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SiC MOSFET技術(shù)社區(qū)

SiC MOSFET

SiC MOSFET技術(shù)社區(qū)為您提供最新的SiC MOSFET相關(guān)技術(shù)資訊、SiC MOSFET的技術(shù)資料、SiC MOSFET的電路設(shè)計(jì)方案、SiC MOSFET的視頻資料、SiC MOSFET的相關(guān)元器件資料以及SiC MOSFET的技術(shù)應(yīng)用。

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SiC MOSFET資訊

SiC敘事主線迎來(lái)新篇章 10KV只是新戰(zhàn)場(chǎng)起點(diǎn)

過(guò)去十年里，碳化硅（SiC）功率器件的敘事主線幾乎始終圍繞新能源汽車展開(kāi)。從650V、1200V到1700V，SiC MOSFET最重要的技術(shù)價(jià)值是替代傳統(tǒng)硅基IGBT，提高逆變效率、降低散熱壓力并縮小系統(tǒng)體積。隨著新能...

SiC 10KV 2026-05-19

超快充、數(shù)據(jù)中心成碳化硅SiC下一輪增長(zhǎng)引擎

電動(dòng)汽車超快充、數(shù)據(jù)中心電力基礎(chǔ)設(shè)施，將成為碳化硅（Si）的下一輪增長(zhǎng)引擎。安森美（onsemi）高級(jí)技術(shù)營(yíng)銷總監(jiān) Mrinal Das 在今年 “化合物半導(dǎo)體國(guó)際大會(huì)” 上，用一句話概括了 SiC 的下一波重大機(jī)遇：可...

碳化硅 SiC 2026-05-15

利用智能理想二極管實(shí)現(xiàn)汽車電池前端保護(hù)

簡(jiǎn)介汽車電池端子在啟動(dòng)、車輛保養(yǎng)或維修過(guò)程中可能被反接，如果對(duì)這些故障條件不能恰當(dāng)處理，電子控制單元 (ECU) 中的組件就可能損壞。除此之外，正常運(yùn)行期間的汽車電池電壓也可能不恒定。在 EMC 標(biāo)準(zhǔn)（如 ISO 763...

汽車電池前端保護(hù) 智能理想二極管 2026-05-14

SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時(shí)間選擇

01、SiC MOSFET的體二極管及其關(guān)鍵特性無(wú)論是平面柵還是溝槽柵，SiC MOSFET都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其縱向（從漏極到源極）的層狀結(jié)構(gòu)是通用的，如下圖所示：圖1. 溝槽型--英飛凌非對(duì)稱溝柵CoolSiC? M...

英飛凌 SiC MOSFET 2026-04-30

車展熱鬧背后，汽車電子競(jìng)爭(zhēng)正在往底層走

北京車展不只是新車和功能競(jìng)爭(zhēng)。智駕芯片、智控平臺(tái)、800V 高壓系統(tǒng)、隔離驅(qū)動(dòng)、傳感器、方案整合和交付能力，正在成為整車體驗(yàn)?zāi)芊褡龇€(wěn)的關(guān)鍵。...

汽車電子北京車展 2026-04-25

羅姆發(fā)布第5代碳化硅MOSFET，導(dǎo)通電阻降低30%

據(jù)羅姆官方消息，日本半導(dǎo)體制造商羅姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的開(kāi)發(fā)。新產(chǎn)品通過(guò)改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)和優(yōu)化制造工藝，在175℃結(jié)溫（Tj）條件下，導(dǎo)通電阻較上一代產(chǎn)品降低了約30%。羅姆指出，這款SiC ...

羅姆第5代碳化硅 2026-04-23

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SiC MOSFET專欄

專為將導(dǎo)通損耗降至較低而設(shè)計(jì)的800V+N型碳化硅MOSFET

“超節(jié)功率MOS管”應(yīng)為?超結(jié)功率MOS管?（Super Junction MOSFET），是一種專為高壓大功率應(yīng)用優(yōu)化的功率半導(dǎo)體器件。其核心創(chuàng)新在于通過(guò)?電荷平衡結(jié)構(gòu)?突破傳統(tǒng)硅器件的“硅極限”（即耐壓與導(dǎo)通電阻之間...

超節(jié)功率MOS管功率MOS管 2026-05-13

在路 + 離線兩種方式，精準(zhǔn)判斷 MOS 管好壞避坑要點(diǎn)

很多人測(cè) MOS 管容易誤判，主要是沒(méi)分清在路測(cè)量和離線測(cè)量，被周邊電阻、電容、二極管干擾，導(dǎo)致誤判良品為壞件、壞件漏檢。下面分兩種場(chǎng)景給標(biāo)準(zhǔn)化判斷方法。離線單獨(dú)測(cè)量（最準(zhǔn)、推薦首選）1）拆下 MOS 管，懸空三個(gè)引腳2...

MOSFET 2026-05-11

MOS管通信電源模塊選型指南

在通信電源模塊的設(shè)計(jì)中，功率MOSFET的選型直接關(guān)系到系統(tǒng)的效率、可靠性、功率密度和成本。面對(duì)市場(chǎng)上琳瑯滿目的型號(hào)，如何快速、精準(zhǔn)地選擇一款合適的MOS管，是每一位電源工程師必須掌握的技能。本文將為您梳理通信電源模塊中...

MOS管 MOSFET 2026-03-07

MOS管在車載雨刮電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用與阿賽姆方案

汽車雨刮系統(tǒng)是保障行車安全的關(guān)鍵部件，其核心動(dòng)力源——雨刮電機(jī)的穩(wěn)定、可靠和高效運(yùn)行至關(guān)重要?，F(xiàn)代雨刮系統(tǒng)已從簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)控制發(fā)展為具備多檔調(diào)速、間歇工作、自動(dòng)感應(yīng)等智能功能的復(fù)雜系統(tǒng)。在這一演進(jìn)過(guò)程中，以功率MOSFET...

MOS管 MOSFET 2026-03-06

MOS管新能源儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用：高效能量轉(zhuǎn)換的核心基石

在構(gòu)建新型電力系統(tǒng)和實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)的進(jìn)程中，儲(chǔ)能技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。儲(chǔ)能變流器（PCS）作為連接儲(chǔ)能電池與電網(wǎng)之間的核心能量轉(zhuǎn)換裝置，其性能直接決定了整個(gè)儲(chǔ)能系統(tǒng)的效率、可靠性與經(jīng)濟(jì)性。而在PCS的功率轉(zhuǎn)換單元中...

MOS管 MOSFET 2026-03-02

2026年MOSFET廠家推薦

2026年MOSFET廠家推薦：聚焦技術(shù)實(shí)力與解決方案在功率電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET的選擇是決定產(chǎn)品效率、可靠性和成本的關(guān)鍵。隨著2026年市場(chǎng)對(duì)能源效率、功率密度和智能化要求的進(jìn)一步提高，工程師面臨的選型挑戰(zhàn)也日益復(fù)...

MOSFET MOS管 2026-02-09

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揭秘簡(jiǎn)易 V-MOSFET 調(diào)光燈電路設(shè)計(jì)原理

深度解析簡(jiǎn)易 V - MOSFET 調(diào)光燈電路

SiC IGBT 在汽車中的關(guān)鍵作用

IGBT / MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)

功率 MOSFET 的新型 PSPICE 子電路

從 MOSFET 漏極驅(qū)動(dòng) ZCD 引腳

SiC 肖特基二極管對(duì)比硅整流器

IGBT / MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器基本設(shè)計(jì)

SiC MOSFET資料

羅姆推出高功率密度的新型SiC模塊，將實(shí)現(xiàn)車載充電器小型化！

rohm sic 2025-08-19 立即下載

SiC JFET Cascode應(yīng)用指南

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探索安森美（onsemi）并聯(lián)SiC Cascode JFET技術(shù)及其在高效功率轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

onsemi sic 2025-05-30 立即下載

安森美 NVHL040N120SC1碳化硅MOSFET

安森美 MOSFET 2025-04-03 立即下載

安森美 NVHL020N120SC1碳化硅MOSFET

安森美 MOSFET 2025-04-03 立即下載

安森美車用NVHL160N120SC1碳化硅MOSFET

安森美 MOSFET 2025-04-03 立即下載

MOSFET管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)資料總結(jié)

MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 2025-01-21 立即下載

英飛凌400 V CoolSiC MOSFET應(yīng)用介紹

英飛凌 CoolSiC 2024-12-27 立即下載

英飛凌400 V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品綜述

英飛凌 CoolSiC 2024-12-27 立即下載

英飛凌400 V CoolSiC MOSFET用于AI服務(wù)器的應(yīng)用指南

英飛凌 CoolSiC 2024-12-27 立即下載

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SiC MOSFET論壇

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