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臺(tái)積電暫緩引入High-NA EUV，先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)不只是設(shè)備選擇

臺(tái)積電并沒(méi)有急著把High-NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻技術(shù)放進(jìn)2029年前的量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。作為對(duì)比，英特爾則更早導(dǎo)入High-NA設(shè)備。兩家公司真正的差異，不只是設(shè)備選擇，而是量產(chǎn)節(jié)奏、成本和良率風(fēng)險(xiǎn)的取舍。...

臺(tái)積電英特爾 2026-04-28

ASML最強(qiáng)EUV碰壁！臺(tái)積電喊「太貴」真實(shí)盤算曝光

臺(tái)積電在2026年北美技術(shù)論壇指出，2029年底沒(méi)有計(jì)劃導(dǎo)入艾司摩爾（ASML）最先進(jìn)的微影設(shè)備，此消息沖擊ASML股價(jià)跌逾1%，臺(tái)積電ADR大幅上漲逾5%，顯示投資人對(duì)臺(tái)積電以較低成本推進(jìn)技術(shù)的策略給予正面評(píng)價(jià)。根據(jù)《...

ASML EUV 2026-04-24

ASML意外大裁員的背后是對(duì)半導(dǎo)體發(fā)展失衡的擔(dān)憂

這次意外大裁員其實(shí)并不意外，很有可能源于ASML對(duì)未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展失衡狀態(tài)的前瞻而提前進(jìn)行的戰(zhàn)略調(diào)整，面對(duì)未來(lái)幾年可能遭遇無(wú)法預(yù)知的狂風(fēng)巨浪，ASML要搶先一步提升自身陀螺儀的魯棒性。...

ASML 裁員 2026-03-20

EUV光刻機(jī)將成為算力擴(kuò)張的下一個(gè)瓶頸

隨著AI投資狂潮席卷科技行業(yè)，真正限制算力擴(kuò)張的環(huán)節(jié)在哪里？半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)SemiAnalysis創(chuàng)始人給出的答案是：瓶頸一直在變。SemiAnalysis是一家近年來(lái)在科技和投資圈迅速走紅的半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)，其研究廣泛被...

EUV 光刻機(jī) 2026-03-17

阿斯麥宣布裁員 1700 名管理人員七周后，員工仍不知情

荷蘭芯片設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）希望在 4 月 1 日前獲得工會(huì)批準(zhǔn)。在這家荷蘭芯片設(shè)備巨頭宣布計(jì)劃裁減 1700 個(gè)管理崗位七周后，其員工仍不清楚自己是否會(huì)丟掉工作。此次裁員發(fā)生在阿斯麥創(chuàng)下 327 億歐元年度營(yíng)收...

阿斯麥 ASML 2026-03-16

IMEC研發(fā)新型曝光后烘烤工藝，提速EUV設(shè)備并提升先進(jìn)芯片產(chǎn)能

比利時(shí)微電子研究中心（imec）證實(shí)，在極紫外光刻（EUV）的曝光后烘烤（PEB）環(huán)節(jié)，將氧濃度提升至大氣水平以上，可顯著提高金屬氧化物光刻膠（MOR）的感光速度。感光速度加快意味著光刻膠能以更低的 EUV 曝光劑量達(dá)到...

IMEC 曝光后烘烤 2026-02-28

氣體控制技術(shù)提升極紫外光刻（EUV）晶圓產(chǎn)能

比利時(shí)微電子研究中心（imec）證實(shí)，在極紫外光刻（EUV）曝光后的關(guān)鍵步驟中，對(duì)氣體成分進(jìn)行精準(zhǔn)控制，可最大限度降低所需曝光劑量，進(jìn)而顯著提升晶圓產(chǎn)能。具體而言，當(dāng)極紫外光刻曝光后烘烤（post-exposure ba...

氣體控制技術(shù) 極紫外光刻 2026-02-27

阿斯麥ASML公布EUV光源技術(shù)突破，2030年芯片產(chǎn)能或提升50%

2 月 23 日消息，據(jù)路透社今日?qǐng)?bào)道，阿斯麥（ASML）的研究人員表示，他們已找到提升關(guān)鍵芯片制造設(shè)備光源功率的方法，到 2030 年可將芯片產(chǎn)量提高多達(dá) 50%。阿斯麥極紫外（EUV）光源首席技術(shù)官邁克爾?珀維斯（M...

阿斯麥 ASML 2026-02-24

阿斯麥將極紫外光刻機(jī)光源功率提升至1000瓦，助力提升芯片良率、降低制造成本

阿斯麥（ASML）宣布將極紫外光刻（EUV）設(shè)備的核心光源功率提升至1000 瓦，這一技術(shù)突破將直接推動(dòng)先進(jìn)制程芯片的生產(chǎn)良率提升，同時(shí)有效降低單顆芯片的制造成本，成為先進(jìn)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一重要技術(shù)進(jìn)展。在極紫外光刻技...

阿斯麥極紫外光刻機(jī) 2026-02-24

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備加速崛起

據(jù)《日經(jīng)亞洲》報(bào)道，日本研究機(jī)構(gòu)Global Net數(shù)據(jù)顯示，2025年全球芯片設(shè)備廠商前20強(qiáng)中有3家中國(guó)企業(yè)，較2022年美國(guó)出口限制前新增2家。這三家公司分別是北方華創(chuàng)、中微公司和上海微電子。值得注意的是，若將范圍...

半導(dǎo)體設(shè)備 ASML 2026-02-03

ASML計(jì)劃裁員4%，簡(jiǎn)化技術(shù)部門內(nèi)的決策流程

全球最大的先進(jìn)芯片荷蘭制造商ASML在公布其銷售額連續(xù)第十三年實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)后，CEO克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在聲明中表示，計(jì)劃裁減約1700個(gè)工作崗位，作為其技術(shù)和IT運(yùn)營(yíng)重組的一部分。此次裁...

ASML DUV 2026-01-29

三星首次引入紫外層薄膜是在美國(guó)泰勒工廠

三星電子將首次在美國(guó)泰勒晶圓廠推出“極紫外（EUV）薄膜”，這是一種提升先進(jìn)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)力的關(guān)鍵組件。此前尚不清楚是否會(huì)引入，但通過(guò)訂購(gòu)關(guān)鍵設(shè)備幾乎確認(rèn)了申請(qǐng)。根據(jù)22日的行業(yè)報(bào)道，三星電子已在美國(guó)德克薩斯州泰勒工廠訂...

三星紫外層薄膜 2026-01-26

中國(guó)EUV技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破，半導(dǎo)體競(jìng)賽格局生變

隨著計(jì)算技術(shù)的進(jìn)步，越來(lái)越多的先進(jìn)芯片應(yīng)運(yùn)而生。最新一代 3 納米和 2 納米制程芯片的尺寸極小，傳統(tǒng)光源波長(zhǎng)已無(wú)法在如此精細(xì)的尺度上實(shí)現(xiàn)可靠的圖形光刻。這一挑戰(zhàn)并非新題 —— 半導(dǎo)體行業(yè)長(zhǎng)期以來(lái)一直使用深紫外光刻（DU...

EUV 半導(dǎo)體 2025-12-25

據(jù)報(bào)道，中國(guó)利用較舊的ASML組件制造EUV原型機(jī)，Eyes 2028芯片制造

中國(guó)朝向國(guó)產(chǎn)紫外真空光刻能力的漫長(zhǎng)進(jìn)程似乎正在縮小，近期發(fā)展顯示進(jìn)展速度超乎預(yù)期。據(jù)路透社報(bào)道，消息人士稱中國(guó)已組裝了一臺(tái)使用舊ASML系統(tǒng)組件的EUV原型機(jī)。正如報(bào)道所示，消息人士稱中國(guó)政府目標(biāo)是在2028年前生產(chǎn)使用...

ASML EUV 2025-12-19

ASML CEO警告：過(guò)度封鎖或加速中國(guó)技術(shù)自主

全球光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）首席執(zhí)行官克里克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在專訪時(shí)，談到了被禁止向中國(guó)出口所有EUV設(shè)備及最先進(jìn)的深紫外（DUV）光刻設(shè)備，就當(dāng)前西方對(duì)華光刻機(jī)出口限制政策，拋...

ASML DUV 2025-12-16

使用電子噪聲和抗蝕劑模糊模型預(yù)測(cè)隨機(jī)EUV缺陷密度

近年來(lái)，首次直接解決了EUV光刻中二次電子噪聲的統(tǒng)計(jì)及其對(duì)缺陷概率的影響[1]。在本文中，我們將考慮一些更新的 EUV 抗蝕劑模糊模型，包括化學(xué)放大（CAR）和金屬氧化物（MOR）類型。首先，讓我們回顧一下推導(dǎo) ...

電子噪聲抗蝕劑 2025-11-10

4億美元太貴！臺(tái)積電仍拒絕購(gòu)買ASML的High-NA EUV設(shè)備

目前，生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體必不可少的EUV（極紫外）光刻設(shè)備由荷蘭ASML獨(dú)家供應(yīng)，而臺(tái)積電2nm工藝就是利用現(xiàn)有的EUV設(shè)備實(shí)現(xiàn)晶圓的大規(guī)模量產(chǎn)，并保持較高的良率。但隨著推進(jìn)到更先進(jìn)的次2nm節(jié)點(diǎn) —— 即1.4nm與1nm...

臺(tái)積電 ASML 2025-10-23

ASML警告中國(guó)銷量下降或加劇26年增長(zhǎng)擔(dān)憂

荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備巨頭、芯片制造光刻機(jī)的主要供應(yīng)商 ASML Holding NV 于 2025 年 10 月 15 日發(fā)布了 2025 年第三季度財(cái)報(bào)。結(jié)果顯示，在人工智能需求的推動(dòng)下，訂單量強(qiáng)勁，但也對(duì) 2026 年對(duì)中...

ASML EUV 2025-10-16

三星購(gòu)買了兩款A(yù)SML高數(shù)值孔值EUV工具

據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，據(jù)報(bào)道，三星將于今年晚些時(shí)候收到其首款高數(shù)值孔徑（high-NA） EUV 掃描儀——Twinscan EXE：5200B，隨后將于 2026 年上半年推出第二臺(tái)掃描儀。報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，雖然該公司已...

三星 ASML 2025-10-16

ASML警告明年來(lái)自中國(guó)的需求可能大幅下滑

荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML第三季訂單表現(xiàn)優(yōu)于分析師預(yù)期，并表示明年銷售額將至少與2025年持平，主要受惠于全球企業(yè)大規(guī)模投資AI領(lǐng)域、對(duì)芯片制造設(shè)備的需求。同時(shí)，ASML也警告說(shuō)，明年來(lái)自中國(guó)的需求可能大幅下滑。ASM...

ASML 財(cái)報(bào) 2025-10-16

臺(tái)積電加速自研EUV光罩保護(hù)膜，單片晶圓生產(chǎn)效率提升了4.5倍

據(jù)Tom's hardware報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）作為全球最大的先進(jìn)制程晶圓代工廠，不僅擁有著全球最先進(jìn)的制程工藝，也擁有著數(shù)量最多的ASML極紫外光（EUV）光刻機(jī)。2019年首次于華為麒麟9000處理器導(dǎo)入EUV...

臺(tái)積電 EUV 2025-09-23

三星據(jù)報(bào)道首次外包光掩模，著眼于新的 EUV 光掩模技術(shù)

根據(jù) The Elec 報(bào)道，援引行業(yè)消息人士稱，三星首次外包光掩?！酒圃熘兄陵P(guān)重要的組件。報(bào)道稱，三星據(jù)說(shuō)正在外包低端光掩模用于內(nèi)存芯片，這表明其策略是將資源轉(zhuǎn)向 ArF 和 EUV 掩模生產(chǎn)...

EUV 光刻機(jī) 2025-09-18

臺(tái)積電重新利用舊晶圓廠，將 EUV 薄膜生產(chǎn)引入內(nèi)部

臺(tái)積電正在重新利用其位于新竹科學(xué)園的舊的、已折舊的 8 英寸 Fab 3 來(lái)生產(chǎn)極紫外薄膜，并將這種生產(chǎn)引入內(nèi)部。EUV 薄膜是一種薄而高度透明的薄膜，拉伸在光掩模上方，以防止顆粒在 EUV 暴露期間接觸掩模。它旨在承受...

臺(tái)積電舊晶圓廠 2025-09-14

ASML 和 SK hynix 在韓國(guó)的工廠組裝了業(yè)界首個(gè)“商用”High NA EUV 系統(tǒng)

ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實(shí)現(xiàn) 8 納米分辨率——而當(dāng)前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提...

EUV 光刻機(jī) 2025-09-04

美國(guó)、日本領(lǐng)導(dǎo)政府支持的光刻機(jī)(EUV)推廣，韓國(guó)據(jù)報(bào)道落后

根據(jù)韓國(guó)媒體 outlet ETNews 的報(bào)道，美國(guó)和日本正積極通過(guò)政府主導(dǎo)的舉措將極紫外(EUV)光刻機(jī)引入公共研究機(jī)構(gòu)。相比之下，韓國(guó)政府在這一領(lǐng)域的推動(dòng)工作落后于美國(guó)和日本，報(bào)道暗示。美國(guó) –...

EUV 光刻機(jī) 2025-07-02

半導(dǎo)體巨頭對(duì)high-NA EUV態(tài)度分化

據(jù)外媒報(bào)道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭(zhēng)議的觀點(diǎn)：未來(lái)晶體管設(shè)計(jì)，例如GAAFET和CFET架構(gòu)，可能會(huì)降低芯片制造對(duì)先進(jìn)光刻設(shè)備的依賴，尤其是對(duì)EUV光刻機(jī)的需求。這一觀點(diǎn)無(wú)疑對(duì)當(dāng)前芯片制造技術(shù)的核心模式提出...

半導(dǎo)體 high-NA EUV 2025-07-01

臺(tái)積電重申1.4nm級(jí)工藝技術(shù)不需要高數(shù)值孔徑EUV

臺(tái)積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術(shù)研討會(huì)上重申了其對(duì)下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻工具的長(zhǎng)期立場(chǎng)。該公司的下一代工藝技術(shù)不需要這些最高端的光刻系統(tǒng)，包括 A16（1.6 納米級(jí)）和 A14（1.4 納米級(jí)）工藝技...

臺(tái)積電 1.4nm 2025-05-29

臺(tái)積電保持觀望 ASML最新EUV機(jī)臺(tái)只賣了5臺(tái)

荷蘭阿斯麥（ASML）全新機(jī)臺(tái)卻讓臺(tái)積電望之卻步！英媒指出，盡管阿斯麥最新一代的高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外光（EUV）微影設(shè)備性能強(qiáng)大，但因這款機(jī)臺(tái)單價(jià)高達(dá)4億美元，臺(tái)積電高層表示，目前「找不到非用不可的理由」...

臺(tái)積電 ASML 2025-05-29

三星外包低端光掩模，將資源集中在ArF和EUV上

據(jù) The Elec 報(bào)道，三星計(jì)劃外包用于存儲(chǔ)芯片制造的光掩模的生產(chǎn)。到目前為止，該公司一直在內(nèi)部生產(chǎn)所有光掩模，以防止技術(shù)泄漏。Elec 表示，據(jù)報(bào)道，三星正在評(píng)估低端光掩模的潛在供應(yīng)商，例如 i...

三星低端光掩模 2025-05-15

三星被曝將首次外包芯片“光掩?！鄙a(chǎn)，聚焦ArF和EUV等先進(jìn)技術(shù)

5 月 14 日消息，光掩模（版）系生產(chǎn)集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu)，其原理類似于沖洗相片時(shí)利用底片將影像復(fù)制到相片上。韓國(guó)科技媒體 TheElec 今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子正計(jì)劃將內(nèi)存芯片制...

三星外包芯片 2025-05-14

ASML計(jì)劃在荷蘭大規(guī)模擴(kuò)張，助力EUV設(shè)備交付

據(jù)荷蘭媒體報(bào)道，ASML計(jì)劃在2028年前將其員工遷入位于荷蘭埃因霍溫附近的全新Brainport產(chǎn)業(yè)園區(qū)。這一消息是在ASML與埃因霍溫市政府官員共同介紹城市發(fā)展計(jì)劃初步草案時(shí)透露的。這一擴(kuò)張計(jì)劃引發(fā)了全球晶圓制造行業(yè)...

EUV 光刻機(jī) 2025-05-09

ASM宣布將啟動(dòng)美國(guó)本土生產(chǎn)以應(yīng)對(duì)關(guān)稅壓力

據(jù)媒體報(bào)道，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASM International（簡(jiǎn)稱“ASM”）在2025年第一季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上宣布，將立即啟動(dòng)在美國(guó)本土的生產(chǎn)計(jì)劃，以應(yīng)對(duì)美國(guó)近期實(shí)施的關(guān)稅政策。今年4月初，美國(guó)總統(tǒng)特朗普簽署了一...

ASML EUV 2025-05-06

臺(tái)積電避免使用高NA EUV光刻技術(shù)

根據(jù)臺(tái)積電北美技術(shù)研討會(huì)的報(bào)告，代工臺(tái)積電不需要使用高數(shù)值孔徑極紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm）工藝上制造芯片。該公司在研討會(huì)上介紹了 A14 工藝，稱預(yù)計(jì)將于 2028 年投產(chǎn)。之前已經(jīng)說(shuō)過(guò)，A16 工藝將于...

臺(tái)積電高NA 2025-04-30

地都賣了，三星電子與ASML半導(dǎo)體研發(fā)合作還能繼續(xù)嗎？

三星電子和ASML曾于2023年12月宣布共同投資7億歐元（約1萬(wàn)億韓元），在大都市地區(qū)建立極紫外（EUV）研究中心，致力于打造面向未來(lái)的半導(dǎo)體制造設(shè)備以保持三星在先進(jìn)工藝制程技術(shù)的領(lǐng)先性。針對(duì)這次合作，ASML特別與韓...

三星電子 ASML 2025-04-23

前英特爾CEO加入光刻技術(shù)初創(chuàng)公司

近日，英特爾前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布加入xLight，擔(dān)任董事會(huì)執(zhí)行董事長(zhǎng)，xLight官網(wǎng)上個(gè)月也公布了這一消息。xLight是一家面向極紫外（EUV）光刻機(jī)開發(fā)基于直線電子加速器的自由電...

英特爾 EUV 2025-04-15

三星已組建專注于1nm芯片開發(fā)的團(tuán)隊(duì) 量產(chǎn)目標(biāo)定于2029年

2nm GAA 工藝進(jìn)展被傳順利，但三星的目標(biāo)是通過(guò)推出自己的 1nm 工藝來(lái)突破芯片開發(fā)的技術(shù)限制。一份新報(bào)告指出，該公司已經(jīng)成立了一個(gè)團(tuán)隊(duì)來(lái)啟動(dòng)這一工藝。然而，由于量產(chǎn)目標(biāo)定于 2029 年，我們可能還需要一段時(shí)間才...

三星 1nm 2025-04-10

ASML計(jì)劃在日本擴(kuò)增五倍EUV芯片工具員工

近日，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML宣布，計(jì)劃在日本將其先進(jìn)的極紫外光（EUV）芯片工具的員工人數(shù)擴(kuò)增五倍，這一舉措旨在加強(qiáng)其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。隨著全球?qū)Ω咝阅苄酒枨蟮募ぴ?，ASML的這一決策不僅能提升其在日本的...

ASML EUV 2025-04-03

EUV的未來(lái)看起來(lái)更加光明

對(duì)支持一切 AI 的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片的需求迅速增長(zhǎng)，這給該行業(yè)滿足需求的能力帶來(lái)了壓力。從為大型語(yǔ)言模型提供支持的超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心，到智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和自主系統(tǒng)中的邊緣 AI，對(duì)尖端半導(dǎo)體的需求正在加速。但制造這些芯片在...

EUV AI芯片 2025-03-18

芯片巨頭，盯上EUV

除了 ArF 空白掩膜，三星還在加大力度將其他高度依賴日本的材料本地化。...

三星電子 EUV 2025-03-05

英特爾：ASML首批兩臺(tái)High-NA EUV設(shè)備已投產(chǎn)

據(jù)路透社報(bào)道，半導(dǎo)體大廠英特爾近日表示，半導(dǎo)體設(shè)備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺(tái)尖端高數(shù)值孔徑（High NA）光刻機(jī)已在其工廠正式投入生產(chǎn)，且早期數(shù)據(jù)顯示，這些設(shè)備的性能比之前的機(jī)型更可靠。報(bào)道稱，英特爾資深首席工程...

英特爾 ASML 2025-02-26