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SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能。查看更多>>

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SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時(shí)間選擇

01、SiC MOSFET的體二極管及其關(guān)鍵特性無論是平面柵還是溝槽柵，SiC MOSFET都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其縱向（從漏極到源極）的層狀結(jié)構(gòu)是通用的，如下圖所示：圖1. 溝槽型--英飛凌非對稱溝柵CoolSiC? M...

英飛凌 SiC MOSFET 2026-04-30

車展熱鬧背后，汽車電子競爭正在往底層走

北京車展不只是新車和功能競爭。智駕芯片、智控平臺、800V 高壓系統(tǒng)、隔離驅(qū)動(dòng)、傳感器、方案整合和交付能力，正在成為整車體驗(yàn)?zāi)芊褡龇€(wěn)的關(guān)鍵。...

汽車電子北京車展 2026-04-25

1200V 碳化硅半橋模塊問世，為 IGBT 方案提供簡易升級路徑

SemiQ 推出面向數(shù)據(jù)中心制冷與工業(yè)驅(qū)動(dòng)的半橋系列產(chǎn)品，集成 1mΩ 導(dǎo)通電阻 SiC MOSFET 與并聯(lián)碳化硅二極管，實(shí)現(xiàn)高功率轉(zhuǎn)換效率。來源：Anattawut | Dreamstime.comSemiQ 公司開...

SiC AI數(shù)據(jù)中心 2026-04-23

SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

SiC MOSFET 的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導(dǎo)通電阻等因素限制,常見的單管額定電流多在幾十到兩百安培,而軌道交通、新能源并網(wǎng)、高壓逆變器等場景,往往需要千安級的電流輸出,單管無法滿足。因此,SiC MOSF...

英飛凌 SiC MOSFET 2026-04-22

溝槽柵SiC MOSFET如何成為SST高頻高壓下的最優(yōu)解

對于我國的電力電子界來說,固態(tài)變壓器(SST)并非是一個(gè)全新的話題,在軌道交通、電網(wǎng)合環(huán)運(yùn)行、大型超充站項(xiàng)目里都有過試點(diǎn)實(shí)踐。受限于高成本、功率器件參數(shù)選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸,SST曾經(jīng)的商業(yè)化之路面對的挑戰(zhàn)大于機(jī)遇...

英飛凌溝槽柵 2026-04-22

碳化硅賦能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET

碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計(jì)邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場景的應(yīng)用價(jià)值。我們已...

安森美碳化硅 2026-04-22