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1864億！SK海力士達(dá)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率高達(dá)72%，碾壓臺(tái)積電

2026年4月23日，SK海力士今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告。?SK海力士2026年第一季度主要數(shù)據(jù)：營(yíng)收52.58萬(wàn)億韓元（2429.2億元人民幣），較上一季度的32.83萬(wàn)億韓元增長(zhǎng)...

SK海力士 DRAM 2026-04-23

傳聯(lián)電代工2D NAND有「三大關(guān)卡」缺人、缺技術(shù)、缺設(shè)備

國(guó)際存儲(chǔ)器原廠退出2D NAND閃存將成定局，受到供貨稀缺已推升低容量2D NAND價(jià)格快速飆升，近期市場(chǎng)傳出，聯(lián)電可能接獲SLC、MLC Flash的代工訂單，或?qū)⒋蚱莆磥?lái)2D NAND寡占供貨的局面。不過(guò)相關(guān)業(yè)者向D...

聯(lián)電 2D NAND 2026-04-20

NAND報(bào)價(jià)狂漲：LTA將成為存儲(chǔ)器行業(yè)主流模式

本輪半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的核心引擎，當(dāng)屬NAND閃存的價(jià)格暴漲。據(jù)摩根士丹利證券預(yù)測(cè)，MLC（及成熟制程TLC）產(chǎn)品價(jià)格從今年首季到第四季漲幅將超過(guò)200%，下半年供需失衡幅度或達(dá)40%，缺口持續(xù)擴(kuò)大助推價(jià)格飆升。DRAM漲幅...

NAND LTA 2026-04-14

“黃金氣體”短缺成為半導(dǎo)體供應(yīng)鏈新危機(jī)

中東沖突的蔓延正通過(guò)氦氣短缺影響半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。伊朗對(duì)全球主要氦氣生產(chǎn)國(guó)卡塔爾的設(shè)施發(fā)動(dòng)襲擊，導(dǎo)致現(xiàn)貨價(jià)格翻番，并加劇了合同壓力。氦氣在晶圓刻蝕中不可替代，這對(duì)芯片生產(chǎn)構(gòu)成重大風(fēng)險(xiǎn)，尤其對(duì)三星電子和SK海力士等韓國(guó)企業(yè)造成...

半導(dǎo)體芯片 2026-03-26

三星面臨大罷工，存儲(chǔ)價(jià)格或加速上漲

最新消息，由超過(guò)6.6萬(wàn)名韓國(guó)三星電子工會(huì)成員參與表決的投票結(jié)果顯示，93.1%的工會(huì)成員贊成罷工。若無(wú)重大變化，三星電子工會(huì)成員將于5月21日至6月7日全面罷工。據(jù)悉，本次罷工將是三星史上最大規(guī)模的罷工計(jì)劃。關(guān)鍵訴求：...

三星存儲(chǔ) 2026-03-19

Q1 DRAM再漲180%，NAND漲150%

據(jù)韓媒Chosun Biz、韓聯(lián)社等援引市調(diào)機(jī)構(gòu)Counterpoint Research數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度，64GB服務(wù)器級(jí)DRAM模塊（RDIMM）DDR5價(jià)格較2025年第四季度上漲150%，移動(dòng)終端用1...

DRAM NAND 2026-03-17

英偉達(dá)罕見(jiàn)入局內(nèi)存研發(fā)：聯(lián)手三星共同推進(jìn)鐵電NAND商業(yè)化

3 月 13 日消息，得益于 AI 需求，包括 HBM 和 NAND 閃存在內(nèi)的各種存儲(chǔ)芯片已經(jīng)普遍處于供不應(yīng)求的局面。在此背景下，英偉達(dá)正加強(qiáng)與戰(zhàn)略伙伴的前瞻性技術(shù)合作，而不僅僅停留在簡(jiǎn)單的供應(yīng)關(guān)系上。據(jù)《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)...

英偉達(dá) 內(nèi)存 2026-03-13

應(yīng)用材料與美光、SK海力士合作

隨著人工智能熱潮推動(dòng)存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)，半導(dǎo)體設(shè)備制造商在收獲紅利的同時(shí)，也在加深與頭部存儲(chǔ)廠商的合作。據(jù)路透社報(bào)道，應(yīng)用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達(dá)成合作，共同開(kāi)發(fā)對(duì)...

應(yīng)用材料美光 2026-03-12

內(nèi)存價(jià)格邁入小時(shí)級(jí)波動(dòng)，中小廠商爭(zhēng)搶剩余貨源艱難求生

人工智能引發(fā)內(nèi)存供應(yīng)危機(jī)，DRAM 市場(chǎng)被迫啟用 “小時(shí)級(jí)定價(jià)” 模式 —— 數(shù)萬(wàn)家中小企業(yè)為生存展開(kāi)激烈爭(zhēng)奪逾 19 萬(wàn)家中小型電子企業(yè)正被人工智能浪潮擠出內(nèi)存市場(chǎng)。據(jù)《電子時(shí)報(bào)》今日發(fā)布的報(bào)道，受人工智能需求激增引發(fā)...

內(nèi)存 DRAM 2026-03-04

NAND閃存供應(yīng)緊張群聯(lián)電子要求客戶縮短賬期并預(yù)付貨款

NAND 閃存供應(yīng)商的經(jīng)營(yíng)壓力，終于傳導(dǎo)至群聯(lián)電子。就在幾周前，群聯(lián)電子首席執(zhí)行官還透露，已有至少一家 NAND 閃存晶圓代工廠要求客戶預(yù)付貨款。如今，這家企業(yè)自身也難逃供應(yīng)緊張帶來(lái)的壓力。據(jù)《電子時(shí)報(bào)》亞洲版報(bào)道，群聯(lián)...

NAND 閃存 2026-03-03

三星終結(jié)2D NAND 時(shí)代戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向錨定 AI 時(shí)代高利潤(rùn)賽道

當(dāng)三星在HBM4時(shí)代彎道超車，重新獲得英偉達(dá)的青睞并可能承接最大份額訂單，低利潤(rùn)的2D NAND就成為產(chǎn)能重構(gòu)下的棄子。 2026 年 2 月末，三星電子宣布將關(guān)停其韓國(guó)華城工廠 12 號(hào)線的 2D NAND ...

三星 HBM4 2026-03-02

存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)攀升，DRAM和NAND再創(chuàng)新高

據(jù)市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange于2月27日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存芯片的價(jià)格繼續(xù)同步上漲，其中DRAM價(jià)格再次創(chuàng)下歷史新高，達(dá)到13美元，而NAND閃存價(jià)格漲幅超過(guò)33%。自去年4月以來(lái)，通用DRA...

存儲(chǔ)芯片 DRAM 2026-02-28

存儲(chǔ)價(jià)格將繼續(xù)上漲

隨著AI服務(wù)的進(jìn)步，需求不斷增長(zhǎng)，而供應(yīng)仍然有限，分析師預(yù)計(jì)今年內(nèi)存價(jià)格的上漲趨勢(shì)將持續(xù)。一些人認(rèn)為，市場(chǎng)已經(jīng)進(jìn)入了供應(yīng)商主導(dǎo)的階段。目前，SK海力士的DRAM和NAND庫(kù)存已降至約四周的供應(yīng)量。穩(wěn)健的庫(kù)存管理和緊張的供...

存儲(chǔ) NAND 2026-02-24

群聯(lián)預(yù)警：2026 NAND閃存短缺將沖擊消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)

群聯(lián)電子（Phison）首席執(zhí)行官潘健成（K.S. Pua Khein-Seng）發(fā)出警告，2026 年即將到來(lái)的 NAND 閃存短缺可能嚴(yán)重?cái)_亂甚至?xí)簳r(shí)中斷部分消費(fèi)電子供應(yīng)鏈。他在近期發(fā)言中指出，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能正日益向人...

群聯(lián) NAND 2026-02-24

長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)入加速期，三期項(xiàng)目計(jì)劃今年建成投產(chǎn)

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目正在安裝巨型潔凈廠房設(shè)備，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人透露，計(jì)劃今年建成投產(chǎn)。湖北省委書(shū)記王忠林來(lái)到長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目建設(shè)現(xiàn)場(chǎng)三期擴(kuò)產(chǎn)與未來(lái)目標(biāo)長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，是我國(guó)存儲(chǔ)芯片制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，主要為市場(chǎng)...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 半導(dǎo)體 2026-02-05

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首個(gè)LPDDR5工程品送樣 NAND撐起國(guó)產(chǎn)

存儲(chǔ)器缺貨嚴(yán)峻持續(xù)擴(kuò)大，供應(yīng)鏈傳出，隨著國(guó)際存儲(chǔ)器原廠快速傾斜至服務(wù)器市場(chǎng)，導(dǎo)致消費(fèi)性、汽車市場(chǎng)等將首當(dāng)其沖，國(guó)內(nèi)NAND Flash領(lǐng)導(dǎo)大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳將被賦予關(guān)鍵的維穩(wěn)大任，優(yōu)先支持中國(guó)特定產(chǎn)業(yè)與應(yīng)用，確保內(nèi)需供應(yīng)鏈穩(wěn)...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) LPDDR5 2026-02-03

卷翻內(nèi)存市場(chǎng) 中國(guó)存儲(chǔ)廠商加速擴(kuò)張產(chǎn)能

全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)缺貨潮，NAND閃存大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳出以「史無(wú)前例」的速度擴(kuò)張產(chǎn)能，原定于2027年量產(chǎn)的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產(chǎn)。此舉是否對(duì)臺(tái)廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來(lái)競(jìng)爭(zhēng)壓力，后續(xù)...

內(nèi)存存儲(chǔ)廠商 2026-02-02

240億美元，美光加碼NAND產(chǎn)線

美光新加坡工廠預(yù)計(jì)將于 2028 年下半年投產(chǎn)晶圓。...

美光 NAND 2026-01-29

240億美元！美光擴(kuò)建新加坡NAND晶圓廠

隨著全球人工智能浪潮推動(dòng)資料中心硬體需求激增，美國(guó)，存儲(chǔ)芯片巨頭美光科技（Micron Technology）宣布將在新加坡投入高達(dá)240億美元，用于建設(shè)一座全新的先進(jìn)半導(dǎo)體制造工廠，以擴(kuò)大其NAND Flash的生產(chǎn)能...

美光科技 NAND 2026-01-29

上調(diào)100%！存儲(chǔ)市場(chǎng)又一重磅調(diào)價(jià)信號(hào)

三星今年第一季度對(duì)NAND閃存的供應(yīng)合約價(jià)格已上調(diào)超過(guò)100%，目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實(shí)施新的價(jià)格體系。另外，SK海力士也對(duì)NAND產(chǎn)品采取了類...

存儲(chǔ) NAND 2026-01-27

三星、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)，NAND閃存或進(jìn)入新一輪漲價(jià)周期

援引市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia的最新調(diào)研成果披露，合計(jì)占全球NAND產(chǎn)能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會(huì)進(jìn)一步加劇NAND供應(yīng)的短缺。三星產(chǎn)量從2025年的490萬(wàn)片縮減至4...

三星 SK海力士 2026-01-22

蘋(píng)果iPhone 18系列售價(jià)曝光：起步維持原價(jià)，大容量版本起飛

1 月 20 日消息，基于花旗集團(tuán)、美國(guó)銀行及摩根大通的分析報(bào)告，受 RAM 內(nèi)存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價(jià)方面，蘋(píng)果雖然會(huì)極力維持起步機(jī)型的發(fā)售價(jià)與前代持平，但在高存儲(chǔ)容量版本...

蘋(píng)果iPhone 18 原價(jià) 2026-01-20

GigaDevice在香港上市：創(chuàng)始人押注中國(guó)記憶未來(lái)

中國(guó)芯片制造商GigaDevice成立于2005年，自稱是全球第二大SPI NOR閃存供應(yīng)商，于1月13日首次進(jìn)入香港市場(chǎng)。據(jù)EE Times China報(bào)道，該公司在IPO中發(fā)行了2892萬(wàn)股H股。此次發(fā)行價(jià)格為每股1...

NAND 香港 2026-01-19

內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DRAM飆升，賣家壓制庫(kù)存，主流DDR4上漲10%

根據(jù)TrendForce最新的記憶現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于DRAM的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)日復(fù)一日上漲，盡管交易依然低迷，供應(yīng)商和交易員囤積庫(kù)存，推動(dòng)主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價(jià)格上漲9.64%。與此同時(shí)，在N...

DDR4 DRAM 2026-01-19

傳三星將采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利混合鍵合技術(shù)：用于400+層的第10代V-NAND閃存

上個(gè)月有報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）已經(jīng)開(kāi)始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個(gè)有源層。長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實(shí)現(xiàn)了最高的垂直柵密度，也是現(xiàn)階段商業(yè)產(chǎn)品中最高的，使其成...

三星長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2026-01-19

SK海力士發(fā)布了5位NAND，可分割單元，實(shí)現(xiàn)20×更快的讀取速度

存儲(chǔ)巨頭在NAND容量擴(kuò)展上謹(jǐn)慎行事，逐步淘汰MLC（多級(jí)單元）等老產(chǎn)品，同時(shí)加倍投入先進(jìn)技術(shù)。值得一提的是，在2025年12月舊金山IEDM大會(huì)上，SK海力士發(fā)布了其尖端的5位NAND閃存，聲稱其讀取速度比傳統(tǒng)PLC（...

NAND SK海力士 2026-01-19

兆易創(chuàng)新GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

一、產(chǎn)品概述中國(guó)北京（2025年4月15日）—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）...

兆易創(chuàng)新 GD5F1GM9 2025-12-30

金斯頓警告稱，自2025年初以來(lái)，NAND價(jià)格已飆升246%，預(yù)示未來(lái)將有更多價(jià)格上漲

在供應(yīng)緊張引發(fā)全球記憶價(jià)格飆升的背景下，另一家主要組件制造商警告即將上調(diào)價(jià)格。Tom's Hardware和TechPowerUp援引Kingston數(shù)據(jù)中心SSD業(yè)務(wù)經(jīng)理Cameron Crandall的言論指...

NAND 存儲(chǔ) 2025-12-18

長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)美國(guó)國(guó)防部、商務(wù)部發(fā)起訴訟

據(jù)路透社消息，中國(guó)NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)已就其被列入“實(shí)體清單”一事分別向美國(guó)國(guó)防部、美國(guó)商務(wù)部發(fā)起了訴訟。12月5日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)于美國(guó)華盛頓聯(lián)邦法院對(duì)美國(guó)防部提起訴訟，要求法官阻止國(guó)防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND 2025-12-11

三星大力推崇96%的NAND設(shè)計(jì)采用低功耗——研究人員研究基于鐵電晶體管的設(shè)計(jì)

研究人員展示了基于FeFET的三維NAND電池，其通電電壓接近零，每個(gè)單元最多可達(dá)五位。三星研究人員發(fā)布了一份詳細(xì)的NAND實(shí)驗(yàn)性架構(gòu)報(bào)告，旨在將該技術(shù)最大的功耗之一減少多達(dá)96%。這項(xiàng)工作——用于低功耗NAND閃存的鐵...

NAND 三星 2025-12-03

三星推崇基于鐵電晶體管設(shè)計(jì)的低功耗NAND

三星研究人員發(fā)布了一份詳細(xì)的NAND實(shí)驗(yàn)性架構(gòu)報(bào)告，旨在將該技術(shù)最大的功耗之一減少多達(dá)96%。這項(xiàng)工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進(jìn)技術(shù)研究院的研究人員完成，發(fā)表在《自然》期刊上。該書(shū)描...

三星鐵電晶體管 2025-12-02

三星據(jù)報(bào)道將在研發(fā)部門調(diào)整中發(fā)布NAND技術(shù)，將削減96%的功耗

在內(nèi)存供應(yīng)緊張和價(jià)格飆升給行業(yè)壓力的情況下，據(jù)ETNews和News 1報(bào)道，三星開(kāi)發(fā)出了一種NAND閃存技術(shù)，能夠降低90%以上的功耗，預(yù)計(jì)將提升AI數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備及廣泛應(yīng)用的能效。據(jù)報(bào)道，11月27日，SAIT（...

NAND 閃存 2025-12-01

SK海力士探索高帶寬存儲(chǔ)堆疊 NAND 和 DRAM

在鞏固其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開(kāi)發(fā)高帶寬 NAND 閃存（HBF），該閃存通過(guò) NAND 增強(qiáng) HBM，用于 AI 推理工作負(fù)載。與此同時(shí)，據(jù)報(bào)道，該公司正在探索更廣泛的...

SK海力士高帶寬 2025-11-11

HDD交付延遲拉長(zhǎng)至2年QLC NAND產(chǎn)能提前被搶購(gòu)一空

AI服務(wù)器推動(dòng)儲(chǔ)存需求爆發(fā)，傳統(tǒng)硬盤(pán)（HDD）持續(xù)大缺貨，據(jù)悉，交付期限已延長(zhǎng)至2年以上，北美及中國(guó)云端服務(wù)（CSP）大廠「緊急加單」，采購(gòu)大容量企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）。部分原廠2026年QLC NAND Flash...

HDD QLC NAND 2025-11-07

長(zhǎng)江存儲(chǔ)全面完成股改，估值已超1600億元

總部位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司（長(zhǎng)存集團(tuán)）召開(kāi)股份公司成立大會(huì)并選舉首屆董事會(huì)，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤(rùn)研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以1600億元估值首次入圍，位列中...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 半導(dǎo)體 2025-10-09

SK 海力士據(jù)報(bào)道與客戶協(xié)商價(jià)格調(diào)整，跟隨美光和三星

存儲(chǔ)巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價(jià)。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報(bào)道，正與客戶協(xié)...

DRAM NAND 2025-09-23

Kioxia 股價(jià)因 NAND 短缺上漲 70%；SK hynix 收獲股份收益

根據(jù)韓國(guó)媒體《Yonhap Infomax》，日本 NAND 閃存生產(chǎn)商 Kioxia 的股價(jià)在 NAND 市場(chǎng)供應(yīng)短缺的情況下急劇上漲。報(bào)道指出，SK hynix——2018 年投資 390 億韓元入股 Kioxia—...

鎧俠 NAND 2025-09-16

美光凍結(jié)價(jià)格，推理 AI 推動(dòng) SSD 需求激增及供應(yīng)短缺

隨著全球數(shù)據(jù)中心部署的加速，云巨頭正將其需求從訓(xùn)練 AI 轉(zhuǎn)向推理 AI，推動(dòng)了對(duì)大容量?jī)?nèi)存需求的持續(xù)增長(zhǎng)，并導(dǎo)致內(nèi)存供應(yīng)緊張從 DRAM 轉(zhuǎn)向 NAND。供應(yīng)鏈消息人士透露，在上周閃迪將 NAND 價(jià)格上調(diào) 10%之后...

美光 AI 2025-09-15

長(zhǎng)江存儲(chǔ)加速產(chǎn)能擴(kuò)張：新公司注冊(cè)資本達(dá)207億，其認(rèn)繳出資104億元

現(xiàn)在，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片龍頭長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）迎來(lái)了一個(gè)重磅消息。9月5日，長(zhǎng)存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司正式注冊(cè)成立，注冊(cè)資本高達(dá)207.2億元人民幣，法定代表人為長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設(shè)計(jì)、...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) YMTC 2025-09-09

內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國(guó)對(duì)日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴

根據(jù) ZDNet 的報(bào)道，韓國(guó)可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報(bào)告援引消息人士的話警告說(shuō)，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴可能會(huì)成為韓國(guó)...

內(nèi)存 NAND 2025-09-02