推出最新一代的高...

High Definition 2006-03-13

尼康NA超過1的液浸設(shè)備半導(dǎo)體商正式采用

　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導(dǎo)體廠商供應(yīng)用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開口數(shù)（NA）為1.07的液浸ArF曝光設(shè)備“NSR-S609B”。這是全球首次供應(yīng)NA超過1的液浸ArF曝光設(shè)備。 ...

NA 尼康 2006-02-21