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SiC敘事主線迎來新篇章 10KV只是新戰(zhàn)場起點

過去十年里，碳化硅（SiC）功率器件的敘事主線幾乎始終圍繞新能源汽車展開。從650V、1200V到1700V，SiC MOSFET最重要的技術價值是替代傳統(tǒng)硅基IGBT，提高逆變效率、降低散熱壓力并縮小系統(tǒng)體積。隨著新能...

SiC 10KV 2026-05-19

超快充、數(shù)據(jù)中心成碳化硅SiC下一輪增長引擎

電動汽車超快充、數(shù)據(jù)中心電力基礎設施，將成為碳化硅（Si）的下一輪增長引擎。安森美（onsemi）高級技術營銷總監(jiān) Mrinal Das 在今年 “化合物半導體國際大會” 上，用一句話概括了 SiC 的下一波重大機遇：可...

碳化硅 SiC 2026-05-15

利用智能理想二極管實現(xiàn)汽車電池前端保護

簡介汽車電池端子在啟動、車輛保養(yǎng)或維修過程中可能被反接，如果對這些故障條件不能恰當處理，電子控制單元 (ECU) 中的組件就可能損壞。除此之外，正常運行期間的汽車電池電壓也可能不恒定。在 EMC 標準（如 ISO 763...

汽車電池前端保護智能理想二極管 2026-05-14

SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時間選擇

01、SiC MOSFET的體二極管及其關鍵特性無論是平面柵還是溝槽柵，SiC MOSFET都采用垂直導電結構，其縱向（從漏極到源極）的層狀結構是通用的，如下圖所示：圖1. 溝槽型--英飛凌非對稱溝柵CoolSiC? M...

英飛凌 SiC MOSFET 2026-04-30

車展熱鬧背后，汽車電子競爭正在往底層走

北京車展不只是新車和功能競爭。智駕芯片、智控平臺、800V 高壓系統(tǒng)、隔離驅(qū)動、傳感器、方案整合和交付能力，正在成為整車體驗能否做穩(wěn)的關鍵。...

汽車電子北京車展 2026-04-25

羅姆發(fā)布第5代碳化硅MOSFET，導通電阻降低30%

據(jù)羅姆官方消息，日本半導體制造商羅姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的開發(fā)。新產(chǎn)品通過改進器件結構和優(yōu)化制造工藝，在175℃結溫（Tj）條件下，導通電阻較上一代產(chǎn)品降低了約30%。羅姆指出，這款SiC ...

羅姆第5代碳化硅 2026-04-23

1200V 碳化硅半橋模塊問世，為 IGBT 方案提供簡易升級路徑

SemiQ 推出面向數(shù)據(jù)中心制冷與工業(yè)驅(qū)動的半橋系列產(chǎn)品，集成 1mΩ 導通電阻 SiC MOSFET 與并聯(lián)碳化硅二極管，實現(xiàn)高功率轉換效率。來源：Anattawut | Dreamstime.comSemiQ 公司開...

SiC AI數(shù)據(jù)中心 2026-04-23

600V 超結 MOSFET 面向電動汽車、開關電源及光伏逆變器應用

來源：萬高半導體（Alpha & Omega Semiconductor，AOS）萬高半導體（AOS）推出的 AOTL037V60DE2 型 600V MOSFET，是該公司基于 MOS E2 平臺實現(xiàn)量產(chǎn)的首款器件。該...

MOSFET 太陽能逆變器 2026-04-23

SiC MOSFET的并聯(lián)設計要點

SiC MOSFET 的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導通電阻等因素限制,常見的單管額定電流多在幾十到兩百安培,而軌道交通、新能源并網(wǎng)、高壓逆變器等場景,往往需要千安級的電流輸出,單管無法滿足。因此,SiC MOSF...

英飛凌 SiC MOSFET 2026-04-22

溝槽柵SiC MOSFET如何成為SST高頻高壓下的最優(yōu)解

對于我國的電力電子界來說,固態(tài)變壓器(SST)并非是一個全新的話題,在軌道交通、電網(wǎng)合環(huán)運行、大型超充站項目里都有過試點實踐。受限于高成本、功率器件參數(shù)選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸,SST曾經(jīng)的商業(yè)化之路面對的挑戰(zhàn)大于機遇...

英飛凌溝槽柵 2026-04-22

碳化硅賦能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超結 MOSFET

碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務器、工業(yè)電源等關鍵領域掀起技術變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構電源設計邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務器電源場景的應用價值。我們已...

安森美碳化硅 2026-04-22

電力電子的未來：2026 MOSFET晶體管趨勢與技術創(chuàng)新

引言電力電子領域正在飛速發(fā)展，MOSFET 晶體管始終處于創(chuàng)新前沿。隨著 2026 年臨近，這類器件在消費電子、工業(yè)系統(tǒng)等眾多應用中變得愈發(fā)不可或缺。2026 年全球半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模預計達到 5952 億美元，正反映出這一...

電力電子 MOSFET 2026-04-16

IGBT與MOSFET：數(shù)據(jù)對比選型以助力優(yōu)化電子設計

引言在飛速發(fā)展的電子設計領域，選用合適的元器件對優(yōu)化性能、效率與可靠性至關重要。** 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）與金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管（MOSFET）** 是工程師在電力電子應用中經(jīng)常選用...

IGBT MOSFET 2026-04-16

IRF540 功率MOSFET實際應用：案例研究與深度解析

本文面向工程師與采購人員的專業(yè)指南，涵蓋 IRF540 功率 MOSFET 的實際應用、案例研究與深度解析，包含技術規(guī)格、應用場景及采購建議。引言在不斷發(fā)展的電子技術領域中，IRF540 功率 MOSFET 憑借其通用性...

IRF540 MOSFET 2026-04-16

Vishay推出適用于GaN和SiC開關應用EMI濾波的新型航天級共模扼流圈

美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款新型航天級表面貼裝共模扼流圈-...

Vishay GaN 2026-04-16

SiC MOSFET 短路行為解析與英飛凌保護方案探討

在設計常見的DCDC或DCAC等電路時，我們經(jīng)常遇到需要橋臂直通保護的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受時間，足以應付大部分短路工況。然而，對于SiC MOSFET器件來說，問題變得復雜了。因為在相同的電流等級...

英飛凌 SiC 2026-04-09

英飛凌第二代SiC MOSFET性能解析及設計要點

在新能源革命與工業(yè)數(shù)字化的浪潮中，功率半導體作為核心“能量管家”，直接決定著電力轉換系統(tǒng)的效率、密度與可靠性。英飛凌作為全球功率器件的領軍者，憑借其深耕碳化硅（SiC）領域的技術積淀，推出了CoolSiC? MOSFET...

英飛凌 SiC 2026-04-09

選用合適的MOSFET：下一項目的核心選型要點

引言在飛速發(fā)展的電子領域中，選擇合適的 MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）對項目成功至關重要。據(jù)預測，到 2026 年半導體行業(yè)規(guī)模將達到 5952 億美元，對高效、可靠 MOSFET 的需求持續(xù)增...

MOSFET 電源管理 2026-04-09

Diodes推出行業(yè)領先的100V PowerDI?8080-5封裝MOSFET

Diodes 公司（Nasdaq：DIOD）推出行業(yè)領先的超低RDS（ON）100V MOSFET，擴充其PowerDI8080-5 汽車級*N溝道MOSFET產(chǎn)品組合。與新型40V至80V MOSFET一同推出，所有8...

Diodes PowerDI 2026-04-03

第三代半導體的戰(zhàn)略意義：SiC和GaN如何突破硅基芯片的戰(zhàn)場局限

很多人想不明白為何美國以軍事用途為由列舉出海量的半導體禁運名單中，其中絕大部分并不是最先進的處理器，而是很多看似工藝并不先進的模擬類芯片。半導體作為現(xiàn)代信息技術的基石，其技術迭代直接推動國防裝備的性能躍升。從第一代硅（S...

第三代半導體 SiC 2026-03-31

麥米電氣采用英飛凌CoolMOS? 8 MOSFET驅(qū)動其新一代AI服務器

【2026年3月25日, 中國上海訊】中國人工智能服務器電源供應商深圳麥格米特電氣股份有限公司（以下簡稱：麥米電氣）宣布，將在其5.5 kW人工智能（AI）服務器電源中采用由全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科...

麥米電氣英飛凌 2026-03-25

Vishay采用行業(yè)標準SOT-227封裝的1200V SiC MOSFET功率模塊提升功率效率

2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模塊---VS-SF50LA120、VS-S...

Vishay SOT-227 2026-03-17

為800V應用選擇合適的半導體技術

隨著AI數(shù)據(jù)中心向更高功率密度和更高效能源分配演進，高壓中間母線轉換器（HV IBC）正逐漸成為下一代云計算供電架構中的關鍵器件。本文針對橫向GaN HEMT、碳化硅MOSFET及SiC Cascode JFET（CJF...

800V 半導體技術 2026-03-06

ROHM發(fā)布搭載新型SiC模塊的三相逆變器參考設計

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，在官網(wǎng)發(fā)布了搭載EcoSiC?品牌SiC塑封型模塊“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack?”的三相逆變器電路參考設計“REF680...

ROHM SiC 2026-03-06

英飛凌XHP? 2系列2300V CoolSiC? 碳化硅MOSFET

為順應可再生能源領域中1500V直流母線應用日益增長的趨勢，英飛凌推出XHP? 2系列2300V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品擴充。該系列產(chǎn)品電流規(guī)格豐富，最高可達2000A，并提供4kV或6kV的隔離電壓等級，非...

英飛凌再生能源 2026-03-03

CoolSiC? MOSFET M1H共源配置62mm模塊

英飛凌推出1200V和2000V CoolSiC? MOSFET 62mm半橋模塊，結合M1H芯片技術，推出共源配置版本產(chǎn)品型號：■ FF1MR12KM1H■ FF3MR12KM1H■ F...

英飛凌 CoolSiC 2026-03-03

ROHM全面啟動新型SiC塑封型模塊的網(wǎng)售！

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，其新型SiC模塊“TRCDRIVE pack?”、“HSDIP20”及“DOT-247”已開始網(wǎng)售。近年來，全球電力緊缺危機加劇，節(jié)能的重要性日益凸顯，這促使更...

ROHM SiC塑封型模塊 2026-02-26

化合物半導體襯底市場年復合增長率達 14%

2031 年，化合物半導體襯底與開放式外延片市場規(guī)模合計預計將接近 52 億美元，年復合增長率約為 14%。汽車電動化推動碳化硅（SiC）襯底市場發(fā)展，射頻領域仍由砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）主導，磷化銦（InP...

化合物半導體襯底 2026-02-25

英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網(wǎng)的讀者而...

英飛凌 CoolSiC 2026-02-11

英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅(qū)動IC，加速SiC方案設計

英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統(tǒng)基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據(jù)官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED...

英飛凌 IC 2026-02-10

安森美T2PAK封裝：破局熱管理瓶頸重構高功率生態(tài)

在電動汽車、光伏儲能、AI數(shù)據(jù)中心等領域迎來功率需求爆發(fā)式增長的當下，熱管理已成為制約電源產(chǎn)品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統(tǒng)封裝方案往往在散熱性能與開關特性之間難以兼顧，行業(yè)迫切需要兼具創(chuàng)新結構與卓越性能的解決方案。...

202601 MOSFET 2026-02-03

柵極氧化層在SiC MOSFET設計中的重要作用

碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業(yè)得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET...

英飛凌 MOSFET 2026-01-27

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何...

英飛凌碳化硅 2026-01-27

SiC為電動汽車的高壓逆變器功率模塊

汽車零部件供應商舍弗勒已啟動新款高壓逆變器功率模塊的量產(chǎn)工作。該模塊采用羅姆的碳化硅功率場效應晶體管裸片，是雙方戰(zhàn)略合作的重要成果。這款逆變器組件也被稱為功率模塊（brick），是電動汽車牽引逆變器的核心功率單元，其功能...

SiC 電動汽車 2026-01-27

功率電路進階教程：SiC JFET 如何實現(xiàn)熱插拔控制

本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統(tǒng)取得重大進步、通過評估和測試結果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過...

安森美功率電路 2026-01-19

功率電路進階教程：固態(tài)斷路器采用SiC JFET的四個理由

本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統(tǒng)取得重大進步、通過評估和測試結果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過浪涌電...

安森美功率電路 2026-01-19

聚焦固態(tài)斷路器核心：安森美SiC JFET特性深度解讀

輸配電系統(tǒng)與各類靈敏用電設備的安全運行，離不開對長時間過載與瞬態(tài)短路故障的妥善防護。這些風險若未及時管控，輕則導致設備損壞，重則引發(fā)系統(tǒng)癱瘓。隨著電力系統(tǒng)電壓等級持續(xù)提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現(xiàn)的最大故障...

安森美固態(tài)斷路器 2026-01-19

Melexis硅基RC緩沖器獲利普思選用，攜手開啟汽車與工業(yè)能源管理技術新征程

全球微電子工程公司Melexis近日宣布，其創(chuàng)新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進的功率半導體模塊制造商利普思（Leapers）選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標志著雙方在技術創(chuàng)新與系統(tǒng)優(yōu)化上的深度融...

Melexis 邁來芯 2026-01-13

onsemi 與 FORVIA HELLA 在汽車動力 MOSFET 領域進一步展開合作

Onsemi與FORVIA HELLA延續(xù)了長期的戰(zhàn)略合作，正式簽署了一項專注于下一代汽車動力MOSFET技術的新長期協(xié)議。該交易重點在于將Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET應用于FORVIA H...

Onsemi FORVIA HELLA 2026-01-04

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650V G2，實現(xiàn)更高的功率密度

簡介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個新水平，同時滿足所有常見電源方案組合的最高質(zhì)量標準： AC-DC、...

英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29