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移動(dòng) DRAM 價(jià)格暴漲，智能手機(jī)生產(chǎn)承壓

集邦咨詢（TrendForce）表示，2026 年第二季度移動(dòng) DRAM 價(jià)格仍在大幅上漲，本已因整體內(nèi)存供應(yīng)緊張而削減生產(chǎn)計(jì)劃的智能手機(jī)廠商，如今又面臨新的成本壓力。該機(jī)構(gòu)最新的內(nèi)存市場(chǎng)研究顯示，LPDDR4X 解決方...

SK海力士 DRAM 2026-05-19

存儲(chǔ)器超級(jí)周期獨(dú)一無(wú)二三星、SK海力士估值向臺(tái)積電靠攏

日本野村證券認(rèn)為，AI推論與AI代理將推動(dòng)記憶體需求進(jìn)入超級(jí)周期，未來(lái)五年供需缺口恐持續(xù)擴(kuò)大，因此大幅上調(diào)三星與SK海力士目標(biāo)價(jià)，并認(rèn)為兩者估值模式未來(lái)有望逐步向臺(tái)積電靠攏，而非繼續(xù)被視為受存儲(chǔ)傳統(tǒng)周期循環(huán)影響的股票。野...

存儲(chǔ)器三星 2026-05-19

移動(dòng)端DRAM合約價(jià)格再上漲

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢（TrendForce）最新發(fā)布的存儲(chǔ)調(diào)查報(bào)告顯示，2026年第二季度移動(dòng)端DRAM合約價(jià)格繼續(xù)大幅走高，智能手機(jī)廠商的成本壓力正持續(xù)加劇。值得注意的是，韓國(guó)兩大內(nèi)存原廠在本輪漲價(jià)中采取了不同策略：三...

DRAM SK海力士 2026-05-18

SK海力士或聯(lián)手英特爾，共同研發(fā) 2.5D 封裝技術(shù)

據(jù)ZDNet報(bào)道，SK海力士正在與英特爾合作開(kāi)展2.5D封裝技術(shù)的研究與開(kāi)發(fā)。此外，SK海力士正在考慮采用英特爾研發(fā)的2.5D封裝技術(shù)“嵌入式多芯片互連橋（EMIB）”。據(jù)悉，該公司目前正在進(jìn)行測(cè)試，以將HBM和系統(tǒng)半導(dǎo)...

SK海力士英特爾 2026-05-12

SK海力士HBM混合鍵合工藝良率已提升

據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士近日宣布，其高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）混合鍵合工藝的良率已實(shí)現(xiàn)顯著提升。公司技術(shù)負(fù)責(zé)人金鐘勛（Kim Jong-hoon）透露，采用混合鍵合技術(shù)的12層HBM堆疊結(jié)構(gòu)已完成驗(yàn)證工作。目前，團(tuán)隊(duì)正集中精力...

SK海力士 HBM 2026-05-11

谷歌DeepMind擬深化與三星、SK海力士、LG等合作

谷歌將在韓國(guó)首爾建設(shè)全球首座人工智能園區(qū)，并計(jì)劃與三星、SK海力士、LG集團(tuán)等深化合作。據(jù)韓媒報(bào)道，4月27日，韓國(guó)總統(tǒng)政策顧問(wèn)金容范表示，韓國(guó)與谷歌已達(dá)成協(xié)議，將在首爾建設(shè)全球首座人工智能（AI）園區(qū)，以促進(jìn)其與韓國(guó)本...

谷歌三星 2026-04-29

AI存儲(chǔ)"印鈔機(jī)"：三星、SK海力士利潤(rùn)率超70%

綜合韓媒報(bào)道，SK海力士2026年第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率逼近72%；營(yíng)收達(dá)52萬(wàn)億韓元（約2,413億元人民幣），營(yíng)業(yè)利潤(rùn)突破37萬(wàn)億韓元（約1,717億元人民幣）。SK海力士的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率不僅高于英偉達(dá)約65%的水平，也超出...

AI存儲(chǔ) 三星 2026-04-28

1864億！SK海力士達(dá)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率高達(dá)72%，碾壓臺(tái)積電

2026年4月23日，SK海力士今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告。?SK海力士2026年第一季度主要數(shù)據(jù)：營(yíng)收52.58萬(wàn)億韓元（2429.2億元人民幣），較上一季度的32.83萬(wàn)億韓元增長(zhǎng)...

SK海力士 DRAM 2026-04-23

SK海力士美國(guó)印第安納州首座先進(jìn)封裝廠動(dòng)工，預(yù)計(jì) 2028 年下半年投產(chǎn)

正當(dāng)三星電子加速其泰勒工廠 2 納米工藝量產(chǎn)步伐之際，SK 海力士同步加大在美國(guó)的先進(jìn)封裝布局。據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)先驅(qū)報(bào)》報(bào)道，SK 海力士已正式破土動(dòng)工，建設(shè)其在美國(guó)的首座半導(dǎo)體工廠 —— 印第安納州晶圓廠，這距離該公司 2...

SK海力士先進(jìn)封裝廠 2026-04-22

三星向法院申請(qǐng)禁制令防范非法罷工行為

三星電子與內(nèi)部工會(huì)的勞資沖突正在加劇。一場(chǎng)潛在的罷工，可能讓三星付出極其昂貴的代價(jià)。即使三星啟動(dòng)備用產(chǎn)能，一天造成的營(yíng)業(yè)損失仍可能達(dá)1萬(wàn)億韓元，最終累計(jì)損失恐達(dá)20萬(wàn)億甚至30萬(wàn)億韓元（約合人民幣926億元至1389億元...

三星 HBM 2026-04-21

消息稱三星已解決 SOCAMM2 翹曲問(wèn)題，量產(chǎn)進(jìn)度有望領(lǐng)先美光、SK 海力士

據(jù)報(bào)道，三星已攻克其 SOCAMM2 設(shè)計(jì)中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)難題。據(jù) ETNews 援引消息人士透露，該公司已解決翹曲（warpage）問(wèn)題 —— 這是下一代 AI 服務(wù)器內(nèi)存模組 SOCAMM2（System on Ch...

三星 SOCAMM2 2026-04-08

DRAM合約價(jià)再度上漲30%

韓國(guó)媒體ETnews報(bào)道，三星在一季度將DRAM合約價(jià)上漲了100%之后，二季度的DRAM合約價(jià)將再度上漲30%。由于隨著對(duì)AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的擴(kuò)展，包括三星在內(nèi)的主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能集中在HBM上，通用DRAM的供應(yīng)變得...

DRAM SK海力士 2026-04-07

三星大規(guī)模罷工風(fēng)險(xiǎn)迎來(lái)暫緩，勞資雙方重回談判桌

據(jù)路透社最新消息，在經(jīng)歷長(zhǎng)期僵持與罷工授權(quán)后，三星電子管理層與韓國(guó)員工工會(huì)聯(lián)合發(fā)布聲明，雙方正式就獎(jiǎng)金爭(zhēng)議重啟談判，一度高懸的大規(guī)模罷工風(fēng)險(xiǎn)迎來(lái)暫緩。轉(zhuǎn)機(jī)出現(xiàn)在本周一，此次談判重啟的關(guān)鍵推動(dòng)力，來(lái)自三星電子副會(huì)長(zhǎng)、半導(dǎo)體...

三星存儲(chǔ) 2026-03-26

SK海力士警告：內(nèi)存短缺或持續(xù)至 2030 年

SK 海力士會(huì)長(zhǎng)崔泰源表示，當(dāng)前全球內(nèi)存芯片供應(yīng)緊張的局面或再持續(xù) 4 至 5 年，這也意味著，這場(chǎng)已推高全電子行業(yè)存儲(chǔ)芯片價(jià)格、加劇供貨緊張的供應(yīng)危機(jī)將進(jìn)一步延續(xù)。3 月 16 日，崔泰源在加州舉辦的英偉達(dá) GPU 技...

SK海力士內(nèi)存短缺 2026-03-24

應(yīng)用材料與美光、SK海力士合作

隨著人工智能熱潮推動(dòng)存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)，半導(dǎo)體設(shè)備制造商在收獲紅利的同時(shí)，也在加深與頭部存儲(chǔ)廠商的合作。據(jù)路透社報(bào)道，應(yīng)用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達(dá)成合作，共同開(kāi)發(fā)對(duì)...

應(yīng)用材料美光 2026-03-12

伊朗沖突擾亂半導(dǎo)體供應(yīng)鏈

最近，美國(guó)半導(dǎo)體股票暴跌，三星和SK海力士也同步下跌。此次拋售潮歸因于對(duì)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的擔(dān)憂加劇，市場(chǎng)越來(lái)越擔(dān)心伊朗戰(zhàn)爭(zhēng)可能進(jìn)入長(zhǎng)期階段，此外原油價(jià)格的飆升加劇了包括半導(dǎo)體在內(nèi)的所有行業(yè)的風(fēng)險(xiǎn)。美國(guó)、以色列與伊朗之間的戰(zhàn)事...

半導(dǎo)體三星 2026-03-10

HBM競(jìng)賽白熱化！SK海力士探索封裝新方案或滿足英偉達(dá)峰值性能目標(biāo)

《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》3月4日訊據(jù)韓國(guó)ZDNet消息，SK海力士正在推進(jìn)下一代封裝技術(shù)，用于提高HBM4的穩(wěn)定性和性能。目前該項(xiàng)技術(shù)正處于驗(yàn)證階段。由于HBM4的I/O（輸入/輸出信號(hào)）數(shù)量翻倍至2048個(gè)，故而增加了信號(hào)干擾...

HBM SK海力士 2026-03-04

三星和SK海力士將繼續(xù)大幅提高DRAM價(jià)格

據(jù)報(bào)道，全球前兩大DRAM芯片大廠三星和SK海力士已向客戶發(fā)出通知，今年第二季度將繼續(xù)大幅提高DRAM價(jià)格。而具體的漲價(jià)幅度則因客戶而異，但中小型客戶可能將不得不接受大幅漲價(jià)以確保DRAM供應(yīng)。這一波DRAM價(jià)格的持續(xù)上...

三星 SK海力士 2026-03-03

SK海力士與閃迪聯(lián)合發(fā)布高帶寬閃存（HBF）高速標(biāo)準(zhǔn)瞄準(zhǔn)人工智能推理服務(wù)器

固態(tài)硬盤（SSD）中常用的 NAND 芯片，其速度和容量一直在穩(wěn)步提升，當(dāng)前服務(wù)器級(jí)產(chǎn)品的單芯片速度已能達(dá)到 28GB/s。但即便如此，這一性能在人工智能領(lǐng)域仍顯不足。為此，SK 海力士與閃迪聯(lián)合宣布推出高帶寬閃存（HB...

SK海力士閃迪 2026-02-27

存儲(chǔ)價(jià)格將繼續(xù)上漲

隨著AI服務(wù)的進(jìn)步，需求不斷增長(zhǎng)，而供應(yīng)仍然有限，分析師預(yù)計(jì)今年內(nèi)存價(jià)格的上漲趨勢(shì)將持續(xù)。一些人認(rèn)為，市場(chǎng)已經(jīng)進(jìn)入了供應(yīng)商主導(dǎo)的階段。目前，SK海力士的DRAM和NAND庫(kù)存已降至約四周的供應(yīng)量。穩(wěn)健的庫(kù)存管理和緊張的供...

存儲(chǔ) NAND 2026-02-24

HBM4競(jìng)爭(zhēng)格局生變

總部位于美國(guó)的第三大DRAM供應(yīng)商美光可能會(huì)被排除在英偉達(dá)的首批第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）供應(yīng)鏈之外，預(yù)計(jì)英偉達(dá)、AMD等公司下一代AI芯片的HBM4供應(yīng)將由韓國(guó)企業(yè)三星、SK海力士瓜分。但也有觀點(diǎn)認(rèn)為美光被排除在初始...

HBM4 三星 2026-02-12

三星、SK海力士HBM4：16層堆疊封裝誰(shuí)更勝一籌？

綜合韓媒報(bào)道，三星電子和SK海力士在第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）領(lǐng)域均已掌握16層堆疊封裝技術(shù)，并具備量產(chǎn)能力。不過(guò)，兩家企業(yè)的技術(shù)路線存在差異：三星采用非導(dǎo)電薄膜熱壓縮（TC-NCF）技術(shù)，而SK海力士則選擇了Adva...

三星 SK海力士 2026-02-05

為滿足英偉達(dá)需求，三星、SK海力士被曝?fù)屧跍y(cè)試完成前量產(chǎn)HBM4

2 月 2 日消息，據(jù)韓媒 ZDNet Korea 報(bào)道，高帶寬內(nèi)存（HBM）的量產(chǎn)節(jié)奏正在被重新改寫。傳統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)品一般都是先用樣品完成客戶的質(zhì)量認(rèn)證測(cè)試，通過(guò)之后才進(jìn)入正式量產(chǎn)，但在 HBM 供應(yīng)鏈上，為了緊跟核心客...

英偉達(dá) 三星 2026-02-02

上調(diào)100%！存儲(chǔ)市場(chǎng)又一重磅調(diào)價(jià)信號(hào)

三星今年第一季度對(duì)NAND閃存的供應(yīng)合約價(jià)格已上調(diào)超過(guò)100%，目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實(shí)施新的價(jià)格體系。另外，SK海力士也對(duì)NAND產(chǎn)品采取了類...

存儲(chǔ) NAND 2026-01-27

三星、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)，NAND閃存或進(jìn)入新一輪漲價(jià)周期

援引市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia的最新調(diào)研成果披露，合計(jì)占全球NAND產(chǎn)能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會(huì)進(jìn)一步加劇NAND供應(yīng)的短缺。三星產(chǎn)量從2025年的490萬(wàn)片縮減至4...

三星 SK海力士 2026-01-22

64萬(wàn)年終獎(jiǎng)刷屏！AI不僅能"搶"飯碗，更能悄悄掏空你的錢包

年終獎(jiǎng)，64萬(wàn)人民幣！這是韓國(guó)巨頭SK海力士剛剛宣布發(fā)給員工的平均年終獎(jiǎng)（1.36億韓元）。在大家都在感嘆2025年大環(huán)境“寒氣逼人”的時(shí)候，這個(gè)數(shù)字紅得發(fā)燙，也顯得格外刺眼。但這筆錢不是大風(fēng)刮來(lái)的，而是AI巨頭們“砸”...

AI SK海力士 2026-01-21

SK海力士發(fā)布了5位NAND，可分割單元，實(shí)現(xiàn)20×更快的讀取速度

存儲(chǔ)巨頭在NAND容量擴(kuò)展上謹(jǐn)慎行事，逐步淘汰MLC（多級(jí)單元）等老產(chǎn)品，同時(shí)加倍投入先進(jìn)技術(shù)。值得一提的是，在2025年12月舊金山IEDM大會(huì)上，SK海力士發(fā)布了其尖端的5位NAND閃存，聲稱其讀取速度比傳統(tǒng)PLC（...

NAND SK海力士 2026-01-19

記憶巨頭在供應(yīng)緊張中繪制2025-26年度退出策略

隨著內(nèi)存供應(yīng)緊張，行業(yè)正將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向面向超大規(guī)模企業(yè)的高利潤(rùn)率、前沿產(chǎn)品。傳承、面向消費(fèi)者的記憶正逐漸走向生命周期末期，2026年將成為關(guān)鍵參與者的分水嶺之年。以下是三星、SK海力士和美光如何逐步退出傳統(tǒng)內(nèi)存市場(chǎng)，轉(zhuǎn)向英偉...

DDR4 三星 2026-01-19

SK海力士2026展望：HBM3E主導(dǎo)，HBM4雙重策略在三大市場(chǎng)逆風(fēng)中顯現(xiàn)

隨著整體內(nèi)存價(jià)格飆升和HBM4的臨近，2026年可能成為存儲(chǔ)巨頭的又一個(gè)里程碑之年。SK海力士在今日（1月5日）發(fā)布的新年致辭中指出，即使HBM4在提升產(chǎn)能，HBM3E今年仍將成為主導(dǎo)產(chǎn)品，預(yù)計(jì)其將在2026年占HBM總...

SK海力士 HBM3 2026-01-05

美國(guó)批準(zhǔn)三星、SK海力士的中國(guó)工廠2026進(jìn)口芯片制造工具

路透社——據(jù)兩位知情人士周二透露，美國(guó)政府已批準(zhǔn)三星電子和SK海力士于2026年向其中國(guó)工廠引入芯片制造設(shè)備，進(jìn)行年度許可。此次批準(zhǔn)對(duì)韓國(guó)企業(yè)來(lái)說(shuō)是暫時(shí)的緩解措施，緊隨美國(guó)今年早些時(shí)候決定撤銷部分科技公司獲得的許可豁免。...

美國(guó) 三星 2025-12-31

HBM4價(jià)格漲幅超50%，三星緊追SK海力士

最近，SK海力士完成了與英偉達(dá)的HBM4供應(yīng)價(jià)格談判。根據(jù)雙方協(xié)議，HBM4的最終供應(yīng)價(jià)格定在每顆約560美元，較上一代HBM3E（約370美元）漲幅超過(guò)50%。不過(guò)，由于HBM4采用更復(fù)雜的堆疊技術(shù)（如混合鍵合技術(shù)），...

HBM4 三星 2025-12-02

SK海力士探索高帶寬存儲(chǔ)堆疊 NAND 和 DRAM

在鞏固其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開(kāi)發(fā)高帶寬 NAND 閃存（HBF），該閃存通過(guò) NAND 增強(qiáng) HBM，用于 AI 推理工作負(fù)載。與此同時(shí)，據(jù)報(bào)道，該公司正在探索更廣泛的...

SK海力士高帶寬 2025-11-11

英偉達(dá)深化與現(xiàn)代、三星、SK、Naver 的人工智能合作

英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛時(shí)隔 15 年再次到訪韓國(guó)參加2025年APEC峰會(huì)，期間公布多項(xiàng)新計(jì)劃，并深化與韓國(guó)主要科技企業(yè) —— 包括現(xiàn)代汽車、三星、SK 集團(tuán)及 Naver—— 的合作。峰會(huì)期間，英偉達(dá)與韓國(guó)政府宣布擴(kuò)大...

AI 現(xiàn)代汽車 2025-11-06

三星HBM3E降價(jià)30%？試圖追趕SK海力士

隨著AI的蓬勃發(fā)展，內(nèi)存行業(yè)的供需進(jìn)一步緊張，HBM仍然是一項(xiàng)關(guān)鍵資源。存儲(chǔ)龍頭三星正致力于重奪主導(dǎo)地位。預(yù)計(jì)到2026年，HBM3E的平均價(jià)格將下降，在其12層HBM3E認(rèn)證延遲后，三星推出比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手低約30%的降價(jià)策...

三星 HBM3E 2025-10-28

SK海力士美國(guó)建廠計(jì)劃遭居民抗議，芯片法案項(xiàng)目遇阻

據(jù)韓媒abcNEWS援引美國(guó)當(dāng)?shù)孛襟wLafayette Journal & Courier報(bào)道，SK海力士在美國(guó)印第安納州西拉法葉市的半導(dǎo)體工廠投資計(jì)劃遭遇當(dāng)?shù)鼐用駨?qiáng)烈反對(duì)。這一項(xiàng)目是美國(guó)商務(wù)部批準(zhǔn)的芯片法案支持...

SK海力士芯片法案 2025-10-13

DRAM老三SK的大逆襲！專家揭稱霸全球關(guān)鍵技術(shù)

在人工智能（AI）熱潮帶動(dòng)下，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)迎來(lái)三年來(lái)最強(qiáng)勁的復(fù)蘇，第四季DRAM報(bào)價(jià)漲幅可望擴(kuò)大至三成以上。財(cái)信傳媒董事長(zhǎng)謝金河指出，韓國(guó)SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術(shù)脫穎而出，從過(guò)去的DRAM老三躍升為全...

DRAM SK海力士 2025-10-13

三大存儲(chǔ)器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場(chǎng)

各大存儲(chǔ)器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對(duì) 1c（第 6 代 10nm 級(jí)）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開(kāi)始建設(shè)量產(chǎn)線，據(jù)報(bào)道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計(jì)劃...

存儲(chǔ)器 1c DRAM 2025-09-29

三星、SK海力士股價(jià)飆升的原因:全球科技熱潮推動(dòng)存儲(chǔ)芯片需求

市場(chǎng)觀察人士周一表示，三星電子和SK海力士的股價(jià)在外國(guó)強(qiáng)勁的購(gòu)買和全球科技繁榮的背景下飆升。這一表現(xiàn)反映了投資者情緒的更深層次轉(zhuǎn)變。信息技術(shù) （IT）和半導(dǎo)體制造商的股價(jià)正在上漲，這得益于人工智能（AI）的大量投資...

三星 SK海力士 2025-09-23

三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)注入強(qiáng)心劑：12層HBM3E通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證

據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道，三星第五代12層HBM3E產(chǎn)品通過(guò)了英偉達(dá)的認(rèn)證測(cè)試，成功進(jìn)入其供應(yīng)鏈體系，這一重大突破對(duì)三星意義非凡。隨著其技術(shù)實(shí)力獲英偉達(dá)認(rèn)可，這家韓國(guó)巨頭已與SK海力士、美光形成三足鼎立之勢(shì)，未來(lái)HBM市場(chǎng)的技...

三星存儲(chǔ) 2025-09-23

中國(guó)對(duì)美國(guó)的半導(dǎo)體監(jiān)管也可能影響SK海力士

中國(guó)正在收緊針對(duì)全球半導(dǎo)體公司的所謂并購(gòu)陷阱。分析師表示，已經(jīng)陷入中美貿(mào)易緊張局勢(shì)的美國(guó)芯片巨頭英偉達(dá)是主要目標(biāo)，但韓國(guó)公司也遠(yuǎn)非安全。中國(guó)國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局（SAMR）9月15日宣布，英偉達(dá)違反了該國(guó)的反壟斷法，并將...

中國(guó) 美國(guó) 2025-09-19