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超快充、數(shù)據(jù)中心成碳化硅SiC下一輪增長(zhǎng)引擎

電動(dòng)汽車超快充、數(shù)據(jù)中心電力基礎(chǔ)設(shè)施，將成為碳化硅（Si）的下一輪增長(zhǎng)引擎。安森美（onsemi）高級(jí)技術(shù)營(yíng)銷總監(jiān) Mrinal Das 在今年 “化合物半導(dǎo)體國(guó)際大會(huì)” 上，用一句話概括了 SiC 的下一波重大機(jī)遇：可...

碳化硅 SiC 2026-05-15

中國(guó)寬禁帶芯片企業(yè)發(fā)展分化：氮化鎵射頻高歌猛進(jìn)，碳化硅盈利承壓

2026 年一季度，中國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（涵蓋碳化硅 SiC與氮化鎵 GaN）業(yè)績(jī)分化明顯。受 5G 基站建設(shè)、電動(dòng)汽車車載充電機(jī)（OBC）強(qiáng)勁需求拉動(dòng)，氮化鎵射頻（GaN RF）企業(yè)營(yíng)收大漲；反觀碳化硅功率器件廠商，受...

寬禁帶氮化鎵 2026-05-14

從封裝看功率芯片：碳化硅T2PAK封裝的優(yōu)勢(shì)

電動(dòng)汽車（EV）、可再生能源系統(tǒng)和人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域電氣化進(jìn)程的持續(xù)提速，正不斷給電源系統(tǒng)帶來更大壓力，對(duì)電源系統(tǒng)的效率、小型化及低溫運(yùn)行能力提出了更高要求。這構(gòu)成了一個(gè)長(zhǎng)期存在的難題：功率密度的提升與系統(tǒng)尺...

封裝功率芯片 2026-05-09

博世推出第三代碳化硅芯片，提升電動(dòng)汽車能效、延長(zhǎng)續(xù)航里程

博世已正式推出面向電動(dòng)汽車的第三代碳化硅（SiC）芯片，并向全球汽車制造商提供樣片。這些芯片有助于提升電動(dòng)汽車效率并增加續(xù)航里程。博世集團(tuán)董事會(huì)成員、博世智能出行集團(tuán)主席Markus Heyn表示，碳化硅半導(dǎo)體可精準(zhǔn)控制...

博世碳化硅 2026-05-05

不對(duì)稱結(jié)構(gòu)造就更優(yōu)異的碳化硅超結(jié)器件

通過打破傳統(tǒng)性能極限，非對(duì)稱碳化硅（SiC）超結(jié)器件顯著提升了電能轉(zhuǎn)換效率。本文作者：羅姆株式會(huì)社飯?zhí)锎筝o、白木宏明、奧山訓(xùn)、森誠(chéng)悟、中野雄喜在電動(dòng)汽車普及與數(shù)據(jù)中心用電需求激增的推動(dòng)下，全球電力消耗正快速攀升。為在增...

不對(duì)稱結(jié)構(gòu) 碳化硅 2026-04-30

效率飛躍：博世發(fā)布第三代碳化硅芯片

博世集團(tuán)董事會(huì)成員、博世智能出行集團(tuán)主席馬庫斯·海恩博士: “我們正助力客戶將動(dòng)力更強(qiáng)、效率更高的電動(dòng)汽車推向市場(chǎng)?！辈┦佬乱淮蓟栊酒C合性能提升20%，進(jìn)一步提高了整個(gè)電驅(qū)系統(tǒng)的效率。自2021年投產(chǎn)以來，博世已在...

博世碳化硅 2026-04-23

碳化硅賦能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET

碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計(jì)邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場(chǎng)景的應(yīng)用價(jià)值。我們已...

安森美碳化硅 2026-04-22

Microchip BZPACK 碳化硅功率模塊可應(yīng)對(duì) HV?H3TRB 嚴(yán)苛環(huán)境

Microchip 正式推出 BZPACK mSiC 碳化硅功率模塊，該系列產(chǎn)品專為滿足高濕、高電壓、高溫反向偏置（HV?H3TRB）標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì),可應(yīng)對(duì) HV?H3TRB 嚴(yán)苛環(huán)境.功率變換拓?fù)洚a(chǎn)品支持多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包...

Microchip BZPACK 2026-04-14

碳化硅賦能浪潮教程：替代Si 和SiC MOSFET的方案

碳化硅（SiC）憑借其優(yōu)異的材料特性，在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計(jì)邏輯出發(fā)，剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場(chǎng)景的應(yīng)用價(jià)值。我們已...

安森美碳化硅 2026-04-14

思來半導(dǎo)體完成12英寸碳化硅激光剝離量產(chǎn)設(shè)備規(guī)模化交付

近期，思來半導(dǎo)體（Silai Semicon）已完成第三批兼容12 英寸碳化硅（SiC）襯底的激光剝離（LLO）量產(chǎn)設(shè)備交付。公司核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)源自華中科技大學(xué)激光科學(xué)專業(yè)，具備強(qiáng)勁創(chuàng)新能力與多年激光行業(yè)深厚技術(shù)積累。針...

思來半導(dǎo)體 12英寸 2026-03-31

碳化硅賦能浪潮教程：SiC JFET驅(qū)動(dòng)工業(yè)與服務(wù)器電源革新

安森美碳化硅 2026-03-27

Microchip推出全新BZPACK mSiC?功率模塊，專為惡劣環(huán)境下高要求應(yīng)用而設(shè)計(jì)

Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出BZPACK mSiC?功率模塊，專為滿足嚴(yán)苛的高濕、高電壓、高溫反偏（HV-H3TRB）標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)。BZPACK模塊可提供卓越可靠性、簡(jiǎn)化生產(chǎn)流...

Microchip 碳化硅 2026-03-23

英飛凌碳化硅功率半導(dǎo)體成功應(yīng)用于豐田“bZ4X”新車型

英飛凌科技股份公司近日宣布，全球最大汽車制造商豐田已在其新款車型bZ4X中采用了英飛凌的CoolSiC? MOSFET（碳化硅功率MOSFET）產(chǎn)品。這款碳化硅MOSFET集成在車載充電器（OBC）和DC/DC轉(zhuǎn)換器中，...

英飛凌碳化硅 2026-02-28

化合物半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 14%

2031 年，化合物半導(dǎo)體襯底與開放式外延片市場(chǎng)規(guī)模合計(jì)預(yù)計(jì)將接近 52 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率約為 14%。汽車電動(dòng)化推動(dòng)碳化硅（SiC）襯底市場(chǎng)發(fā)展，射頻領(lǐng)域仍由砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）主導(dǎo)，磷化銦（InP...

化合物半導(dǎo)體襯底 2026-02-25

英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導(dǎo)體器件被豐田新款純電動(dòng)車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應(yīng)用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC）中。對(duì)于歐洲電子工程新聞網(wǎng)的讀者而...

英飛凌 CoolSiC 2026-02-11

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何...

英飛凌碳化硅 2026-01-27

散熱難題終結(jié)者！細(xì)數(shù)碳化硅T2PAK封裝的優(yōu)勢(shì)

電動(dòng)汽車 (EV)、可再生能源系統(tǒng)和人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域電氣化進(jìn)程的持續(xù)提速，正不斷給電源系統(tǒng)帶來更大壓力，對(duì)電源系統(tǒng)的效率、小型化及低溫運(yùn)行能力提出了更高要求。這構(gòu)成了一個(gè)長(zhǎng)...

安森美散熱 2026-01-19

安森美全鏈路碳化硅解決方案，賦能AI時(shí)代高效能源變革

安森美（onsemi）憑借其業(yè)界領(lǐng)先的Si和SiC技術(shù)，從變電站的高壓交流/直流轉(zhuǎn)換，到處理器級(jí)的精準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)，為下一代AI數(shù)據(jù)中心提供了從3kW到25-30kW HVDC的供電全環(huán)節(jié)高能效、高密度電源解決方案。特別是近...

安森美碳化硅 2026-01-13

年終盤點(diǎn)：英飛凌2025年碳化硅領(lǐng)域重磅產(chǎn)品與技術(shù)驚艷亮相

歲末將至，回顧2025年科技領(lǐng)域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績(jī)斐然，憑借一系列創(chuàng)新產(chǎn)品與前沿技術(shù)，為行業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力，成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn)。小編貼心地按照產(chǎn)品發(fā)布和技術(shù)發(fā)布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點(diǎn)產(chǎn)品，方便各...

英飛凌碳化硅 2025-12-25

英飛凌高功率碳化硅技術(shù)升級(jí)優(yōu)化助力Electreon動(dòng)態(tài)無線充電道路系統(tǒng)升級(jí)

●? ?動(dòng)態(tài)無線充電道路系統(tǒng)可在客車與卡車行駛于道路及高速公路上時(shí)為其充電●? ?英飛凌定制碳化硅模塊可大幅提高功率密度，使電動(dòng)汽車搭載更小的電池，實(shí)現(xiàn)24小時(shí)全天候運(yùn)行●? ?動(dòng)態(tài)無線充電道路系統(tǒng)解決方案是減少交通運(yùn)輸...

英飛凌碳化硅 2025-12-16

全硅RC緩沖器，用于碳化硅MOSFET

Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動(dòng)力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號(hào)“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準(zhǔn)備與電源模塊內(nèi)的MOSFET和二極管芯片進(jìn)行頂部線連接。反...

全硅 RC 緩沖器碳化硅 MOSFET 2025-12-01

禾望電氣選擇Wolfspeed，憑借先進(jìn)的碳化硅技術(shù)助力風(fēng)能未來

創(chuàng)新型碳化硅功率解決方案的全球引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司近日宣布與全球可再生能源解決方案創(chuàng)新者深圳市禾望電氣股份有限公司（禾望電氣，Hopewind）達(dá)成合作。兩家公司通過將 Wolfspeed 尖端的 2.3 k...

禾望電氣 Wolfspeed 2025-11-11

安森美已完成獲得奧拉半導(dǎo)體Vcore電源技術(shù)授權(quán)

安森美(onsemi) 宣布已與奧拉半導(dǎo)體（Aura Semiconductor）完成Vcore電源技術(shù)及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）的授權(quán)交易。此項(xiàng)戰(zhàn)略交易增強(qiáng)了安森美的電源管理產(chǎn)品組合與路線圖，加速實(shí)現(xiàn)公司在人工智能（AI）...

安森美奧拉 2025-11-05

Wolfspeed順利完成財(cái)務(wù)重組，增強(qiáng)財(cái)務(wù)實(shí)力

全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. 公司近日宣布已成功完成其財(cái)務(wù)重整流程，并已退出美國(guó)《破產(chǎn)法》第 11 章的保護(hù)。通過此次重整，Wolfspeed 將其總債務(wù)削減了約 70%，債務(wù)到期日延長(zhǎng)至 203...

Wolfspeed 碳化硅 2025-10-09

韓國(guó)在釜山啟動(dòng)首個(gè)8英寸碳化硅工廠，年產(chǎn)量預(yù)計(jì)達(dá)3萬片晶圓

碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，全球領(lǐng)導(dǎo)者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭(zhēng)先。現(xiàn)在，韓國(guó)也加大了力度——Maeil 商業(yè)報(bào)紙報(bào)道，釜山已開啟了韓國(guó)首個(gè) 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體工廠。據(jù)報(bào)道...

碳化硅 MOSFET 2025-09-18

三安宣布 8 英寸 SiC 芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)完成

8 月 27 日，三安在投資者關(guān)系平臺(tái)上宣布，其湖南三安半導(dǎo)體基地的 8 英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。湖南三安的 8 英寸 SiC 芯片線從建設(shè)到投產(chǎn)不到一年，進(jìn)展比預(yù)期更快。截至 2025 年 8 月，湖南...

碳化硅芯片 2025-09-03

Microchip與臺(tái)達(dá)電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來

隨著人工智能（AI）快速發(fā)展與萬物電氣化進(jìn)程加速，市場(chǎng)對(duì)更高的電源效率與可靠性的需求持續(xù)增長(zhǎng)。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領(lǐng)導(dǎo)者臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股...

Microchip 臺(tái)達(dá) 2025-07-21

基本半導(dǎo)體子公司注冊(cè)資本增至2.1億元

7月9日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司子公司——基本封裝測(cè)試（深圳）有限公司完成工商變更登記，公司注冊(cè)資本從1000萬元大幅增至2.1億元人民幣，由母公司基本半導(dǎo)體和深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有...

基本半導(dǎo)體碳化硅 2025-07-10

基本半導(dǎo)體完成1.5億元D輪融資，加速碳化硅領(lǐng)域布局

近日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱“基本半導(dǎo)體”）宣布完成D輪融資，融資金額達(dá)1.5億元人民幣。本輪融資由中山火炬開發(fā)區(qū)科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)母基金與中山金控聯(lián)合投資，資金將主要用于碳化硅功率器件的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能擴(kuò)張以及市場(chǎng)拓展。...

基本半導(dǎo)體碳化硅 2025-06-26

據(jù)報(bào)道，Wolfspeed 將被 Apollo 領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人接管，同時(shí)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手將迎來機(jī)遇

據(jù)路透社援引彭博社報(bào)道，在關(guān)于即將破產(chǎn)的傳聞出現(xiàn)近一個(gè)月后，Wolfspeed 現(xiàn)在正面臨一次重大動(dòng)蕩。由 Apollo 全球管理公司領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人正準(zhǔn)備根據(jù)破產(chǎn)計(jì)劃接管公司。報(bào)道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預(yù)計(jì)將在幾天內(nèi)...

碳化硅意法半導(dǎo)體 2025-06-19

中國(guó)最大碳化硅工廠點(diǎn)火，可供應(yīng)本地30%需求，Wolfspeed壓力很大

據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w《一財(cái)全球》和IT之家報(bào)道，據(jù)報(bào)道，美國(guó)碳化硅（SiC）巨頭 Wolfspeed 在與快速崛起的中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的激烈競(jìng)爭(zhēng)中徘徊在破產(chǎn)邊緣，中國(guó)最大的碳化硅晶圓廠已在武漢正式投產(chǎn)，旨在供應(yīng)該國(guó)國(guó)內(nèi)產(chǎn)量的 30%...

碳化硅 Wolfspeed 2025-06-03

利用 SMFA 系列非對(duì)稱 TVS 二極管實(shí)現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護(hù)

引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，開關(guān)損耗也在不斷降低。隨著開關(guān)速度的不斷提高，設(shè)計(jì)人員應(yīng)更加關(guān)注MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路，確保對(duì)MOSFET的安全控制，...

碳化硅 MOSFET 2025-05-09

碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相

全社會(huì)都在積極推動(dòng)低碳化轉(zhuǎn)型，而低碳化的背后其實(shí)是電氣化。在新型電氣能源架構(gòu) 中，相比于從前，一次能源到終端用戶的能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多。雖然可再生能源是免費(fèi)的，但是這種多層級(jí)的能...

英飛凌碳化硅 2025-04-27

碳化硅急需開辟電動(dòng)汽車之外的第二條戰(zhàn)線

電能與智能是現(xiàn)代社會(huì)發(fā)展的兩大主題，電能如同工業(yè)文明的血液系統(tǒng)，提供物理世界運(yùn)行的能量基礎(chǔ)，智能恰似數(shù)字文明的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，構(gòu)建數(shù)字空間的決策中樞。作為電能轉(zhuǎn)換的智能開關(guān)，功率半導(dǎo)體在構(gòu)建現(xiàn)代社會(huì)能源體系中發(fā)揮著關(guān)鍵性的樞紐...

202504 碳化硅 2025-04-17

碳化硅能效革命核心突破點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關(guān)與軟開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢(shì)。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔，通過三篇技術(shù)解析深入剖析器...

安森美碳化硅 2025-04-09

碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的技術(shù)解析與優(yōu)勢(shì)對(duì)比

_____為了減緩氣候變化，人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進(jìn)展，交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速推進(jìn)。這些新興技術(shù)大多對(duì)電源提出了更高的要求，尤其是對(duì)大功率的需求。例如，電動(dòng)汽車（EV）的電池包電壓已高達(dá)...

碳化硅碳化硅MOSFET 2025-04-03

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？

簡(jiǎn)介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)...

碳化硅 Cascode 2025-03-12

為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？

碳化硅 Cascode JFET 2025-03-11

三安與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅晶圓合資廠正式通線

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST) ，和中國(guó)化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品）三安光電近日宣布，雙方在...

安意法意法半導(dǎo)體 2025-03-04

碳化硅與硅：為什么 SiC 是電力電子的未來

在這里，我們比較了碳化硅（SiC）與硅以及在汽車和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應(yīng)用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來。硅（Si）到碳化硅（SiC）：改變電力電...

碳化硅 SiC 2025-03-02