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利用智能理想二極管實現(xiàn)汽車電池前端保護(hù)

簡介汽車電池端子在啟動、車輛保養(yǎng)或維修過程中可能被反接，如果對這些故障條件不能恰當(dāng)處理，電子控制單元 (ECU) 中的組件就可能損壞。除此之外，正常運行期間的汽車電池電壓也可能不恒定。在 EMC 標(biāo)準(zhǔn)（如 ISO 763...

汽車電池前端保護(hù) 智能理想二極管 2026-05-14

SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時間選擇

01、SiC MOSFET的體二極管及其關(guān)鍵特性無論是平面柵還是溝槽柵，SiC MOSFET都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其縱向（從漏極到源極）的層狀結(jié)構(gòu)是通用的，如下圖所示：圖1. 溝槽型--英飛凌非對稱溝柵CoolSiC? M...

英飛凌 SiC MOSFET 2026-04-30

羅姆發(fā)布第5代碳化硅MOSFET，導(dǎo)通電阻降低30%

據(jù)羅姆官方消息，日本半導(dǎo)體制造商羅姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的開發(fā)。新產(chǎn)品通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)和優(yōu)化制造工藝，在175℃結(jié)溫（Tj）條件下，導(dǎo)通電阻較上一代產(chǎn)品降低了約30%。羅姆指出，這款SiC ...

羅姆第5代碳化硅 2026-04-23

600V 超結(jié) MOSFET 面向電動汽車、開關(guān)電源及光伏逆變器應(yīng)用

來源：萬高半導(dǎo)體（Alpha & Omega Semiconductor，AOS）萬高半導(dǎo)體（AOS）推出的 AOTL037V60DE2 型 600V MOSFET，是該公司基于 MOS E2 平臺實現(xiàn)量產(chǎn)的首款器件。該...

MOSFET 太陽能逆變器 2026-04-23

SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計要點

SiC MOSFET 的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導(dǎo)通電阻等因素限制,常見的單管額定電流多在幾十到兩百安培,而軌道交通、新能源并網(wǎng)、高壓逆變器等場景,往往需要千安級的電流輸出,單管無法滿足。因此,SiC MOSF...

英飛凌 SiC MOSFET 2026-04-22

溝槽柵SiC MOSFET如何成為SST高頻高壓下的最優(yōu)解

對于我國的電力電子界來說,固態(tài)變壓器(SST)并非是一個全新的話題,在軌道交通、電網(wǎng)合環(huán)運行、大型超充站項目里都有過試點實踐。受限于高成本、功率器件參數(shù)選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸,SST曾經(jīng)的商業(yè)化之路面對的挑戰(zhàn)大于機(jī)遇...

英飛凌溝槽柵 2026-04-22

碳化硅賦能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET

碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場景的應(yīng)用價值。我們已...

安森美碳化硅 2026-04-22

電力電子的未來：2026 MOSFET晶體管趨勢與技術(shù)創(chuàng)新

引言電力電子領(lǐng)域正在飛速發(fā)展，MOSFET 晶體管始終處于創(chuàng)新前沿。隨著 2026 年臨近，這類器件在消費電子、工業(yè)系統(tǒng)等眾多應(yīng)用中變得愈發(fā)不可或缺。2026 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模預(yù)計達(dá)到 5952 億美元，正反映出這一...

電力電子 MOSFET 2026-04-16

IGBT與MOSFET：數(shù)據(jù)對比選型以助力優(yōu)化電子設(shè)計

引言在飛速發(fā)展的電子設(shè)計領(lǐng)域，選用合適的元器件對優(yōu)化性能、效率與可靠性至關(guān)重要。** 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）與金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）** 是工程師在電力電子應(yīng)用中經(jīng)常選用...

IGBT MOSFET 2026-04-16

IRF540 功率MOSFET實際應(yīng)用：案例研究與深度解析

本文面向工程師與采購人員的專業(yè)指南，涵蓋 IRF540 功率 MOSFET 的實際應(yīng)用、案例研究與深度解析，包含技術(shù)規(guī)格、應(yīng)用場景及采購建議。引言在不斷發(fā)展的電子技術(shù)領(lǐng)域中，IRF540 功率 MOSFET 憑借其通用性...

IRF540 MOSFET 2026-04-16

SiC MOSFET 短路行為解析與英飛凌保護(hù)方案探討

在設(shè)計常見的DCDC或DCAC等電路時，我們經(jīng)常遇到需要橋臂直通保護(hù)的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受時間，足以應(yīng)付大部分短路工況。然而，對于SiC MOSFET器件來說，問題變得復(fù)雜了。因為在相同的電流等級...

英飛凌 SiC 2026-04-09

英飛凌第二代SiC MOSFET性能解析及設(shè)計要點

在新能源革命與工業(yè)數(shù)字化的浪潮中，功率半導(dǎo)體作為核心“能量管家”，直接決定著電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率、密度與可靠性。英飛凌作為全球功率器件的領(lǐng)軍者，憑借其深耕碳化硅（SiC）領(lǐng)域的技術(shù)積淀，推出了CoolSiC? MOSFET...

英飛凌 SiC 2026-04-09

選用合適的MOSFET：下一項目的核心選型要點

引言在飛速發(fā)展的電子領(lǐng)域中，選擇合適的 MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）對項目成功至關(guān)重要。據(jù)預(yù)測，到 2026 年半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模將達(dá)到 5952 億美元，對高效、可靠 MOSFET 的需求持續(xù)增...

MOSFET 電源管理 2026-04-09

Diodes推出行業(yè)領(lǐng)先的100V PowerDI?8080-5封裝MOSFET

Diodes 公司（Nasdaq：DIOD）推出行業(yè)領(lǐng)先的超低RDS（ON）100V MOSFET，擴(kuò)充其PowerDI8080-5 汽車級*N溝道MOSFET產(chǎn)品組合。與新型40V至80V MOSFET一同推出，所有8...

Diodes PowerDI 2026-04-03

麥米電氣采用英飛凌CoolMOS? 8 MOSFET驅(qū)動其新一代AI服務(wù)器

【2026年3月25日, 中國上海訊】中國人工智能服務(wù)器電源供應(yīng)商深圳麥格米特電氣股份有限公司（以下簡稱：麥米電氣）宣布，將在其5.5 kW人工智能（AI）服務(wù)器電源中采用由全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科...

麥米電氣英飛凌 2026-03-25

Vishay采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的1200V SiC MOSFET功率模塊提升功率效率

2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模塊---VS-SF50LA120、VS-S...

Vishay SOT-227 2026-03-17

英飛凌XHP? 2系列2300V CoolSiC? 碳化硅MOSFET

為順應(yīng)可再生能源領(lǐng)域中1500V直流母線應(yīng)用日益增長的趨勢，英飛凌推出XHP? 2系列2300V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品擴(kuò)充。該系列產(chǎn)品電流規(guī)格豐富，最高可達(dá)2000A，并提供4kV或6kV的隔離電壓等級，非...

英飛凌再生能源 2026-03-03

CoolSiC? MOSFET M1H共源配置62mm模塊

英飛凌推出1200V和2000V CoolSiC? MOSFET 62mm半橋模塊，結(jié)合M1H芯片技術(shù)，推出共源配置版本產(chǎn)品型號：■ FF1MR12KM1H■ FF3MR12KM1H■ F...

英飛凌 CoolSiC 2026-03-03

英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導(dǎo)體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應(yīng)用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網(wǎng)的讀者而...

英飛凌 CoolSiC 2026-02-11

安森美T2PAK封裝：破局熱管理瓶頸重構(gòu)高功率生態(tài)

在電動汽車、光伏儲能、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域迎來功率需求爆發(fā)式增長的當(dāng)下，熱管理已成為制約電源產(chǎn)品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統(tǒng)封裝方案往往在散熱性能與開關(guān)特性之間難以兼顧，行業(yè)迫切需要兼具創(chuàng)新結(jié)構(gòu)與卓越性能的解決方案。...

202601 MOSFET 2026-02-03

柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計中的重要作用

碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計。比導(dǎo)通電阻是衡量SiC MOSFET...

英飛凌 MOSFET 2026-01-27

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何...

英飛凌碳化硅 2026-01-27

onsemi 與 FORVIA HELLA 在汽車動力 MOSFET 領(lǐng)域進(jìn)一步展開合作

Onsemi與FORVIA HELLA延續(xù)了長期的戰(zhàn)略合作，正式簽署了一項專注于下一代汽車動力MOSFET技術(shù)的新長期協(xié)議。該交易重點在于將Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET應(yīng)用于FORVIA H...

Onsemi FORVIA HELLA 2026-01-04

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650V G2，實現(xiàn)更高的功率密度

簡介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個新水平，同時滿足所有常見電源方案組合的最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： AC-DC、...

英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標(biāo)準(zhǔn)

簡介英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術(shù)，通過廣泛的產(chǎn)品組合設(shè)定了新的行業(yè)基準(zhǔn)性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x...

英飛凌 OptiMOS 6 2025-12-24

MOSFET失效分析

MOSFET 是芯片的基本單元，MOSFET是為了實現(xiàn)數(shù)字電路中0和1的開關(guān)，他有三個電極，源極、柵極和漏極，簡化模型如下圖...

MOSFET 雪崩失效 2025-12-24

ROHM車載40V/60V MOSFET產(chǎn)品陣容中新增高可靠性小型新封裝產(chǎn)品

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，適用于主驅(qū)逆變器控制電路、電動泵、LED前照燈等應(yīng)用的車載低耐壓（40V/60V）MOSFET產(chǎn)品陣容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封裝產(chǎn)...

ROHM MOSFET 2025-12-18

Boost電路的工作過程

Boost電源電路是一種DC-DC升壓電路，能夠?qū)⒌碗妷荷叩捷^高電壓。其基本原理是利用電感儲能和電容儲能的方式，通過開關(guān)管的開關(guān)控制，將輸入電壓進(jìn)行短時間內(nèi)的變化，從而使輸出電壓得到升壓。通過調(diào)整開關(guān)管的開關(guān)頻率和占空...

Boost電路工作過程 2025-12-09

全硅RC緩沖器，用于碳化硅MOSFET

Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準(zhǔn)備與電源模塊內(nèi)的MOSFET和二極管芯片進(jìn)行頂部線連接。反...

全硅 RC 緩沖器碳化硅 MOSFET 2025-12-01

iDEAL Semiconductor以SuperQ? MOSFET為高壓電池設(shè)定新安全標(biāo)準(zhǔn)

?iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的領(lǐng)導(dǎo)者，今天宣布推出其 SuperQ? MOSFET 技術(shù)，專門設(shè)計用來解決高壓（72V 及更高）電池管理系統(tǒng)（BMS）中關(guān)鍵的安全與效率權(quán)衡問題。此新平臺為 ...

iDEAL MOSFET 2025-11-21

內(nèi)阻很小的MOS管為什么會發(fā)熱？

Source、Drain、Gate分別對應(yīng)場效應(yīng)管的三極：源極S、漏極D、柵極G（里這不講柵極GOX擊穿，只針對漏極電壓擊穿）。一、MOSFET的擊穿有哪幾種？? ? ? ? ?先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃...

MOS管 MOSFET 2025-11-19

PCIM2025論文摘要 | 400V SiC MOSFET助力服務(wù)器和人工智能電源實現(xiàn)更高的效率和功率密度

內(nèi)容摘要400V SiC MOSFET技術(shù)可以實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。簡要介紹了該器件的概念和特性。在用于服務(wù)器應(yīng)用的電源(PSU)中對其優(yōu)勢進(jìn)行了研究，該電源在176V-265V交流輸入和50V輸出電壓下可提供3...

英飛凌 MOSFET 2025-11-14

英飛凌擴(kuò)展其CoolSiC?產(chǎn)品系列，推出專為高功率與計算密集型應(yīng)用而設(shè)計的400V和440V MOSFET

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司通過增加頂部散熱（TSC）的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC? 400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三...

英飛凌 CoolSiC 2025-10-26

英飛凌推出針對工業(yè)與消費類應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS? 7功率MOSFET

各行業(yè)高功耗應(yīng)用的快速增長對功率電子技術(shù)提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，而針對應(yīng)用優(yōu)化的設(shè)計思路為進(jìn)一步提升已高度成熟的MOSFET技術(shù)帶來了新的可能性。通過...

英飛凌 MOSFET 2025-10-23

英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列

電動汽車充電、電池儲能系統(tǒng)，以及商用、工程和農(nóng)用車輛（CAV）等大功率應(yīng)用場景，正推動市場對更高系統(tǒng)級功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預(yù)期。同時，這些需求也帶來了新的設(shè)計挑戰(zhàn)，例如，如何在嚴(yán)苛環(huán)境條件下實現(xiàn)可靠...

英飛凌 MOSFET 2025-10-20

體積更小且支持大功率！ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）...

ROHM SiC MOSFET 2025-10-17

韓國在釜山啟動首個8英寸碳化硅工廠，年產(chǎn)量預(yù)計達(dá)3萬片晶圓

碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，全球領(lǐng)導(dǎo)者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭先?，F(xiàn)在，韓國也加大了力度——Maeil 商業(yè)報紙報道，釜山已開啟了韓國首個 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體工廠。據(jù)報道...

碳化硅 MOSFET 2025-09-18

iDEAL推出具有行業(yè)領(lǐng)先性價比的200 V SuperQ? MOSFET系列

?iDEAL半導(dǎo)體近日宣布，其200 V SuperQ? MOSFET系列中的首款產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn)階段，另外四款200 V器件現(xiàn)已提供樣品。SuperQ是硅MOSFET技術(shù)在超過25年來的首次重大進(jìn)步，突破了長期存在的開關(guān)...

iDEAL MOSFET 2025-09-05

英飛凌OptiMOS? 6產(chǎn)品組合新增TOLL、TOLG和TOLT封裝的150V MOSFET

隨著全球汽車行業(yè)電氣化進(jìn)程的加速，市場對高效、緊湊且可靠的功率系統(tǒng)的需求持續(xù)增長——不僅乘用車領(lǐng)域如此，電動兩輪車領(lǐng)域亦是如此。這些車輛需要特殊的系統(tǒng)支持，例如xEV上的高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器和電動兩輪車上的牽引逆變...

英飛凌 MOSFET 2025-09-05

iDEAL 半導(dǎo)體宣布推出基于 SuperQ?的 200V MOSFET 系列，具有行業(yè)領(lǐng)先的成本×性能

iDEAL 半導(dǎo)體宣布其首批基于 SuperQ?的 200V MOSFET 已進(jìn)入量產(chǎn)階段，另外還有四個 200V 器件正在進(jìn)行樣品測試。SuperQ 是過去 25 年來硅 MOSFET 技術(shù)的第一個重大進(jìn)步，突破了長期...

MOSFET 選型MOS 2025-09-04