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功率半導(dǎo)體

  《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件,包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。。查看更多>>

  • 功率半導(dǎo)體資訊

全球功率半導(dǎo)體漲價(jià)潮仍將持續(xù)

算力為王時(shí)代的供電革命——解碼高壓直流服務(wù)器架構(gòu)中的功率半導(dǎo)體

2025年汽車功率半導(dǎo)體供應(yīng)商份額

日本功率半導(dǎo)體整合之謎:確定抱團(tuán) 但不確定誰(shuí)和誰(shuí)抱團(tuán)

日本三大半導(dǎo)體廠商將整合,功率半導(dǎo)體領(lǐng)域迎變局

重啟!羅姆與東芝就合并功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)談判

羅姆 東芝 2026-03-13

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國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠商,上桌

英飛凌碳化硅功率半導(dǎo)體成功應(yīng)用于豐田“bZ4X”新車型

英飛凌 碳化硅 2026-02-28

紫光國(guó)微收購(gòu)瑞能半導(dǎo)體,發(fā)力功率半導(dǎo)體領(lǐng)域

中國(guó)研究團(tuán)隊(duì)突破功率半導(dǎo)體封裝材料瓶頸

英飛凌PCIM Asia 2025展會(huì):創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導(dǎo)體新紀(jì)元

英飛凌 PCIM Asia 2025-10-24

瑞薩電子采用下一代功率半導(dǎo)體 為800伏直流AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)供電

韓國(guó)在釜山啟動(dòng)首個(gè)8英寸碳化硅工廠,年產(chǎn)量預(yù)計(jì)達(dá)3萬(wàn)片晶圓

碳化硅 MOSFET 2025-09-18

功率半導(dǎo)體,「優(yōu)等生」出列

中國(guó)挑戰(zhàn)日功率半導(dǎo)體主導(dǎo)權(quán) 日媒:技術(shù)差距僅剩不到3年

車載電驅(qū)“芯”引擎:RIGOL功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)性能測(cè)試解決方案解析

BelGaN 破產(chǎn)將使比利時(shí)損失 100 萬(wàn)歐元;氮化鎵工廠可能被改用于光子芯片

利用 SMFA 系列非對(duì)稱 TVS 二極管實(shí)現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護(hù)

碳化硅 MOSFET 2025-05-09

詳解IGBT工作原理

動(dòng)態(tài)測(cè)試WBG功率半導(dǎo)體裸片

Kulicke & Soffa推出用于功率半導(dǎo)體應(yīng)用的Asterion-PW

SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘,這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”!

JFET Cascode 2025-03-05

CGD 獲得3,200萬(wàn)美元融資,以推動(dòng)在全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的增長(zhǎng)

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(二)——驅(qū)動(dòng)器的輸入側(cè)探究

功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)(一)綜述

羅姆功率半導(dǎo)體產(chǎn)品概要

被神秘的FS7“附體”,解讀兩大最新功率模塊系列的“超能力”

安森美榮獲2024年亞洲金選車用電子解決方案供應(yīng)商獎(jiǎng)及年度最佳功率半導(dǎo)體獎(jiǎng)

德州儀器日本會(huì)津工廠開始生產(chǎn)GaN芯片,自有產(chǎn)能將提升四倍

德州儀器 氮化鎵 2024-10-29

是德科技推出適用于功率半導(dǎo)體的3kV高壓晶圓測(cè)試系統(tǒng)

三星加碼氮化鎵功率半導(dǎo)體

三星 氮化鎵 2024-09-06

安森美選址捷克共和國(guó)打造端到端碳化硅生產(chǎn),供應(yīng)先進(jìn)功率半導(dǎo)體

安森美 碳化硅 2024-06-20

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